Patente - IFW Dresden

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Patente - IFW Dresden
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Verfügung.
Ihr Wissens- und Technologietransferteam
Dr.-Ing. Uwe Siegel und Dr. Stefanie Hartmann
Technologietransfer(at)ifw-dresden.de
Tel. 0351 4659-424 / -155
Letzte Aktualisierung am: 02.06.2014
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Bauelemente/Sensoren - Datenspeicherung
10314
Verfahren zur Herstellung von nanostrukturierten magnetischen
Funktionselementen
Prioritätsdatum: 25.09.2003
Entwicklungsstand: Machbarkeit erfolgreich erprobt
Die Erfindung bezieht sich auf die Gebiete der Magnetwerkstoffe und der Nanotechnik und betrifft ein Verfahren
zur Herstellung von nanostrukturierten magnetischen Funktionselementen, die beispielsweise zur
Datenspeicherung, an Membranen oder als Sensoren angewandt werden können. Aufgabe der Erfindung ist es, ein
Verfahren zur Herstellung von nanostrukturierten magnetischen Funktionselementen anzugeben, mit dessen Hilfe
FeCo-gefüllte Kohlenstoff-Nanoröhren mit ferromagnetischen Eigenschaften hergestellt werden können und die
danach oder noch während des Herstellungsprozesses als magnetisch oder elektrisch wirkende Funktionselemente
realisiert werden. Die Aufgabe wird durch die in den Ansprüchen angegebene Erfindung gelöst. Weiterbildungen
sind Gegenstand der Unteransprüche. Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren zur Herstellung von strukturierten
magnetischen Funktionselementen werden in oder auf ein Substrat Strukturierungen entsprechend der
gewünschten Funktion der Elemente realisiert. Dann werden mindestens diese Strukturierungen teilweise mit
einer katalytisch wirkenden Metallschicht gefüllt und/oder beschichtet. Anschließend werden mittels der
chemischen Gasphasenabscheidung (CVD-Verfahren) magnetischen Materialien mindestens in die
Strukturierungen abgeschieden und danach mittels eines gerichteten Ätzverfahrens unter einem Winkel von > 0 °
bis < 90 ° mindestens das auf und/oder über der Oberfläche des Substrates vorhandene Material abgetragen.
Vorteilhafterweise wird die Strukturierung der Substrate mittels lithografischer oder Ätzverfahren, oder durch
chemische, physikalische oder biologische Selbstorganisationsprozesse oder Kombinationen dieser Verfahren und
Prozesse realisiert , wobei die Abmessungen der Strukturierungen im µm- und/oder im nm-Bereich realisiert
werden. Ebenfalls vorteilhafterweise werden die Strukturierungen in würfelartiger, quaderartiger, zylindrischer,
pyramidaler oder anderer dreidimensionaler regelmäßiger Form realisiert. Ein weiterer Vorteil der Erfindung
besteht darin, dass mit einer amorphen Kohlenstoffschicht versehenen Substrate strukturiert werden, wobei die
Strukturierungen mittels elektroneninduzierter Oxidation eingebracht werden. Von Vorteil ist es auch, wenn als
Substratmaterialien Silicium, Siliciumoxid oder Galliumarsenid eingesetzt werden. Es ist auch von Vorteil, wenn als
katalytisch wirkende Metalle Fe (?) aufgebracht werden. Im Zusammenhang mit der Erfindung ist es ebenfalls von
Vorteil, wenn das CVD-Verfahren unter Anwendung eines Zwei-Temperaturen-Bereiches durchgeführt wird, wobei
in einem Temperaturbereich die Sublimation der Beschichtungsmaterialien und in dem anderen
Temperaturbereich die Beschichtung realisiert wird, wobei die zwei Temperaturbereiche räumlich getrennt
realisiert werden. Vorteilhaft ist es auch, wenn als Gas im CVD-Verfahren Ar, N2, Ar/H2, N2/H2 eingesetzt werden.
Weiterhin ist es von Vorteil, wenn als magnetische Materialien Fe, Co, (?) eingesetzt werden, wobei dabei
Precursoren von Fe, Co, (?) vorteilhafterweise in Form von Ferrocenen, Cobaltocenen, (?) eingesetzt werden
können. Ebenfalls ist es vorteilhaft, wenn das Verhältnis von mehreren magnetischen Materialien in den
Funktionselementen durch das Verhältnis der eingesetzten Ausgangsstoffe bestimmt wird. Es ist weiterhin ein
Vorteil des erfindungsgemäßen Verfahrens, wenn das gerichtete Ätzen mit Ionen mittels IBE (Ion Beam Etching),
RIBE (Reaktive Ion Beam Etching) oder CAIBE (Chemical Assisted Ion Beam Etching) durchgeführt wird.
Aktenzeichen:
Patentamtslink:
DE 103 45 755.0
http://register.dpma.de/DPMAregister/pat/register?AKZ=103457550&CURSOR=0
Letzte Aktualisierung am: 02.06.2014
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Bauelemente/Sensoren - Datenspeicherung
10407
Magnetic medium for storing information
Prioritätsdatum: 10.05.2004
Entwicklungsstand: Machbarkeit erfolgreich erprobt
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein magnetisches Medium zur Speicherung von Informationen zu
schaffen, bei dem hochkoerzitive magnetische Medien mit den üblichen Schreibköpfen und ohne ein zusätzliches
lokales Aufheizen beschrieben werden können. Zur Lösung dieser Aufgabe besteht das Speichermedium aus
mindestens zwei miteinander verbundene Materialien A und B, wobei das Material A ein hartmagnetischer
Werkstoff und das Material B ein Werkstoff ist, der ein metamagnetisches Verhalten in einem Magnetfeld
aufweist. Das metamagnetische Verhalten des Materials B besteht darin, dass auch nach wiederholtem
Durchlaufen eines äußeren Magnetfeldes von 0 bis 10 Tesla bei mindestens einer Magnetfeldstärke unter 3 Tesla
eine Steigung der Magnetisierung in Abhängigkeit des Magnetfeldes eintritt, die überproportional ist und eine
positive Krümmung aufweist. Das erfindungsgemäße Speichermedium ist für die Datenspeicherung mit hoher
Informationsdichte und unter Verwendung üblicher Schreibköpfe ohne lokales zusätzliches Aufheizen einsetzbar.
Aktenzeichen:
Patentamtslink:
EP 1596373
https://register.epo.org/espacenet/application?number=EP05103726
Aktenzeichen:
Patentamtslink:
US 7,608,348
http://patft.uspto.gov/netacgi/nphParser?Sect1=PTO2&Sect2=HITOFF&p=1&u=%2Fnetahtml%2FPTO%2Fsearchbool.html&r=2&f=G&l=50&co1=AND&d=PTXT&s1=7,608,348&OS=7,608,348&RS=7,608,348
11134
Resonanzdetektor
Prioritätsdatum: 13.12.2011
Entwicklungsstand: Prototyp vorhanden
Die Erfindung bezieht sich auf das Gebiet der Elektronik und betrifft einen Resonanzdetektor, welcher
beispielsweise für den Nachweis von magnetischen, metallischen und/oder ionischen Objekten in Flüssigkeiten,
Gasen oder Feststoffen oder in einer Kombination davon, auch im biologischen Bereich, eingesetzt werden kann.
Aufgabe der vorliegenden Lösung ist es, einen Resonanzdetektor anzugeben, welcher mit einem hohen bis sehr
hohen Qualitätsfaktor und damit hoher bis sehr hoher Empfindlichkeit Werte zur Verfügung stellt, die als Nachweis
für Mengen, Arten oder Bestandteile von magnetischen, metallischen und/oder ionischen Objekten in
Flüssigkeiten, Gasen oder Feststoffen oder in Kombinationen davon dienen. Die Aufgabe wird gelöst durch einen
Resonanzdetektor, der mindestens eine Induktivität L und mindestens eine elektrischen Schaltung enthält, die
wiederum mindestens drei Impedanzen X1 bis X3, einen Verstärker K und eine Feedback-Impedanz X4 enthält,
wobei die Induktivität L eine der drei Impedanzen X1 bis X3 ist und die anderen beiden Impedanzen jeweils
Kondensatoren sind.
Aktenzeichen:
Patentamtslink:
DE 10 2011 088 360.6
https://register.dpma.de/DPMAregister/pat/register?AKZ=1020110883606
Aktenzeichen:
Patentamtslink:
PCT/EP2012/074684
http://patentscope.wipo.int/search/en/detail.jsf?docId=WO2013087517&recNum=1&docAn=EP20
12074684&queryString=FP:PCT/EP2012/074684%20&maxRec=1
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Bauelemente/Sensoren - Oberflächenwellentechnik
10126
Akustisches Oberflächenwellenbauelement und Verfahren zu dessen
Herstellung
Prioritätsdatum: 09.04.2002
Entwicklungsstand: Machbarkeit erfolgreich erprobt
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Leistungs-SAW Bauelementen (Power SAW Gdevices) mit
einem neuartigen Metallisierungssystem auf der Basis von Kupferdünnschichten. Diese Systeme weisen gegenüber
Al-Schichtsystemen einen höheren Widerstand gegen Akustomigration auf. Für diese Kupfer SAW-Technologie sind
dünne Barriereschichten zur Verhinderung einer Interdiffusion von Stoff erforderlich, insbesondere gegen
Sauerstoff- und Kupferdiffusion. Die Erfindung beinhaltet einerseits die Art dieser Barriereschichten in Form einer
Ummantelung der Dünnschicht-Metallisierungssysteme mit einer Dünnschicht aus Ta und Si. Dabei kann diese
Ummamntelung auch amorph ausgeprägt sein. Andererseits beinhaltet die Erfindung auch eine
Verfahrenstechnologie zur Herstellung dieser abdeckenden Dünnschicht in einer Clusteranlageauf einem
unstrukturierten oder in Gräben eines strukturierten Wafers die Dünnschicht auf der Basis von Ta und Si als
Zweilagen- ooder als Multilagensystem abgeschieden werden. Zur Herstellung von SAW Bauelementen werden
international Metallisierungssysteme zur Herstellung der Fingerelektroden auf der Basis von Al, Al-Legierungen und
Al-Schichtsystemen verwendet. Dazu werden auf einem piezoelektrischen Substrat (Quarz, LiNbO3, LiTaO3, ZnOSchichten o.a.), auf welcheem sich eine Lackmaske befindet, eine oder mehrere Metallschichten (Multischichten)
mit Hilfe bekannter Abscheideverfahren, vorteilhaft desElektronenstrahlverdampfens oder des
Magnetonsputterns, abgeschieden und anschliueßend durch Ablösen der Lackmaske (lift off-Technik) strukturiert.
Eine andere Möglichkeit der Strukturierung ist die Ätztechnologie (entweder trocken- oder nasschemisches Ätzen),
bei dem die Wafer komplett mit Metallbeschichtet werden und der zu erhaltende Elektrodenteil mit einer Maske
abgedeckt wird, während die zu entferneden Stellen weggeätzt werden. Auf diese Weise werden zwei fingerartig
strukturierte, ineinandergreifende Elektroden erzeugt, deren Einzelfinger einen definierten Abstand voneinander
und einen bestimmten Überlappungsbereich (Apertur) aufweisen sowie eine wohldefinierte Geometrie besitzen.
Eine weitere prinzipielle Möglichkeit der Herstellung strukturierter Metallfingerstrukturen ist mit dem CMPVerfahren gegeben. Das CMP (chemisch-mechanisches Polieren) wurde ursprünglich als Planariesierungsverfahren
für SiO2 entwickelt. Bei Anwendung auf dreidiemnsional abgeschiedene Metallschichten in der sogenannten
Damascene-+Technologie führt die planarisierende Wirkung des Prozesses zu deren Strukturierung, womit sich das
CMP als ein alternatives Strukturierungsverfahren für Metalle anbietet. Diese Verfahren bietet auf grund der
chemischeen und physikalischen Wirkubngsweise und des breiten Variationsbereiches der Chemikalien und
Zusätze die Möglichkeit, einen breiten Anwendungsbereich auch sehr harter Schichten zu bearbeiten.
