Kristallbearbeitung

Kennzeichnung der Kristallorientierung
Waferkennzeichnungen
Kristallbearbeitung
Kristallbearbeitung
Kristallbearbeitung
Sägen von Silizium
Defektbildung an einer Schleispur nach dem Tempern bei 1100/C: (a)
optischer Interferenzkontrast zur Visualisierung der Gleitebenen,
(b)Röntgentopographie zur Visualisierung des Versetzungsnetzwerkes.
Deformationsdiagramm von Silizium
Messen der Kristallqualität
Sägen von Silizium
Abhängigkeit der Versetzungsdichte von der Ätztiefe
Abhängigkeit der Halbwertsbreite des {115} Beugungspunktes beim
{111} Si (die Halbwertsbreite von ungeschädigtem Si beträgt 6.3'')
Kristallbearbeitung
Kantenverundung
Kristallbearbeitung
Schleifen
Scheibenbearbeitung
Bearbeitungsetappen:
(1) Läppen
(2) Scheibenrandbearbeitung (Abrundung)
(3) Ätzen
(4) Polieren
Kristallbearbeitung
Ätzen
Ätzgeschwindigkeit von Si in μm/min des Systems HNO3HF mit Wasser und Essigsäure als Verdünnungsmittel
(Aufgetragen in Gewichtsprozenten).
Schematische Darstellung der Ätzgruben in Abhängigkeit von der
Kristallorientierung
Kristallbearbeitung
Polieren
Kristallbearbeitung
Verfahrensablauf des Polierens
Typische Daten von Siliziumscheiben
Wafertyp
100
125
150
200
300
Durchmesser, mm
100 ± 0.5
125 ± 0.5
150 ± 0.3
200 ± 0.2
300 ± 0.2
Dicke, μm
525 ± 25
625 ± 25
675 ± 25
725 ± 25
775 ± 25
Fehlorientierung, /
±2
±2
±2
±2
±1
Durchbiegung, μm
15
20
25
30
50
Dickenvariation, μm
5
5
5
5
4
Flat/Notch-Größe,
mm
30 - 35
40 - 45 / 2
2
1
1