Aktenzeichen:
Patentamtslink:
DE 102 16 559
http://register.dpma.de/DPMAregister/pat/register?AKZ=102165599&CURSOR=0
10203
Akustisches Oberflächenwellenbauelement
Prioritätsdatum: 16.02.2001
Entwicklungsstand: Machbarkeit erfolgreich erprobt
Die Erfindung betrifft ein akustisches Oberflächenwellenbauelement, bei dem metallische Streifenstrukturen mit
einem piezoelektrischen Material mechanisch gekoppelt sind. Derartige Bauelemente sind beispielsweise als Filter,
akustooptische Modulatoren, Aktoren, Convolver oder Sensoren anwendbar. Diese Aufgabe wird gemäß der
Erfindung dadurch gelöst, dass die metallischen Streifenstrukturen ein polykristallines und/oder nanokristallines
Gefüge aufweisen oder/und im amorphen Zustand vorliegen und aus einem Cu-Basiswerkstoff mit einer
Beimengung von 0 Atom-% bis maximal 10 Atom-% eines oder mehrerer anderer metallischer Elemente, einer
Legierung und/oder einer Verbindung bestehen. Außerdem sind die Streifenstrukturen erfindungsgemäß mit einer
oder mehreren Diffusionsbarriereschichten beschichtet oder umgeben. Nach vorteilhaften Ausgestaltungen der
Erfindung ist auf den Diffusionsbarriereschichten eine Haftvermittlerschicht und/oder eine Schutzschicht
vorhanden oder sind die Diffusionsbarriereschichten als Schutzschicht und/oder als Haftvermittlerschicht
ausgeführt.
Aktenzeichen:
Patentamtslink:
DE 102 06 480
http://register.dpma.de/DPMAregister/pat/register?AKZ=102064806&CURSOR=0
Letzte Aktualisierung am: 02.06.2014
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Bauelemente/Sensoren - Oberflächenwellentechnik
10328
Akustisches Oberflächenwellenbauelement
Prioritätsdatum: 14.11.2003
Entwicklungsstand: Forschungsgegenstand
Die Erfindung bezieht sich auf ein akustisches Oberflächenwellenbauelement (SAW-Bauelement), das aus einem
Substrat aus Einkristallmaterial besteht, das in einer bestimmten Orientierung aus dem Einkristall
herausgeschnitten ist. Das Einkristallmaterial ist Strontiumniobiumgalliumsilikat (SNGS) mit der chemischen Formel
Sr3NbGa3Si2O14. Die Orientierung des Kristallschnittes ist so gewählt, dass das mit einem SNGS-Substrat
aufgebaute SAW-Bauelement optimale Eigenschaften besitzt. Die Eigenschaften eines SAW-Bauelements werden
u.a. von folgenden Parametern bestimmt: dem elektromechanischen Kopplungsfaktor, der Reflektivität der
Wandler- und Reflektorelektroden, dem Beugungsverhalten, dem Energieflusswinkel. Alle diese Eigenschaften
hängen von der Orientierung des SAW-Substrats im Einkristall ab. Die Zuordnung der Substratorientierung zum XYZKristallachsensytem erfolgt üblicherweise über die Eulerwinkel. Die Eulerwinkel ergeben sich durch
aufeinanderfolgende Drehungen des Substrats um die z-Achse, die x-Achse und wiederum z-Achse desjenigen
Koordinatensytems, das die Geometrie des SAW-Substrats beschreibt. Dabei steht die z-Achse senkrecht auf dem
Substrat, die x-Achse zeigt in Ausbreitungsrichtung der SAW-Phasengeschwindigkeit und die y-Achse steht
senkrecht auf x- und z-Achsen. Die x-, y- und z-Achsen des Substrats bilden ebenso wie die Kristallachsen XYZ ein
Rechtssystem. Die 3 Drehungen, die die Eulerwinkel erzeugen, erfolgen jeweils im mathematischen Drehsinn, sie
werden begonnen bei Übereinstimmung von Substrat-Koordinatensytem xyz und Kristallachsensytem XYZ und
enden mit der Erreichung der tatsächlichen Lage des SAW-Substrats im Kristall. Entsprechend der
Kristallsymmetrie ergeben sich äquivalente Sätze von Eulerwinkeln, die mit identischen SAW-Eigenschaften
verbunden sind. SNGS gehört der Kristallklasse 32 an.
Aktenzeichen:
Patentamtslink:
DE 103 54 542.5
http://register.dpma.de/DPMAregister/pat/register?AKZ=103545425&CURSOR=0
10329
Akustisches Oberflächenwellenbauelement
Prioritätsdatum: 14.11.2003
Entwicklungsstand: Forschungsgegenstand
Die Erfindung bezieht sich auf ein akustisches Oberflächenwellenbauelement (SAW-Bauelement), das aus einem
Substrat aus Einkristallmaterial besteht, das in einer bestimmten Orientierung aus dem Einkristall
herausgeschnitten ist. Das Einkristallmaterial ist Strontiumniobiumgalliumsilikat (SNGS) mit der chemischen Formel
Sr3NbGa3Si2O14. Die Orientierung des Kristallschnittes ist so gewählt, dass das mit einem SNGS-Substrat
aufgebaute SAW-Bauelement optimale Eigenschaften besitzt. Die Eigenschaften eines SAW-Bauelements werden
u.a. von folgenden Parametern bestimmt: dem elektromechanischen Kopplungsfaktor, der Reflektivität der
Wandler- und Reflektorelektroden, dem Beugungsverhalten, dem Energieflusswinkel. Alle diese Eigenschaften
hängen von der Orientierung des SAW-Substrats im Einkristall ab. Die Zuordnung der Substratorientierung zum XYZKristallachsensytem erfolgt üblicherweise über die Eulerwinkel. Die Eulerwinkel ergeben sich durch
aufeinanderfolgende Drehungen des Substrats um die z-Achse, die x-Achse und wiederum z-Achse desjenigen
Koordinatensytems, das die Geometrie des SAW-Substrats beschreibt. Dabei steht die z-Achse senkrecht auf dem
Substrat, die x-Achse zeigt in Ausbreitungsrichtung der SAW-Phasengeschwindigkeit und die y-Achse steht
senkrecht auf x- und z-Achsen. Die x-, y- und z-Achsen des Substrats bilden ebenso wie die Kristallachsen XYZ ein
Rechtssystem. Die 3 Drehungen, die die Eulerwinkel erzeugen, erfolgen jeweils im mathematischen Drehsinn, sie
werden begonnen bei Übereinstimmung von Substrat-Koordinatensytem xyz und Kristallachsensytem XYZ und
enden mit der Erreichung der tatsächlichen Lage des SAW-Substrats im Kristall. Entsprechend der Kristallsymmetrie
ergeben sich äquivalente Sätze von Eulerwinkeln, die mit identischen SAW-Eigenschaften verbunden sind. SNGS
gehört der Kristallklasse 32 an.
Aktenzeichen:
Patentamtslink:
DE 103 54 541.7
http://register.dpma.de/DPMAregister/pat/register?AKZ=103545417&CURSOR=0
Letzte Aktualisierung am: 02.06.2014
Seite 5 von 35
Bauelemente/Sensoren - Oberflächenwellentechnik
10426
Oszillator
Prioritätsdatum: 14.12.2004
Entwicklungsstand: Forschungsgegenstand
Die Erfindung betrifft einen Oszillator, der zwei Eintor-Oberflächenwellenresonatoren als frequenzbestimmende
Elemente und ein aktives elektronisches Bauelement enthält. Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die
bekannten derartigen Oszillatoren so zu verändern, dass die Größe |S21| an der Oszillatorfrequenz, die sich bei der
jeweiligen Temperatur einstellt, nur schwach temperaturabhängig ist. Der erfindungsgemäße Oszillator ist dadurch
gekennzeichnet, dass a) die Temperaturkoeffizienten n-ter Ordnung der Synchronfrequenz der
Oberflächenwellenresonatoren (2;3;12;13;42;43) unterschiedliche Vorzeichen haben, falls diese von null
verschieden sind und die Temperaturkoeffizienten (n+1)-ter Ordnung der Synchronfrequenz der beiden
Oberflächenwellenresonatoren (2;3;12;13;42;43) gleiches Vorzeichen haben und die Temperaturkoeffizienten
erster bis (n-1)-ter Ordnung der Synchronfrequenz der beiden Oberflächenwellenresonatoren (2;3;12;13;42;43) im
Fall n größer als 1 gleich null sind, wobei n größer oder gleich 1 ist, b) dass bei den Wandlern
(23;33;123;133;423;433) das Verhältnis ihrer Aperturen (24;34;124;134;424;434) zueinander und das Verhältnis
ihrer Zinkenzahlen (23;33;123;133;423;433) zueinander so gewählt sind, dass im Einsatztemperaturbereich des
Oszillators der Temperatureinfluss auf die Oszillatorfrequenz ein Minimum ist oder einen vom Minimum
abweichenden, gewünschten Wert aufweist. Der Oszillator ist in verschiedenen technischen Gebieten als
Schwingungserzeuger oder Sensor einsetzbar.
Aktenzeichen:
Patentamtslink:
DE 10 2004 060 901.3
http://register.dpma.de/DPMAregister/pat/register?AKZ=1020040609012&CURSOR=0
10615
Bauelement auf Basis akustischer Oberflächenwellen
Prioritätsdatum: 04.09.2006
Entwicklungsstand: Forschungsgegenstand
Die Erfindung betrifft Wellenleiterbauelemente auf der Grundlage akustischer Oberflächenwellen, enthaltend
mindestens einen interdigitalen Wandler zur Anregung akustischer Oberflächenwellen in einem piezoelektrischen
Substrat oder einer piezoelektrischen Schicht. Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, Wellenleiterbauelemente
der bekannten Art, enthaltend mindestens einen interdigitalen Wandler zur Anregung akustischer
Oberflächenwellen in einem piezoelektrischen Substrat oder einer piezoelektrischen Schicht, so zu verändern, dass
keine Reflektoren bei sonst gleicher Funktion erforderlich sind. Die erfindungsgemäßen Wellenleiterbauelemente
sind dadurch gekennzeichnet, dass der beziehungsweise die interdigitalen Wandler a) in einem definierten Abstand
über dem piezoelektrischen Substrat oder der piezoelektrischen Schicht zur Anregung von Wellenfeldern
angeordnet sind, oder b) sich im Kontakt mit dem piezoelektrischen Substrat oder der piezoelektrischen Schicht
befinden, wobei im Falle der Variante a) das piezoelektrische Substrat als Ring und die piezoelektrische Schicht als
ringförmiger Bereich ausgebildet ist und im Falle der Variante b) die interdigitalen Wandler und/oder die
piezoelektrische Schicht ringförmige Bereiche bilden. Die Bauelemente sind beispielsweise als Resonatoren, Filter,
Oszillatoren und Sensoren verwendbar.
Aktenzeichen:
Patentamtslink:
DE 10 2006 042 616.9-55
http://register.dpma.de/DPMAregister/pat/register?AKZ=1020060426169&CURSOR=0
Letzte Aktualisierung am: 02.06.2014
Seite 6 von 35
Bauelemente/Sensoren - Oberflächenwellentechnik
10702
Aktuator und Verfahren zu seiner Herstellung
Prioritätsdatum: 03.08.2007
Entwicklungsstand: Machbarkeit erfolgreich erprobt
Die Erfindung bezieht sich auf das Gebiet der Materialwissenschaften und betrifft einen Aktuator, wie er
beispielsweise zur Deposition von nanoskaligen Feststoffpartikeln verwendet werden kann und ein Verfahren zu
seiner Herstellung. Die Aufgabe besteht in der Angabe von Aktuatoren, die nanoskalige Feststoffpartikel im
Picoliterbereich kontrolliert, dosiert und ortsgenau ablegen oder aufnehmen können. Gelöst wird die Aufgabe
durch einen Aktuator aus einer Nanoröhre, wobei die Nanoröhre mit einer Elektrode versehen ist, deren
Anordnung einen Druck in peristaltischer Abfolge durch eine zeitlich und/oder örtlich veränderliche Dehnung mit <
1 µm Länge auf das zu transportierende Material realisiert. Die Aufgabe wird weiterhin gelöst durch ein Verfahren,
bei dem eine AFM- oder eine RTM-Messspitze mit einer Öffnung versehen und nachfolgend eine Nanoröhre in der
Öffnung fest positioniert wird, und danach eine Elektrode auf die Außenwandung der Nanoröhre aufgebracht und
mit Zuleitungen zu elektrischen Kontakten versehen wird.
Aktenzeichen:
Patentamtslink:
DE 10 2007 038 280.6
http://register.dpma.de/DPMAregister/pat/register?AKZ=1020070382806&CURSOR=0
10712
Oszillatorkreis mit akustischen Zweitor-Oberflächenwellenresonatoren
Prioritätsdatum: 12.06.2007
Entwicklungsstand: Forschungsgegenstand
Die Erfindung bezieht sich auf das Gebiet Elektrotechnik/ Elektronik. Objekte, bei denen die Anwendung möglich
und zweckmäßig ist, sind Bauelemente auf der Basis akustischer Oberflächenwellen wie Oszillatoren und Sensoren,
insbesondere solche Sensoren, bei denen sich der Temperaturgang der Oszillatorfrequenz einstellen lässt. Der
Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, Oszillatorkreise, die akustische Oberflächenwellenresonatoren als
frequenzbestimmende Elemente enthalten, der bekannten Art so zu verändern, dass der Einfluss der
Temperaturabhängigkeit der Phase aller Elemente des Oszillatorkreises auf die Oszillatorfrequenz kompensiert
wird. Der erfindungsgemäße Oszillator ist dadurch gekennzeichnet, dass der Temperaturkoeffizient erster Ordnung
der Synchronfrequenz jeder der beiden Zweitor-Oberflächenwellenresonatoren ungleich null ist und sich die
Temperaturkoeffizienten der Zweitor-Oberflächenwellenresonatoren im Vorzeichen unterscheiden. Außerdem
sind das Verhältnis der Aperturen der interdigitalen Wandler zueinander und/oder das Verhältnis der Längen der
Koppelelemente zueinander und/oder der Koppelblindwiderstand nach definierten Vorschriften gewählt, so dass
die temperaturbedingte Änderung der Phase des Verbundes und die temperaturbedingte Änderung der
Gesamtphase der übrigen Elemente des Oszillatorkreises zueinander entgegengesetzte Vorzeichen haben und der
Betrag der Summe dieser Phasenänderungen im thermischen Anwendungsbereich des Oszillatorkreises kleiner als
der Betrag der Phasenänderung des Verbundes und kleiner als der Betrag der Phasenänderung der übrigen
Elemente des Oszillatorkreises ist.
Aktenzeichen:
Patentamtslink:
DE 10 2007 028 372.7
http://register.dpma.de/DPMAregister/pat/register?AKZ=1020070283727&CURSOR=0
10716
Wandler, Resonator und Filter für akustische Oberflächenwellen
Prioritätsdatum: 20.12.2007
Entwicklungsstand: Machbarkeit erfolgreich erprobt
Die vorliegende Erfindung betrifft einen Wandler für akustische Oberflächenwellen, insbesondere betrifft
vorliegende Erfindung einen Resonator und ein Filter für akustische Oberflächenwellen auf Basis des
erfindungsgemäßen Wandlers. Weitere Anwendungen für Bauelemente auf der Basis akustischer
Oberflächenwellen sind Verzögerungsleitungen, Oszillatoren und Sensoren.
Aktenzeichen:
Patentamtslink:
DE 10 2007 063 470.8
http://register.dpma.de/DPMAregister/pat/register?AKZ=1020070634708&CURSOR=0
Letzte Aktualisierung am: 02.06.2014
Seite 7 von 35
Bauelemente/Sensoren - Oberflächenwellentechnik
10809
Schichtsystem für Elektroden
Prioritätsdatum: 04.04.2008
Entwicklungsstand: Forschungsgegenstand
Die Erfindung bezieht sich auf das Gebiet der Werkstoffwissenschaften und betrifft ein Schichtsystem für
Elektroden, welche beispielsweise bei Frequenzfiltern, Sensoren oder Aktuatoren zum Einsatz kommen können.
Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht in der Angabe eines Schichtsystems für Elektroden mit
verbesserter Leistungsverträglichkeit und Lebensdauer. Die Aufgabe wird gelöst durch ein Schichtsystem für
Elektroden, bestehend aus einem piezoelektrischen Substrat mit darauf befindlichen oder im Substrat
eingebetteten Streifenstrukturen aus einem Kompositmaterial, welches aus einem metallischen Matrixmaterial mit
mindestens einer Einlagerungsphase aus Kohlenstoffnanostrukturen besteht. Die Aufgabe wird weiterhin gelöst
durch ein Verfahren, bei dem auf einer Keimschicht Katalysatormaterial aufgebracht wird, dies einer
Temperaturerhöhung ausgesetzt und nachfolgend Kohlenstoffnanostrukturen hergestellt und dann die
Zwischenräume zwischen den Kohlenstoffnanostrukturen durch ein metallisches Matrixmaterial ausgefüllt werden
und/oder bei dem auf ein Substrat Partikel aufgebracht werden, die zu Kohlenstoffnanostrukturen führen und
nachfolgend die Zwischenräume zwischen den Kohlenstoffnanostrukturen durch ein metallisches Matrixmaterial
ausgefüllt werden. Fig. 1
Aktenzeichen:
Patentamtslink:
DE: 10 2008 001 000.6
http://register.dpma.de/DPMAregister/pat/register?AKZ=1020080010006&CURSOR=0
11207
Akustisches Oberflächenbauelement
Prioritätsdatum: 18.04.2012
Entwicklungsstand: Forschungsgegenstand
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf das Gebiet Elektrotechnik/ Elektronik. Der vorliegenden Erfindung liegt
die Aufgabe zugrunde, akustische Oberflächenwellenbauelemente, bei denen auf einem piezoelektrischen Substrat
zwei fächerförmige interdigitale Wandler angeordnet sind, so zu gestalten, dass die 2. oder Harmonische höherer
Ordnung unterdrückt oder zwei Harmonische unterschiedlicher Ordnung gleichzeitig wenigstens reduziert werden.
Die erfindungsgemäßen Merkmale beziehen sich auf ein akustisches Oberflächenwellenbauelement, das zwei auf
einem piezoelektrischen Substrat angeordnete fächerförmige interdigitale Wandler enthält, deren Zinken und
Lücken zwischen ihnen Gruppen mit gleicher Länge, Zellen genannt, bilden und die sich in gemittelter
Zinkenrichtung verjüngen, wobei die Zellen so aufgebaut sind wie Zellen von Unidirektionalwandlern, und wobei
mindestens einer der fächerförmigen interdigitalen Wandler aus zwei Partialwandlern zusammengesetzt ist. Das
erfindungsgemäße Bauelement ist dadurch gekennzeichnet, dass a) die Partialwandler in gemittelter
Zinkenrichtung hintereinander angeordnet sind und b) in mindestens einem der fächerförmigen interdigitalen
Wandler einer der Partialwandler gegenüber dem zweiten zu demselben fächerförmigen interdigitalen Wandler
gehörenden Partialwandler verschoben und geneigt ist und die Differenz dieser Verschiebungen in den
fächerförmigen interdigitalen Wandlern (g+m/h)pmin und die Differenz der Neigungswinkel in den fächerförmigen
interdigitalen Wandlern arctan[(g+m/h)(pmax-pmin)/A] beträgt, wobei pmax die maximale Zelllänge und pmin die
minimale Zelllänge und A die Apertur der Partialwandler ist und wobei Verschiebungen und Neigungswinkel nach
rechts bzw. links mit unterschiedlichen Vorzeichen behaftet definiert sind, und 2/2 c) die Zellen eines der
Partialwandler im Vergleich mit dem Partialwandler, der zu demselben fächerförmigen interdigitalen Wandler
gehört, eine entgegengesetzte elektrische Polarität aufweisen, wobei g eine natürliche Zahl oder null ist, h eine
Primzahl der Primfaktorzerlegung der Ordnung der zu unterdrückenden Harmonischen ist und m als ganze Zahl so
gewählt ist, dass es im Bereich 1 ≤ m ≤ h-1 liegt. Die Erfindung ist vorteilhaft anwendbar in Filtern und
Verzögerungsleitungen auf der Basis akustischer Oberflächenwellen, insbesondere in solchen Filtern und
Verzögerungsleitungen mit geringer Einfügedämpfung und großer Bandbreite.
Aktenzeichen:
Patentamtslink:
DE 10 2012 206 393.5
https://register.dpma.de/DPMAregister/pat/register?AKZ=1020122063935
Letzte Aktualisierung am: 02.06.2014
Seite 8 von 35
Bauelemente/Sensoren - Oberflächenwellentechnik
11226
Akustische Oberflächenwellenbauelemente mit Interdigitalwandlern und
Verfahren zu ihrer Herstellung
Prioritätsdatum: 22.11.2012
Entwicklungsstand: Forschungsgegenstand
Die Erfindung bezieht sich auf das Gebiet der Elektrotechnik/Elektronik und betrifft akustische
Oberflächenwellenbauelemente, wie sie beispielsweise als Resonatoren oder Filter in der Hochfrequenztechnik
eingesetzt werden. Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht in der Angabe von akustischen
Oberflächenwellenbauelementen, bei denen die Interdigitalwandler eine deutlich verbesserte Beständigkeit gegen
Akustomigration aufweisen und in der Angabe eines einfachen Verfahrens zu ihrer Herstellung. Bei den
erfindungsgemäßen akustischen Oberflächenwellenbauelementen besteht das Metallisierungsschichtsystem der
Interdigitalwandler aus mindestens einer Schicht und einer elektrisch leitfähigen Schicht, wobei zwischen der
Schicht und der elektrisch leitfähigen Schicht eine amorphe Schicht als Barriereschicht vorhanden ist, die
mindestens aus einem der Elemente oder der Legierung oder Verbindung der Materialien der beiden Schichten
gebildet ist, und durch die amorphe Schicht kein stoffschlüssiger Kontakt mindestens im Bereich der Apertur der
Interdigitalwandler zwischen der Schicht und der elektrisch leitfähigen Schicht realisiert ist.
Aktenzeichen:
Patentamtslink:
DE 10 2012 221 408.9
11224
Aufgerollte, dreidimensionale Feldeffekttransistoren und ihre Verwendung in
der Elektronik, Sensorik und Mikrofluidik
Prioritätsdatum: 30.11.2012
Entwicklungsstand: Machbarkeit erfolgreich erprobt
Die Erfindung bezieht sich auf das Gebiet der Elektrotechnik/Elektronik und betrifft Feldeffekttransistoren, wie sie
beispielsweise in elektronischen Schaltungen oder als Sensorelemente eingesetzt werden können. Die Aufgabe der
vorliegenden Erfindung besteht in der Angabe von aufgerollten, dreidimensionalen Feldeffekttransistoren, die eine
kompakte Bauweise mit geringem Platzbedarf aufzeigen und auch in Schaltkreisen als integratives Bauelement
und/oder als Sensoren in der Mikrofluidik einsetzbar sind. Die Aufgabe wird gelöst durch Feldeffekttransistoren,
die aus mindestens zwei gemeinsam aufgerollten Dünnschichten aus einem Halbleitermaterial und aus einem
elektrisch leitendem Gate-Material bestehen, wobei diese beiden Schichten durch eine oder mehrere
Barriereschichten voneinander getrennt angeordnet sind und dieser aufgerollte Mehrschichtaufbau als
Feldeffekttransistoren in Schaltkreisen und/oder in Mikrofluidsystemen als Sensoren für die Detektion von Fluiden
integriert sind.
Aktenzeichen:
Patentamtslink:
DE 10 2012 221 932.3
Aktenzeichen:
Patentamtslink:
US 14,094,135
11213
Verfahren zur kontrollierten Bewegung von motilen Zellen in flüssigen oder
gasförmigen Medien
Prioritätsdatum: 16.07.2012
Entwicklungsstand: Machbarkeit erfolgreich erprobt
Die Erfindung bezieht sich auf die Gebiete der Werkstoffwissenschaften und der Medizin und betrifft ein
Verfahren, wie es beispielsweise bei der in-vivo- oder in-vitro- Fertilisation angewandt werden kann. Aufgabe der
vorliegenden Erfindung ist es, ein Verfahren anzugeben, mit dem die Aktivität und gesteuerte Mobilität von
motilen Zellen verbessert und die Aufnahme von zellfremden Materialien möglichst verhindert wird. Die Aufgabe
wird gelöst durch ein Verfahren, bei dem eine oder mehrere motile Zellen in oder an ein magnetisches oder
mehrere magnetische Partikel eingebracht oder angebracht werden, und nachfolgend durch Anlegen eines
externen Magnetfeldes die magnetischen Partikel mit den in oder an ihnen eingebrachten oder angebrachten
motilen Zellen gerichtet bewegt werden. Die Aufgabe wird weiterhin gelöst durch die Verwendung des Verfahrens
zur kontrollierten Bewegung von motilen Zellen in flüssigen oder gasförmigen Medien im Körper eines Säugetiers
oder Menschen.
Letzte Aktualisierung am: 02.06.2014
Seite 9 von 35
Mikro-/Nanostrukturen - 3D-Architkturen für Life Science
Aktenzeichen:
Patentamtslink:
PCT/EP2013/064222
http://patentscope.wipo.int/search/en/detail.jsf?docId=WO2014012801&recNum=1&office=&quer
yString=FP%3APCT%2FEP2013%2F064222+&prevFilter=&sortOption=Pub+Date+Desc&maxRec=1
10221
Verfahren zur Herstellung endohedraler Fullerene
Prioritätsdatum: 22.07.2002
Entwicklungsstand: Prototyp vorhanden
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung endohedraler Fullerene in einem Lichtbogenreaktor durch
Abbrennen von Graphitelektroden. Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Herstellung
endohedraler Fullerene in einem Lichtbogenreaktor durch Abbrennen von Graphitelektroden zu schaffen, mit dem
es möglich ist, die Fullerenausbeute wesentlich zu erhöhen. Diese Aufgabe wird mit dem in den Patentansprüchen
dargestellten Verfahren gelöst. Das erfindungsgemäße Verfahren ist dadurch gekennzeichnet, dass das Abbrennen
in einer Atmosphäre durchgeführt wird, die in einem Inertgas oder Inertgasgemisch eine aus mindestens zwei
Elementen bestehende reaktive Gaskomponente enthält. Der Anteil der reaktive Gaskomponente kann dabei bis
zu 60 Vol-% betragen. Vorzugsweise beträgt der Anteil 5 Vol-% bis 10 Vol-%. Nach einer vorteilhaften
Ausgestaltung des Verfahrens wird eine stickstoffhaltige oder eine kohlenstoffhaltige reaktive Gaskomponente
verwendet, wie NH3 oder CH4 oder andere Kohlenwasserstoffe. Die reaktive Gaskomponente kann dem
Lichtbogenreaktor während des Abbrennens von außen zugeführt oder im Lichtbogenreaktor generiert werden.
Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren können Graphitelektroden eingesetzt werden, die mit Metall oder
Metalloxiden modifiziert sind. So können Graphitelektroden eingesetzt werden, die beispielsweise mit Holmium
oder Scandium oder deren Oxide modifiziert sind. Nach einer vorteilhaften Ausgestaltung des erfindungsgemäßen
Verfahrens können auch Graphitelektroden eingesetzt werden, die mit Metall oder Metalloxiden und einer
stickstoffhaltigen Substanz modifiziert sind. Zur Modifikation der Graphitelektroden mit einer stickstoffhaltigen
Substanz kann insbesondere ein Metallcyanamid, vorzugsweise Calciumcyanamid oder Bleicyanamid, verwendet
werden. Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren wird in vorteilhafter Weise eine sehr hohe Fullerenausbeute von
50 bis 95% an endohedralem M3N-Cluster-Fulleren als Hauptprodukt erreicht. Das Verfahren ist mit geringem
Aufwand und in einfacher Weise durchführbar und führt zu reproduzierbaren Ergebnissen. Die auf diese Weise
hergestellten Fullerene können beispielsweise als Kontrastmittel für medizinische Untersuchungen eingesetzt
werden.
Aktenzeichen:
Patentamtslink:
CN 03817398
http://59.151.93.237/sipo_EN/search/detail.do?method=view&parm=16b414c21a2f19d11b2c184
01bed1a6f187219161ad51bed1a301c600e796e231ffc21e2267721dd225421142705270720ca24ce
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Aktenzeichen:
Patentamtslink:
DE 103 01 722.4
http://register.dpma.de/DPMAregister/pat/register?AKZ=103017224&CURSOR=0
Aktenzeichen:
Patentamtslink:
EP 1523450
https://register.epo.org/application?number=EP03787736&tab=main
Aktenzeichen:
Patentamtslink:
JP 4603358
http://www4.ipdl.inpit.go.jp/Tokujitu/tjsogodben.ipdl?N0000=115
Aktenzeichen:
Patentamtslink:
US 10/519,696
http://patft.uspto.gov/netahtml/PTO/search-bool.html
Letzte Aktualisierung am: 02.06.2014
Seite 10 von 35
Mikro-/Nanostrukturen - Fullerene
10903
INTEGRIERTE SCHALTKREISE ENTHALTEND ISOLATIONSMATERIAL UND
DESSEN VERWENDUNG IN INTEGRIERTEN SCHALTKREISEN
Prioritätsdatum: 20.02.2009
Entwicklungsstand: Forschungsgegenstand
Die Erfindung bezieht sich auf die Gebiete der Mikroelektronik und der Materialwissenschaften und betrifft ein
Isolationsschichtmaterial für integrierte Schaltkreise in der Mikroelektronik, welches beispielsweise in integrierten
Schaltkreisen als Isolationsmaterial in Halbleiterbauelementen zur Anwendung kommen kann. Die Aufgabe der
vorliegenden Erfindung besteht in der Angabe eines Isolationsmaterials für integrierte Schaltkreise, welches
Dielektrizitätskonstanten von k ≤ 2 bei gleichzeitig guten mechanischen Eigenschaften aufweist. Die Aufgabe wird
gelöst durch ein Isolationsmaterial für integrierte Schaltkreise, enthaltend mindestens MOFs und/oder COFs.
Aktenzeichen:
Patentamtslink:
EP 2399282
https://register.epo.org/espacenet/application?number=EP10704527
10818
Diagnostisches und/oder therapeutisches Agens, Verfahren zu seiner
Herstellung und Verwendung
Prioritätsdatum: 11.11.2008
Entwicklungsstand: Forschungsgegenstand
Die Erfindung bezieht sich auf die Gebiete der Materialwissenschaften und Medizin und betrifft ein Agens, welches
beispielsweise als Kontrastmittel für die Lokalisierung von Krebszellen zur Anwendung kommen kann. Die Aufgabe
der vorliegenden Erfindung besteht in der Angabe eines Agens, welches sensitiv und selektiv den Ort und die Art
der zu untersuchenden Moleküle oder Zellen erkennt. Die Aufgabe wird gelöst durch ein Agens besteht mindestens
aus BioShuttle-Molekülen, an die über Peptid-basierte Moleküle endohedrale Fullerene gekoppelt sind, wobei die
endohedralen Fullerene hydrophob sind und der Formel A3-xMxZ@C2n entsprechen, mit x = 0 bis 3, n ≥ 34, A
Seltenerden und/oder Transurane, M Metalle, Z Nichtmetalle und C Kohlenstoff bedeuten. Die Aufgabe wird
weiterhin gelöst durch ein Verfahren, bei dem hydrophobe, endohedrale Fullerene mit BioShuttle-Molekülen über
eine irreversibel ablaufende Diels-Alder-Reaktion mit inversem Elektronenbedarf (DARinv) gekoppelt werden.
Aktenzeichen:
Patentamtslink:
DE 10 2008 043 654.2
http://register.dpma.de/DPMAregister/pat/register?AKZ=1020080436542&CURSOR=0
10521
Temperatursensor und Verfahren zu seiner Herstellung
Prioritätsdatum: 27.03.2006
Entwicklungsstand: Forschungsgegenstand
Die Erfindung bezieht sich auf das Gebiet der Physik und betrifft einen Temperatursensor, wie er zur Messung von
Temperaturfeldern angewandt wird. Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Temperatursensor und ein
Verfahren anzugeben, welcher eine höhere Ortsauflösung der Messung realisiert. Gelöst wird die Aufgabe durch
einen Temperatursensor, bestehend aus einem Nanodraht aus einem elektrisch leitenden Material und/oder aus
einer gefüllten oder ungefüllten Nanoröhre, die so an einem Träger elektrisch isolierend befestigt sind, dass sie mit
Ihrer Länge in Richtung des Messortes ausgerichtet sind, wobei die eine elektrische Kontaktierung an eine größere
Wärmekapazität angekoppelt ist, als die andere Kontaktierung. Die Aufgabe wird weiterhin gelöst durch ein
Verfahren, bei dem an oder auf einem Träger ein Nanodraht und/oder eine gefüllte oder ungefüllte Nanoröhre so
isolierend befestigt werden, dass der Nanodraht und/oder die Nanoröhre mit ihrer Längsrichtung in Richtung des
Messortes angeordnet sind und die Thermospannung gemessen wird.
Aktenzeichen:
Patentamtslink:
DE 10 2006 015646.3
http://register.dpma.de/DPMAregister/pat/register?AKZ=1020060156463&CURSOR=0
Aktenzeichen:
Patentamtslink:
EP 2013596
https://register.epo.org/espacenet/application?number=EP07726702
Letzte Aktualisierung am: 02.06.2014
Seite 11 von 35
Mikro-/Nanostrukturen - Nanoröhren für Werkstofftechnik
10616
Verfahren zur Herstellung von ein- oder mehrwandigen, mit einem oder
mehreren Übergangsmetallen beschichteten Kohlenstoff-Nanoröhren
Prioritätsdatum: 28.08.2006
Entwicklungsstand: Machbarkeit erfolgreich erprobt
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, kostengünstig und mit hoher Verfahrensausbeute herstellbare
metallbeschichtete ein- oder mehrwandige Kohlenstoff-Nanoröhren zur Verfügung zu stellen. Eingeschlossen in
diese Aufgabe ist die Entwicklung eines entsprechenden Herstellungsverfahrens. Die erfindungsgemäßen
Kohlenstoff-Nanoröhren sind ein- oder mehrwandig ausgebildet und weisen eine oder mehrere mittels CVD
(Chemical Vapor Deposition) erzeugte Übergangsmetall-beschichtungen auf. Die Beschichtung kann
erfindungsgemäß insbesondere aus Kupfer, Ruthenium, Rhodium, Rhenium, Osmium, Iridium und/oder Palladium
bestehen. Zur Herstellung dieser beschichteten Kohlenstoff-Nanoröhren wird erfindungsgemäß ein nur einstufiger
Prozess durchgeführt, bei dem die Kohlenstoff-Nanoröhren durch Abscheidung aus der Gasphase mittels CVD aus
Precursoren für die Synthese von Kohlenstoff-Nanoröhren und Precursoren für die Beschichtung der KohlenstoffNanoröhren mit Übergangsmetallen in einem Abscheidungsreaktor erzeugt und beschichtet werden. Besonders
vorteilhafte Verwendungen sind nach der Erfindung die Verwendung als nanostrukturierte Katalysatoren in
industriellen chemischen Prozessen, als Katalysatoren für Methanol-Brennstoffzellen, als Kontaktwerkstoff in der
Mikro- und Nanoelektronik und die Verwendung als Füllstoff in Kompositen mit einer Matrix aus Metall, Keramik
oder Polymer.
Aktenzeichen:
Patentamtslink:
DE 10 2006 041 515.9
http://register.dpma.de/DPMAregister/pat/register?AKZ=1020060415159&CURSOR=0
10822
Kältevorrichtung
Prioritätsdatum: 24.09.2008
Entwicklungsstand: Forschungsgegenstand
Die vorliegende Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Kondensation und/oder Adsorption von Gasen
Insbesondere im Hochvakuum, dadurch gekennzeichnet, dass nanostrukturierte Kohlenstoffteilchen, welche
insbesondere mittels CVD-oder Plasma-CVD Verfahren erhalten werden, wärmeleitend mit einem Kältereservoir,
welches insbesondere eine Temperatur von < 20 K aufweist, verbunden sind.
Aktenzeichen:
Patentamtslink:
DE 10 2008 048 789.9
http://register.dpma.de/DPMAregister/pat/register?AKZ=1020080487899&CURSOR=0
10910
Strangförmiges Kompositleitermaterial
Prioritätsdatum: 03.04.2009
Entwicklungsstand: Forschungsgegenstand
Die Erfindung bezieht sich auf das Gebiet der Materialwissenschaften und betrifft ein strangförmiges
Kompositleitermaterial, welches beispielsweise für Stromversorgungsleitungen zum Einsatz kommen kann. Die
Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein strangförmiges Kompositleitermaterial als lange Leiter und
Bänder mit einer hohen Stromtragfähigkeit herzustellen. Die Aufgabe wird gelöst durch ein strangförmiges
Kompositleitermaterial bestehend aus einer Kern-Mantel-Struktur, wobei der Mantel aus einem Matrixmaterial
und Kohlenstoffnanostrukturen besteht, und die Kohlenstoffnanostrukturen mindestens teilweise eine stoffliche
und/oder elektrisch leitende Verbindung zwischen dem Kern und der äußeren Oberfläche des Matrixmaterials
realisieren. Die Aufgabe wird weiterhin gelöst durch ein Verfahren bei dem Kohlenstoffnanostrukturen mit
Verbindung zum Kern hergestellt und die Zwischenräume mit dem Matrixmaterial gefüllt werden.
Aktenzeichen:
Patentamtslink:
DE 10 2009 002 178.7
http://register.dpma.de/DPMAregister/pat/register?AKZ=1020090021787&CURSOR=0
Letzte Aktualisierung am: 02.06.2014
Seite 12 von 35
Mikro-/Nanostrukturen - sonstige
10812
Verfahren zur Herstellung von dotierten Vanadiumoxid-Nanoröhren
Prioritätsdatum: 01.08.2008
Entwicklungsstand: Machbarkeit erfolgreich erprobt
Die Erfindung bezieht sich auf das Gebiet der Werkstoffwissenschaften und betrifft ein Verfahren zur Herstellung
von dotierten Vanadiumoxid-Nanoröhren, die beispielsweise für Sensoren zum Einsatz kommen können. Die
Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht in der Angabe eines Verfahrens, durch das eine deutlich höhere
Ausbeute an dotierten Vanadiumoxid-Nanoröhren erreicht wird. Gelöst wird die Aufgabe durch ein Verfahren, bei
dem M2+V12O30nH2O oder M3+V12O30nH2O mit M = Cr, Mn, Fe, Co, Ni und mit 9 ≤ n ≤ 12 und Amine der
allgemeinen Formel CxHyN mit x = 6- 12, y = 15 -27 in einem Molverhältnis von mindestens 2 : 1 in einem
Lösungsmittel gemischt, nachfolgend Wasser in einem Volumenverhältnis von 1 : 10 zugegeben und alles
mindestens 1 h gemischt wird, nachfolgend die Mischung auf 150 – 220 °C erwärmt und 100 bis 200 h gehalten
und danach abgekühlt, und der Feststoff abfiltriert, gewaschen und getrocknet wird.
Aktenzeichen:
Patentamtslink:
DE 10 2008 040 930.8
http://register.dpma.de/DPMAregister/pat/register?AKZ=1020080409308&CURSOR=0
10826
Verfahren zur Herstellung von großen Vesikeln aus selbstorganisierenden,
membranbildenden Molekülen
Prioritätsdatum: 14.11.2008
Entwicklungsstand: Machbarkeit erfolgreich erprobt
Die Erfindung bezieht sich auf das Gebiet der Biowissenschaften und betrifft ein Verfahren zur Herstellung von
großen Vesikeln aus selbstorganisierenden, membranbildenden Molekülen, wie sie beispielsweise als Lipidvesikel
als Modellsystem in biophysikalischen und biomedizinischen Forschungen zur Untersuchung von z.B. Lipid-ProteinInteraktionen dienen. Die Aufgabe der vorliegenden Lösung besteht in der Angabe eines Verfahrens, das schnell
und effektiv arbeitet und mit dem insbesondere große einschichtige Vesikel aus selbstorganisierenden,
membranbildenden Molekülen hergestellt werden. Die Aufgabe wird gelöst durch ein Verfahren, bei dem auf ein
Substrat, in dem akustische Wellen anregbar sind, mindestens eine Lage aus einer Doppelschicht aus im
Wesentlichen selbstorganisierenden, membranbildenden Molekülen aufgebracht und eingetrocknet wird,
nachfolgend die Einschlussflüssigkeit über die eine Lage positioniert und danach das Substrat zur Entstehung
deformierender akustischer Wellen angeregt wird, bis sich mindestens große Vesikel aus der Doppelschicht mit der
darin eingeschlossenen Einschlussflüssigkeit von der Substratoberfläche ablösen.
Aktenzeichen:
Patentamtslink:
DE 10 2008 043 751.4
http://register.dpma.de/DPMAregister/pat/register?AKZ=1020080437514&CURSOR=0
09312
Verfahren zur Erzeugung von kornorientiertem Elektroband und daraus
hergestellte Magnetkerne
Prioritätsdatum: 01.11.1993
Entwicklungsstand: Machbarkeit erfolgreich erprobt
VerfaHren zur erzeugung von kornorientiertem Elektroband mit in vier Richtungen leichter Magnetisierbarkeit in
der Walzebene, dadurch gekennzeichnet, dass Stahlbrammen mit einem C-Gehalt von < 0,10 % und einem SiGehalt von 0 bis 2 % sowie Gehalten an Al, Mn, S, N, O in den für Elektroband üblichen Konzentrationen auf ca.
1250°C vorgewärmt, in 5 bis 9 Stichen bei geringen Einzelstichabnahmen vorgewalzt und mit einer
Einlauftemperatur von 930°C bis 1100°C sowie einer Endwalztemperatur von 800°C bis 950°C bei Stichabnahmen <
35 % in einer Walzstaffel fertiggewalzt werden. Das so erzeugte Warmband wird ohne Zwangskühlung bei einer
Temperatur > 700°C gehaspelt und nach Abkühlung unter Einhaltung eines Verforrmungsgrades von >86% einer
Kaltverformung unterzogen, der sich eine Zwischenglühung unter neutralem Gas bei 500°C bis 750°C / 0,5 h bis 20
h sowie eine weitere Kaltverformung mit 2 bis 15 % mit nachfolgender schlußglühung bei Temperaturen um 800°C
in wenigstens zeitweise entkohlender Athmosphäre anschließt.
Aktenzeichen:
Patentamtslink:
EP 0651061
https://register.dpma.de/DPMAregister/pat/register?AKZ=E941168692
Letzte Aktualisierung am: 02.06.2014
Seite 13 von 35
Verfahrenstechnik - Herstellung/Präparation
10117
Verfahren zur Herstellung von strangförmigen Produkten aus Magnesium
oder Magnesiumlegierungen
Prioritätsdatum: 24.08.2001
Entwicklungsstand: Machbarkeit erfolgreich erprobt
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von strangförmigen Produkten, wie Drähten, Stäben und
Rohren, aus reinem Magnesium und Magnesiumlegierungen, durch Gleitziehen bei Raumtemperatur. Der
Erfindung liegt die Aufgabe zu Grunde, ein Verfahren zu schaffen, dass die Herstellung von Magnesiumdrähten, stangen und –rohren auf dem Wege des Kaltziehens ermöglicht. Diese Aufgabe wird mit einem Verfahren gelöst,
bei dem erfindungsgemäß die Werkstoffe vor ihrer Umformung einer Oberflächenbearbeitung unterzogen werden,
die eine möglichst geringe Oberflächenrauhigkeit gewährleistet, wobei der Wert der gemittelten Rauhtiefe Rz < 12
µm betragen muss, und bei dem das Kaltziehen unter Anwendung von auf dem Umformgut fest haftenden
Festschmierstoff-Beschichtungen durchgeführt wird.
Aktenzeichen:
Patentamtslink:
EP 1420899
https://register.epo.org/espacenet/application?number=EP02760134
10214
Verfahren zum Festlegen von Referenzmagnetisierungen in Schichtsystemen
Prioritätsdatum: 12.04.2001
Entwicklungsstand: Machbarkeit erfolgreich erprobt
Die Erfindung bezieht sich auf das Gebiet der Werkstofftechnik und betrifft ein Verfahren zum Festlegen von
Referenzmagnetisierungen, welches beispielsweise in Bauelementen in der Magnetsensorik zur Anwendung
kommen könnte. Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung bestehe in der Angabe eines Verfahrens zum Festlegen
von Referenzmagnetisierungen in Schichtsystemen, wobei die Referenzrichtungen hinsichtlich Anzahl und
Raumrichtung beliebig gewählt werden können. Die Aufgabe wird gelöst durch ein Verfahren zur Festlegung von
Referenzmagnetisierungen in Schichtsystemen, bei dem mindestens ein Schichtsystem hergestellt wird, indem eine
hart- und/oder weichmagnetische Schicht geometrisch strukturiert wird und vor oder während oder nach einer
ein- oder mehrstufigen Wärmebehandlung die hart- und/oder weichmagnetische Schicht auf mindestens eine
antiferromagnetische Schicht aufgebracht werden, wobei die Temperaturerhöhung mindestens bis über die
Kopplungstemperatur durchgeführt wird und anschließend das Schichtsystem abgekühlt wird.
Aktenzeichen:
Patentamtslink:
US 10/473,593
http://patft.uspto.gov/netacgi/nphParser?Sect1=PTO2&Sect2=HITOFF&p=1&u=%2Fnetahtml%2FPTO%2Fsearchbool.html&r=1&f=G&l=50&co1=AND&d=PTXT&s1=10,473,593&OS=10,473,593&RS=10,473,593
10315
Verfahren und Vorrichtung zum Ziehen von Einkristallen durch Zonenziehen
Prioritätsdatum: 20.06.2003
Entwicklungsstand: Machbarkeit erfolgreich erprobt
Die Erfindung bezieht sich auf das Gebiet der Materialwissenschaften und betrifft ein Verfahren und eine
Vorrichtung, die beispielsweise für intermetallische Verbindungen oder Halbleiter angewendet werden. Die
Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht in der Angabe eines Verfahrens und einer Vorrichtung, mit dem eine
verbesserte Stabilität des Züchtungsprozesses und eine verbesserte Qualität des Einkristalls sowie eine gezielte,
gut steuerbare Beeinflussung der Form der fest-flüssig Phasengrenze erreicht wird. Gelöst wird die Aufgabe durch
ein Verfahren zum Ziehen von Einkristallen durch Zonenziehen, bei dem die Strömung im Bereich der Schmelze
durch eine elektromagnetisch erzeugte Volumenkraft zur Ausbildung einer in Richtung und Stärke steuerbaren,
radial-meridionalen Strömung angetrieben wird. Die Aufgabe wird weiterhin gelöst durch eine Vorrichtung zum
Ziehen von Einkristallen durch Zonenziehen, bei der über oder unter der Primärspule eine Sekundärspule
Aktenzeichen:
Patentamtslink:
DE 103 28 859.7
http://register.dpma.de/DPMAregister/pat/register?AKZ=103288597&CURSOR=0
Letzte Aktualisierung am: 02.06.2014
Seite 14 von 35
Verfahrenstechnik - Herstellung/Präparation
10507
Verfahren zur Herstellung metallhaltiger Gusskörper und Vorrichtung dafür
Prioritätsdatum: 02.08.2005
Entwicklungsstand: Machbarkeit erfolgreich erprobt
Die Erfindung bezieht sich auf das Gebiet der Materialwissenschaften und betrifft ein Verfahren, wie es
beispielsweise zur Hertstellung von Formkörpern aus metallischen Gläsern zur Anwendung kommen kann. Die
Aufgabe der vorliegenden Erfindung betseht in der Angabe eines Verfahrens und einer Vorrichtung, bei denen
neben hohen Abkühlraten auch eine gute Formausfüllung beim Gießen erreicht wird. Gelöst wird die Aufgabe
durch ein Verfahren, bei dem eine metallhaltige Schmelze in eine elektrisch-leitfähige Gussform eingebracht wird,
wobei während der Einbringung in einer Gussform die metallhaltige Schmelze und die Form mit den Ausgängen der
gleichen Spannungsquelle elektrisch leitend verbunden sind, so dass durch die Grenzschicht zwischen Schmelze
und Form ein voreingestellter Strom fließt. Die Aufgabe wird weiterhin gelöst durch eine Vorrichtung, bei der
zwischen einer metallhaltigen Schmelze und einer elektrisch leitenden Gussform für die Schmelze eine elektrisch
leitende Verbindung zu einer Spannungsquelle besteht.
Aktenzeichen:
Patentamtslink:
DE 10 2005 037 982.6
http://register.dpma.de/DPMAregister/pat/register?AKZ=1020050379826&CURSOR=0
Aktenzeichen:
Patentamtslink:
EP 1 919 645
https://register.epo.org/espacenet/application;jsessionid=AE748CDF1E0411476CC9A2D98D904CF4
.RegisterPlus_prod_0?number=EP06778066&tab=main
Aktenzeichen:
Patentamtslink:
US 8,002,014
http://patft.uspto.gov/netacgi/nphParser?Sect1=PTO2&Sect2=HITOFF&p=1&u=%2Fnetahtml%2FPTO%2Fsearchbool.html&r=1&f=G&l=50&co1=AND&d=PTXT&s1=8002014&OS=8002014&RS=8002014
11208
Zonenschmelz-Vorrichtung und Verfahren zur Modifikation
Prioritätsdatum: 02.05.2012
Entwicklungsstand: Prototyp vorhanden
Eine Zonenschmelz-Vorrichtung (100) umfasst eine Aufnahmeeinheit (110) für einen ersten und einen zweiten
Stab, die entlang einer gemeinsamen vertikalen Achse (200) ausgerichtet sind. Eine Strahlrichteinheit (120) richtet
einen von einer Laserquelle abgegebenen Laserstrahl auf eine Schmelzzone (250) zwischen dem ersten und dem
zweiten Stab aus. Eine Ablenk- oder Positioniereinheit (125, 126) lenkt den Laserstrahl entlang der vertikalen Achse
(200) aus. Dabei wird der Laserstrahl mindestens entlang der vertikalen Achse (200) gemäß einer Nutzervorgabe so
geführt und/oder dessen Leistung so gesteuert, dass ein Energieeintrag entlang der vertikalen Achse (200)
abhängig vom Ort auf der vertikalen Achse (200) ist.
Aktenzeichen:
Patentamtslink:
DE 10 2012 008 679.2
https://register.dpma.de/DPMAregister/pat/register?AKZ=1020120086792
Aktenzeichen:
Patentamtslink:
PCT/EP2013/001233
http://patentscope.wipo.int/search/en/detail.jsf?docId=WO2013164077&recNum=1&docAn=EP20
13001233&queryString=FP:PCT/EP2013/001233%20&maxRec=1
Letzte Aktualisierung am: 02.06.2014
Seite 15 von 35
Verfahrenstechnik - Manipulation
09810
Manipulator zur Positionierung von Proben in Apparaturen und Kammern
Prioritätsdatum: 02.09.1998
Entwicklungsstand: Prototyp vorhanden
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Manipulator zu entwickeln, der eine universelle und präzise
Einstellung der Position einer Probe in den 3 Raumachsen und eine Kühlung der Probe ermöglicht. Diese Aufgabe
ist wie folgt gelöst: a) die Stelleinrichtung zur Azimutdrehung der Probe besteht aus einem Drehstellantrieb, einer
Zahnrad/Zahnstange-Paarung, einem Drehschlitten, einer Stellstange und einem Seilzug, b) zur polaren Drehung
dienen ein Drehstellantrieb, eine Kegelzahnrad-Paarung und ein Halterohr, c) eine dritte Stelleinrichtung besteht
aus einem Drehstellantrieb, einer Zahnrad/Zahnstange-Paarung, einem Drehschlitten, einer Stellstange und einem
Gelenkhebel zur Kippung des Probenträgers, d) es ist eine Kühlvorrichtung vorhanden, bestehend aus einer
rohrförmigen Kühleinrichtung und einem zum Probenträger geführten flexiblen Metallstrang. Der Manipulator
eignet sich insbesondere für die Anwendung in Ultrahochvakuumkammern, in denen Werkstoffproben zu
untersuchen, zu bearbeiten oder zu beschichten sind.
Aktenzeichen:
Patentamtslink:
EP 0983826
https://register.epo.org/espacenet/application?number=EP99116530
10219
Vorrichtung zur Bewegung von Einbauteilen in Vakuumanlagen
Prioritätsdatum: 12.06.2002
Entwicklungsstand: Prototyp vorhanden
Die Erfindung bezieht sich auf das Gebiet des Maschinenbaus und betrifft eine Vorrichtung, wie sie z.B. zum
positionsgenauen Transport von Werkstücken eingesetzt werden kann. Die Aufgabe der Erfindung besteht in der
Angabe einer Vorrichtung, die schnelle Bewegungen in linearer und/oder axialer Richtung auf Einbauteile in
Vakuumanlagen übertragen kann. Die Aufgabe wird gelöst durch eine Vorrichtung, bestehend aus einem Gehäuse
mit einem inneren Raum, der von einem äußeren Raum umgeben und gasdicht von dem inneren Raum
abgeschlossen ist, und in den inneren Raum ein Verbindungselement hineinreicht, welches innerhalb des inneren
Raumes aus einem magnetischen Material besteht und/oder teilweise von einem magnetischen Material umgeben
ist, und im äußeren Raum ebenfalls ein magnetisches Material angeordnet ist, welches über Kraftschluss mit dem
inneren magnetischen Material in Kontakt steht, und das magnetische Material im äußeren Raum bewegbar ist
oder über seinen Umfang eine bewegliche magnetische Orientierung aufweist.
Aktenzeichen:
Patentamtslink:
EP 1387473
https://register.epo.org/espacenet/application?number=EP03400035
10715
VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR ERZEUGUNG EINES RÄUMLICH FREI
ORIENTIERBAREN MAGNETFELDES MITTELS SUPRALEITENDER
DAUERMAGNETEN
Prioritätsdatum: 01.02.2008
Entwicklungsstand: Machbarkeit erfolgreich erprobt
Die Erfindung bezieht sich auf das Gebiet der Werkstoffwissenschaften und betrifft eine Vorrichtung, wie sie
beispielsweise bei der Herstellung von dünnen Schichten angewandt wird. Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung
besteht darin, ein Verfahren und eine Vorrichtung anzugeben, durch die ein frei im Raum orientierbares
Magnetfeld erzeugt und aufrechterhalten wird. Gelöst wird die Aufgabe durch eine Vorrichtung, bestehend aus
einem supraleitenden Dauermagneten, einer Kühlvorrichtung, einer Magnetisierungsvorrichtung, einer
Vorrichtung zur dreiachsigen Translation und dreiachsigen Rotation des Dauermagneten und einer bewegbaren
Probe . Die Aufgabe wird auch gelöst durch ein Verfahren, bei dem ein supraleitender Dauermagnet einem
Magnetfeld ausgesetzt und dabei bis unterhalb seiner Sprungtemperatur abgekühlt und dort gehalten wird, und
danach mittels der Vorrichtung zur dreiachsigen Translation und dreiachsigen Rotation an einen Ort transportiert
wird, von dem das nun permanente Magnetfeld auf die Probe einwirkt.
Aktenzeichen:
Patentamtslink:
DE 10 2008 000 221.6
http://register.dpma.de/DPMAregister/pat/register?AKZ=1020080002216&CURSOR=0
Letzte Aktualisierung am: 02.06.2014
Seite 16 von 35
Verfahrenstechnik - Manipulation
Aktenzeichen:
Patentamtslink:
EP 2238602
https://register.epo.org/espacenet/application?number=EP09707077
10006
Glimmentladungsquelle für die Elementanalytik
Prioritätsdatum: 15.04.2000
Entwicklungsstand: Prototyp vorhanden
Die Erfindung betrifft eine Glimmentladungsquelle für die Elementanalyse an festen Werkstoffproben, die mit
Gleichspannung oder mit gepulster Gleichspannung oder mit HF-Spannung betrieben werden kann. Der Erfindung
liegt die Aufgabe zugrunde, eine Glimmentladungsquelle für die Elementanalyse an festen Werkstoffproben, bei
der zwischen der Werkstoffprobe (4) und einer Anode (1) mittels einer angeschlossenen elektrischen
Spannungsquelle (6) eine Glimmentladung (7) erzeugt wird, so zu gestalten, dass der Blindstrom minimiert und der
über das Kühlwasser fließende Strom nicht mit gemessen wird. Die Aufgabe ist erfindungsgemäß dadurch gelöst,
dass an oder in der Anode (1) oder den mit der Anode elektrisch verbundenen Bauteilen ein
Stromwandlerbauelement (9) zur Erfassung des von der Glimmentladung (7) zur Spannungsquelle (6) fließenden
Stromes angeordnet ist. Die Glimmentladungsquelle kann für die optische Glimmentladungs-Spektroskopie (GDOES) oder die Glimmentladungs-Massenspektroskopie (GD-MS) oder die Sekundär-NeutralteilchenMassenspektroskopie (SNMS) angewandt werden.
Aktenzeichen:
Patentamtslink:
DE 100 19 257
http://register.dpma.de/DPMAregister/pat/register?AKZ=100192572&CURSOR=0
10605
Verfahren zur pyrometrischen Messung der Temperatur des Schmelzgutes in
Einkristallzüchtungsanlagen
Prioritätsdatum: 21.04.2006
Entwicklungsstand: Machbarkeit erfolgreich erprobt
Die Erfindung bezieht sich auf das Gebiet der Messtechnik und betrifft ein Verfahren zur pyrometrischen Messung
der Temperatur des Schmelzgutes in Einkristallzüchtungsanlagen. Aufgabe der Erfindung ist es, ein Verfahren
anzugeben, mit dem unbeeinflusst von anderen Wärmestrahlern die Temperatur des Schmelzgutes ermittelt
werden kann. Gelöst wird die Aufgabe durch ein Verfahren, bei dem der Schmelzbereich mittels Strahlungsquellen,
die mindestens einen IR-Strahlungsanteil enthalten, erwärmt wird, und für eine Temperaturmessungen die
Einwirkung der Strahlungsquellen auf den Schmelzbereich unterbrochen und die Temperaturmessungen
ausschließlich während des Unterbrechungszeitraumes durchgeführt werden, wobei die Unterbrechung
mindestens bis zur t90-Zeit des Pyrometers durchgeführt wird. Die Aufgabe wird weiterhin gelöst durch eine
Vorrichtung, bestehend aus mindestens einer Strahlungsquelle mit mindestens einem IR-Strahlungsanteil,
mindestens einem Pyrometer und mindestens einer Einrichtung zur Unterbrechung der Einwirkungen der
Strahlungsquelle auf den Strahlungsbereich.
Aktenzeichen:
Patentamtslink:
DE 10 2006 019 807.7
http://register.dpma.de/DPMAregister/pat/register?AKZ=1020060198077&CURSOR=0
Aktenzeichen:
Patentamtslink:
EP 2010878
https://register.epo.org/espacenet/application?number=EP07726703
Letzte Aktualisierung am: 02.06.2014
Seite 17 von 35
Verfahrenstechnik - Messung/Charakterisierung von
10711
Verfahren zur Bes;mmung der Viskosität und Elas;zität von
viskoelastischen Medien
Prioritätsdatum: 29.05.2007
Entwicklungsstand: Forschungsgegenstand
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Bestimmung der Viskosität und Elastizität von viskoelastischen
Flüssigkeiten mit Hilfe von akustoelektrischen Resonatoren. Das Verfahren ist beispielsweise in der Medizin bei der
Bestimmung des Gerinnungsverhaltens von Blut anwendbar. Das erfindungsgemäße Verfahren ist durch folgende
Merkmale gekennzeichnet: -als akustoelektrische Resonatoren werden akustoelektrische Eintorresonatoren
verwendet, auf die die viskoelastischen Flüssigkeit aufgebracht wird, -mit den Eintorresonatoren werden die
Frequenz bei maximalem Betrag der Admittanz und die Frequenz bei minimalem Betrag der Admittanz sowie der
Gütefaktor und die Impedanz an diesen Frequenzen erfolgt im Vergleich mit einem hinsichtlich seiner Viskosität
und Elastizität bekannten Referenzzustand, -der Referenzzustand kann sein: -a) eine auf den Eintorresonator
aufgebrachte Referenzflüssigkeit mit bekannter Viskosität und Elastizität -b) die auf den Eintorresonator zum
Zeitpunkt T1 aufgebrachte Messflüssigkeit, sofern sich diese über die Zeit in ihrer Viskosität und Elastizität
verändert, mit ihrer zum Zeitpunkt T1 bekannten Viskosität und Elastizität,
Aktenzeichen:
Patentamtslink:
DE 10 2008 026 008.8
http://register.dpma.de/DPMAregister/pat/register?AKZ=1020080260088&CURSOR=0
10816
Verfahren zur Bestimmung der Viskosität und Elastizität von viskoelastischen
Medien
Prioritätsdatum: 29.05.2008
Entwicklungsstand: Machbarkeit erfolgreich erprobt
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Bestimmung der Viskosität und Elastizität von viskoelastischen Medien mit
Hilfe von akustoelektrischen Resonatoren. Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur
Bestimmung der Viskosität und Elastizität von viskoelastischen Medien mit Hilfe von akustoelektrischen
Resonatoren zu schaffen, das zuverlässig, mit hoher Genauigkeit und mit möglichst geringem technischen Aufwand
in vielen Bereichen anwendbar ist. Erfindungsgemäß wird auf den akustoelektrischen Resonator das
viskoelastische Medium als Messmedium aufgebracht und mit dem Resonator werden im Resonanzgebiet die
Frequenz bei maximalem Betrag der Admittanz (Resonanzfrequenz) und die Frequenz bei minimalem Betrag der
Admittanz (Antiresonanzfrequenz) sowie der Gütefaktor und die Impedanz bei diesen Frequenzen im Vergleich mit
einem hinsichtlich seiner Viskosität und Elastizität bekannten Referenzzustand ermittelt. Dabei werden die
Viskosität und die elastische Scherkonstante des viskoelastischen Messmediums bestimmt, indem durch die
gegenüber einem Referenzzustand bestehende Differenz der Frequenzen bei maximalem Betrag der Admittanz
und die Differenz der Frequenzen bei minimalem Betrag der Admittanz zwei unterschiedliche gemessene
Funktionen von Viskosität und elastischer Scherkonstante des viskoelastischen Mediums gegeben sind, aus denen
Viskosität und elastische Scherkonstante des viskoelastischen Mediums durch Anpassung der berechneten
Differenzen der Resonanz- bzw. Antiresonanzfrequenzen an die gemessenen Differenzen der Resonanz- bzw.
Antiresonanzfrequenzen gegenüber dem Referenzzustand bestimmt werden. Das Verfahren ist beispielsweise zur
Bestimmung der Eigenschaften von technischen Flüssigkeiten und Gelen, wie z.B. Schmierstoffen, Kraftstoffen,
Anstrichstoffen, Lacken, Verdünnungsmitteln usw. anwendbar. Das Verfahren ist aber auch zur Charakterisierung
von biologischen Flüssigkeiten einsetzbar und kann auch zur Charakterisierung dynamischer Vorgänge, wie z.B. bei
der Bestimmung des Gerinnungsverhaltens von Blut angewandt werden.
Aktenzeichen:
Patentamtslink:
DE 10 2008 026 008.8
http://register.dpma.de/DPMAregister/pat/register?AKZ=1020080260088&CURSOR=0
Letzte Aktualisierung am: 02.06.2014
Seite 18 von 35
Verfahrenstechnik - Messung/Charakterisierung von
10817
Verfahren zur Bestimmung der Viskosität und Elastizität von viskoelastischen
Medien
Prioritätsdatum: 29.05.2008
Entwicklungsstand: Forschungsgegenstand
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Bestimmung der Viskosität und Elastizität von viskoelastischen Medien mit
Hilfe von akustoelektrischen Resonatoren. Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur
Bestimmung der Viskosität und Elastizität von viskoelastischen Medien mit Hilfe von akustoelektrischen
Resonatoren zu schaffen, das zuverlässig, mit hoher Genauigkeit und mit möglichst geringem technischen Aufwand
in vielen Anwendungsbereichen durchführbar ist. Das erfindungsgemäße Verfahren ist dadurch gekennzeichnet,
dass a) auf einen akustoelektrischen Resonator, der neben einem am stärksten ausgeprägten Resonanzgebiet N
weitere, in der Frequenz dicht benachbarte, weniger stark ausgeprägte Resonanzgebiete (Nebenmoden) besitzen
kann, das viskoelasbsche Medium als Messmedium aufgebracht wird, danach b)an dem akustoelektrischen
Resonator der Admittanzverlauf in Abhängigkeit von der Frequenz in einem Frequenzbereich von bis zu ± 10% der
Frequenz des am stärksten ausgeprägten Maximums des Admidanzbetrages gemessen wird, und schließlich c) die
Viskosität und die elastische Scherkonstante des Messmediums bestimmt werden, indem die Parameter, darunter
die Viskosität und die elastische Scherkonstante, einer Funktion, welche die elektrische Admittanz des
akustoelektrischen Resonators in Abhängigkeit von der Frequenz beschreibt, optimiert werden, indem die besagte
Funktion iterativ an den gemessenen Admittanzverlauf angepasst wird. Das Verfahren ist beispielsweise zur
Bestimmung der Eigenschaften von technischen Flüssigkeiten und Gelen, wie z.B. Schmierstoffen, Kraftstoffen,
Anstrichstoffen, Lacken, Verdünnungsmitteln usw. anwendbar. Das Verfahren ist aber auch zur Charakterisierung
von biologischen Flüssigkeiten einsetzbar und kann auch zur Charakterisierung dynamischer Vorgänge, wie z.B. bei
der Bestimmung des Gerinnungsverhaltens von Blut angewandt werden.
Aktenzeichen:
Patentamtslink:
DE 10 2008 026 009.6
http://register.dpma.de/DPMAregister/pat/register?AKZ=1020080260096&CURSOR=0
11212
Multikristallanalysatordetektorsystem für 60 keV
Prioritätsdatum: 05.11.2012
Entwicklungsstand: Prototyp vorhanden
Die Erfindung bezieht sich auf die Gebiete der Physik und des Maschinenbaus und betrifft ein MultikristallAnalysator-Detektorsystem (MCAD) für 60 keV (+ 1,5 keV), wie er an einem Synchrotron als Detektor zur Analyse
von Pulvern zum Einsatz
kommen kann. Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht in der Angabe eines Multikristall-AnalysatorDetektorsystems für eine Energie von 60 keV, mit der eine hohe Materialdurchdringung und damit eine erhöhte
Effizienz der Messung realisiert wird. Die Aufgabe wird gelöst durch ein Multikristall-Analysator-Detektorsystem für
60 keV, bestehend mindestens aus Bauelementen auf einem Träger, die ausgehend von der mit einem
Röntgenstrahl durchstrahlten Probe ein erstes Blendensystem, nachfolgend einen ersten Kollimator, danach ein
zweites Blendensystem, gefolgt von Analysatorkristallen und einem zweiten Kollimator und anschließend
Detektoren enthalten, und der Träger auf einem Goniometer positioniert ist und die Detektoren mit
Auswertevorrichtungen verbunden sind.
Aktenzeichen:
Patentamtslink:
DE 10 2012 220 124.6
https://register.dpma.de/DPMAregister/pat/register?AKZ=1020122201246
Letzte Aktualisierung am: 02.06.2014
Seite 19 von 35
Verfahrenstechnik - supraleitende Schwebetechnologie
10003
Vorrichtung zum vertikalen Transportieren von Produkten
Prioritätsdatum: 16.03.2000
Entwicklungsstand: Machbarkeit erfolgreich erprobt
Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum vertikalen Transportieren von Produkten, insbesondere für
Halbleiterwafer und Discs. Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine derartige Vorrichtung so zu gestalten,
dass kein mechanischer Abrieb entstehen kann und mechanische Stöße weitgehend vermieden werden. Diese
Aufgabe ist bei einer Vorrichtung, die eine Lasteinheit und einen Antrieb zur vertikalen Bewegung der Lasteinheit
enthält, erfindungsgemäß dadurch gelöst, dass Lasteinheit und Antrieb durch Anwendung magnetischer Bauteile
reibpaarungsfrei ausgebildet und berührungslos miteinander gekoppelt sind. Hierzu sind magnetisierte
supraleitende Formkörper mit eingefrorenem Magnetfeld vorhanden, die im Zusammenwirken mit vertikalen
Dauermagnetschienen eine magnetische Spurhalteeinrichtung für die Lasteinheit bilden und einen konstanten
Luftspalt zwischen Lasteinheit und Dauermagnetschienen sichern. Die Formkörper sind mit einem Kühlmittel auf
die für den supraleitenden Zustand erforderliche Temperatur gekühlt. Der Antrieb ist mit einem oder mehreren
elektromagnetischen Linearantrieben realisiert.
Die Vorrichtung ist besonders vorteilhaft in Reinräumen für das vertikale Transportieren von Produkten zwischen
unterschiedlichen Ebenen anwendbar.
Aktenzeichen:
Patentamtslink:
EP 1 289 869
http://register.dpma.de/DPMAregister/pat/register?AKZ=E019192152&CURSOR=0
10217
Magnetanordnung für die Aufhängung und Führung schwebender Fahrzeuge
und Transporteinrichtungen
Prioritätsdatum: 24.04.2001
Entwicklungsstand: Prototyp vorhanden
Die Erfindung betrifft eine Magnetanordnung für die Aufhängung und Führung schwebender Fahrzeuge und
Transportsysteme. Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, für schwebende Fahrzeuge und Transportsysteme
eine intrinsisch stabile berührungsfreie magnetische Aufhängung und Führung zu schaffen, die aus einer
Magnetteileanordnung und einer Supraleiteranordnung besteht. Erfindungsgemäß ist die Magnetteileanordnung
mit zumindest einem ihrer Teile mit der Supraleiteranordnung körperlich verbunden und die
Magnetteileanordnung und die Supraleiteranordnung sind zur Aufrechterhaltung eines stabilen Abstandes
zwischen mindestens zwei Magnetteilen unter der Ausnutzung eines im Supraleiter eingefrorenen Magnetfeldes
magnetisch miteinander gekoppelt. Die Magnetanordnung ist insbesondere bei solchen Fahrzeugen und
Transportsystemen anwendbar, die zur Fortbewegung entlang einer Magnetschiene ohne deren Berührung
ausgebildet sind und die damit eine reibungs- und abriebfreie Fortbewegung ermöglichen.
Aktenzeichen:
Patentamtslink:
DE 10218439
http://register.dpma.de/DPMAregister/pat/register?AKZ=102184399&CURSOR=0
Aktenzeichen:
Patentamtslink:
EP 1381531
https://register.epo.org/espacenet/application?number=EP02764045
Aktenzeichen:
Patentamtslink:
US 10/472,619
http://patft.uspto.gov/netacgi/nphParser?Sect1=PTO2&Sect2=HITOFF&p=1&u=%2Fnetahtml%2FPTO%2Fsearchbool.html&r=1&f=G&l=50&co1=AND&d=PTXT&s1=10%2F472,619&OS=10/472,619&RS=10/472,61
9
Letzte Aktualisierung am: 02.06.2014
Seite 20 von 35
Verfahrenstechnik - supraleitende Schwebetechnologie
10321
Einrichtung zur Erzielung von Fahrtrichtungsänderungen für supraleitende
Magnetschwebesysteme
Prioritätsdatum: 02.12.2003
Entwicklungsstand: Machbarkeit erfolgreich erprobt
Die Erfindung betrifft eine Einrichtung zur Erzielung von Fahrtrichtungsänderungen für supraleitende
Magnetschwebe-systeme, nämlich für Fahrzeuge und Transporteinrichtungen die mittels supraleitender Bauteile
über magnetischen Fahrschienen schwebend gehalten und entlang der Fahrschienen bewegt werden. Der
Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einfach gestaltete und zuverlässig funktionierende Einrichtungen zur
Erzielung von Fahrtrichtungsänderungen für supraleitende Magnetschwebe-systeme zu entwickeln.
Erfindungsgemäß weisen die Fahrschienen am Ort der gewollten Fahrtrichtungsänderung eine Unterbrechung auf,
an die sich in Fahrtrichtung zwei oder mehrere Magnetschienenstücke anschließen, wobei a) im Falle
magnetischer Dipole mindestens zwei, zu einem Dipol quer zur Fahrtrichtung versetzte Magnetschienenstücke
vorhanden sind und im Falle gegenpoliger Fahrschienen quer zur Fahrtrichtung versetzte Magnetschienenstücke
um einen halben oder ganzen Abstand zwischen gegenpoligen Schienen verlagert stationär angeordnet und
teilweise magnebsch umpolbar ausgeführt sind, oder wobei b) die Magnetschienenstücke quer zur Fahrtrichtung
seitlich verschiebbar angeordnet sind, oder wobei c) im Falle gegenpoliger Fahrschienen die
Magnetschienenstücke mit den Fahrschienen fluchtend stationär angeordnet sind.
Aktenzeichen:
Patentamtslink:
DE 103 57 264.3
http://register.dpma.de/DPMAregister/pat/register?AKZ=103572643&CURSOR=0
10420
Magnetschwebevorrichtung
Prioritätsdatum: 31.01.2005
Entwicklungsstand: Machbarkeit erfolgreich erprobt
Die Erfindung bezieht sich auf die Gebiete der Magnet- und Supraleiterwerkstoffe und betrifft eine
Magnetschwebevorrichtung, wie sie beispielsweise bei supraleitenden kontaktfreien Transportvorrichtungen oder
linearen oder radialen Schwebelagern zum Einsatz kommen kann. Die Aufgabe der Erfindung besteht in der Angabe
einer Magnetschwebevorrichtung, durch die eine verbesserte Steifigkeit der Spurführung auch beim Be- und
Entladen der Magnetschwebevorrichtungen oder eine stabile Lagerführung erreicht wird. Die Aufgabe wird gelöst
durch eine Magnetschwebevorrichtung, bestehend aus mindestens zwei Supraleiterformkörper mit gespeicherten
Magnetfeldkonfigurationen über einem magnetischen Führweg, wobei die mindestens zwei Supraleiterformkörper
eine bei unterschiedlichem vertikalen Abstand zum Führweg und/oder eine bei unterschiedlicher horizontaler Lage
gegenüber dem Führweg gespeicherte Magnetfeldkonfiguration aufweisen und in einer von ihrer Speicherposition
abweichenden Position über dem Führweg mechanisch gehalten und miteinander verbunden sind.
Aktenzeichen:
Patentamtslink:
CN 2006 800 036 12
http://59.151.93.237/sipo_EN/search/detail.do?method=view&parm=16b414c21a2f19d11b2c184
01bcd1a5f183219661acb1be11a781c4004f928231f5c21aa22572195236c20482755275723ca24be
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5774302408e4423459d47a8469c462346af46c646aa451f460d4b444810
Aktenzeichen:
Patentamtslink:
DE 10 2005 005 706.3
http://register.dpma.de/DPMAregister/pat/register?AKZ=1020050057063&CURSOR=0
Aktenzeichen:
Patentamtslink:
EP 1843913
https://register.epo.org/espacenet/application?number=EP06707879
Aktenzeichen:
Patentamtslink:
JP 2007-552652
http://www4.ipdl.inpit.go.jp/Tokujitu/tjsogodben.ipdl?N0000=115
Aktenzeichen:
Patentamtslink:
US 8,391,936
http://patft.uspto.gov/netacgi/nphParser?Sect1=PTO2&Sect2=HITOFF&p=1&u=%2Fnetahtml%2FPTO%2Fsearchbool.html&r=1&f=G&l=50&co1=AND&d=PTXT&s1=815081&OS=815081&RS=815081
Letzte Aktualisierung am: 02.06.2014
Seite 21 von 35
Werkstoffe - amorphe Metalle
10218
HOCHFESTE, PLASTISCH VERFORMBARE FORMKÖRPER AUS
TITANLEGIERUNGEN
Prioritätsdatum: 30.05.2002
Entwicklungsstand: Machbarkeit erfolgreich erprobt
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, hochfeste und bei Raumtemperatur plastisch verformbare Formkörper
aus Titanlegierungen zu schaffen, die gegenüber den metallischen Gläsern makroskopische Plastizität sowie
Verformungsverfestigung aufweisen, ohne daß dadurch andere Eigenschaften, wie Bruchfestigkeit, elastische
Dehnung oder das Korrosionsverhalten wesentlich beeinträchtigt werden. Die erfindungsgemäßen Formkörper
sind dadurch gekennzeichnet, dass sie aus einem Werkstoff bestehen, der in seiner Zusammensetzung der Formel
Tia E1b E2c E3d E4e entspricht, worin E1 aus einem Element oder mehreren Elementen der mit den Elementen Ta,
Nb, Mo, Cr, W, Zr, V, Hf und Y gebildeten Gruppe besteht, E2 aus einem Element oder mehreren Elementen der
mit den Elementen Cu, Au, Ag, Pd und Pt gebildeten Gruppe besteht, E3 aus einem Element oder mehreren
Elementen der mit den Elementen Ni, Co, Fe, Zn, Mn gebildeten Gruppe besteht und E4 aus einem Element oder
mehreren Elementen der mit den Elementen Sn, Al, Ga, Si, P, C, B, Pb und Sb gebildeten Gruppe besteht, mit a =
100-(b+c+d+e), b = 0 bis 15, c = 10 bis 30, d = 10 bis 30, e = 2 bis 15 (a, b, c, d, e in Atom-%). Die Formkörper
besitzen eine homogene Mikrostruktur, hauptsächlich bestehend aus einer glasartigen oder nanokristallinen
Matrix mit darin eingebetteter duktiler dendritischer kubisch-raumzentrierter (krz)-Phase. Eine dritte Phase kann
mit geringem Volumenanteil vorhanden sein. Derartige Formkörper sind als hochbeanspruchte Bauteile einsetzbar,
z. B. in der Flugzeugindustrie, der Raumfahrt, der Fahrzeugindustrie, aber auch für medizintechnische Geräte und
Implantate im medizinischen Bereich.
Aktenzeichen:
Patentamtslink:
EP 1516069
https://register.epo.org/espacenet/application?number=EP03729896
10226
High-strength beryllium-free moulded body made from zirconium alloys
which may be plastically deformed at room temperature
Prioritätsdatum: 30.08.2001
Entwicklungsstand: Machbarkeit erfolgreich erprobt
Die Erfindung betrifft hochfeste und bei Raumtemperatur plastisch verformbare berylliumfreie Formkörper aus
Zirkonlegierungen. Derartige Formkörper sind einsetzbar als hochbeanspruchte Bauteile z. B. in der
Flugzeugindustrie, der Raumfahrt und der Fahrzeugindustrie, aber auch für medizintechnische Geräte und
Implantate im medizinischen Bereich, wenn hohe Anforderungen an die mechanische Belastbarkeit, die
Korrosionsbeständigkeit und die Oberflächenbeanspruchung insbesondere bei kompliziert geformten Bauteilen
gestellt werden. Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, berylliumfreie hochfeste und plastisch verformbare
Formkörper aus Zirkonlegierungen zur Verfügung zu stellen. Die erfindungsgemäßen Formkörper sind dadurch
gekennzeichnet, dass sie aus einem Werkstoff bestehen, der in seiner Zusammensetzung im wesentlichen der
Formel Zra (E1)b (E2)c (E3)d (E4)e entspricht, worin E1 aus einem oder mehreren Elementen der Gruppe Nb, Ta,
Mo, Cr, W, Ti, V, Hf und Y besteht, E2 aus einem oder mehreren Elementen der Gruppe Cu, Au, Ag, Pd und Pt
besteht, E3 aus einem oder mehreren Elementen der Gruppe Ni, Co, Fe, Zn und Mn besteht und E4 aus einem oder
mehreren Elementen der Gruppe Al, Ga, Si, P, C, B, Sn, Pb und Sb besteht, mit a = 100-(b+c+d+e), b = 5 bis 15, c = 5
bis 15, d = 0 bis 15, e = 5 bis 15 (a, b, c, d, e in Atom-%).
Aktenzeichen:
Patentamtslink:
CN 02816947
http://59.151.93.237/sipo_EN/search/tabSearch.do?method=init
Aktenzeichen:
Patentamtslink:
EP 1423550
https://register.epo.org/application?number=EP02754540&tab=main
Aktenzeichen:
Patentamtslink:
JP 4338515
http://www4.ipdl.inpit.go.jp/Tokujitu/tjsogodben.ipdl?N0000=115
Aktenzeichen:
Patentamtslink:
US 7,300,529
http://patft.uspto.gov/netacgi/nphParser?Sect1=PTO2&Sect2=HITOFF&p=1&u=%2Fnetahtml%2FPTO%2Fsearchbool.html&r=2&f=G&l=50&co1=AND&d=PTXT&s1=7300529&OS=7300529&RS=7300529
Letzte Aktualisierung am: 02.06.2014
Seite 22 von 35
Werkstoffe - amorphe Metalle
11018
Oberflächenstrukturierte metallische Gläser und Verfahren zur Herstellung
Prioritätsdatum: 29.11.2010
Entwicklungsstand: Machbarkeit erfolgreich erprobt
Die Erfindung bezieht sich auf das Gebiet der Materialwissenschaften und betrifft oberflächenstrukturierte
metallische Gläser, wie sie beispielsweise als Gehäusematerialien für Mobiltelefone, Laptops oder USB-Sticks
eingesetzt werden können. Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht in der Angabe von
oberflächenstrukturierten metallischen Gläsern, deren Plastizität unter Druck- und Zugbelastung erhöht ist. Gelöst
wird die Aufgabe durch oberflächenstrukturierte metallische Gläser mit einer oder mehreren Vertiefungen mit
einem Aspektverhältnis von mindestens 1 : > 1 auf mindestens einer seiner Oberflächen. Die Aufgabe wird
weiterhin gelöst durch ein Verfahren, bei dem ein Körper aus einem metallischen Glas hergestellt wird,
nachfolgend wird in mindestens eine der Oberflächen des abgekühlten Körpers mittels eines Werkzeuges mittels
uniaxialem Druck mindestens eine Vertiefung eingebracht.
Aktenzeichen:
Patentamtslink:
DE 10 2010 062 089.0
http://register.dpma.de/DPMAregister/pat/register?AKZ=1020100620890&CURSOR=0
Aktenzeichen:
Patentamtslink:
EP 11788419.7
https://register.epo.org/application?number=EP11788419
10608
Hochfeste, bei Raumtemperatur plastisch verformbare Formkörper aus
Eisenlegierungen
Prioritätsdatum: 17.05.2006
Entwicklungsstand: Machbarkeit erfolgreich erprobt
Die Erfindung bezieht sich auf das Gebiet der Werkstoffwissenschaften und betrifft Formkörper, die als
hochbeanspruchte Bauteile z.B. in der Flugzeugindustrie eingesetzt werden können. Der Erfindung liegt die
Aufgabe zugrunde, Formkörper anzugeben, die gegenüber metallischen Gläsern makroskopische Plastizität
aufweisen. Gelöst wird die Aufgabe durch Formkörper aus Eisenlegierungen, die aus einem Werkstoff gemäß der
Formel Fea E1b E2c E3d E4e bestehen, worin E1 Cr, V, Mn, Co und Ni,E2 Mo, Nb, Zr, Y, Hf, Ti, Ta und W,E3 Sn, Al,
Ga, Pb, E4 Si, P, C und B sind, mit a = 100-(b+c+d+e), b = 1 bis 12, c = 1 bis 12, d = 0 bis 12, e = 1 bis 25, (a, b, c, d, e
in Atom-%), wobei das Gefüge zu 30 – 90 Vol.-% mindestens aus einer mikrokristallinen austenitischen kubisch
flächenzentrierten (kfz) Phase besteht und mindestens eine weitere mikrokristalline Phase enthalten ist.
Aktenzeichen:
Patentamtslink:
DE 10 2006 024 358
http://register.dpma.de/DPMAregister/pat/register?AKZ=1020060243587&CURSOR=0
11009
Hochfeste, bei Raumtemperatur plastisch verformbare und mechanische
Energie absorbierende Formkörper aus Eisenlegierungen
Prioritätsdatum: 24.09.2010
Entwicklungsstand: Machbarkeit erfolgreich erprobt
Die Erfindung bezieht sich auf das Gebiet der Materialwissenschaften und betrifft Formkörper aus
Eisenlegierungen, die als Schneid-, Stanz- und Spaltwerkzeuge, in der Flugzeugindustrie, der Raumfahrt, der
Fahrzeugindustrie und allgemein im Ma-schinen- und Gerätebau, einsetzbar sind. Der Erfindung liegt die Aufgabe
zugrunde, Formkörper aus Eisenlegierungen an-zugeben, die Plastizität und/oder signifikante
Festigkeitssteigerungen bei gleichzeiti-ger vergleichsweise hoher Duktilität aufweisen. Diese Aufgabe wird gelöst
durch Formkörper aus Eisenlegierungen gemäß der Formel Fea E1b E2c E3d E4e, und einem Gefüge mit einer
homogenen Mikrostruktur mit martensitischer und austenitischer Phase und Resten an boridischen und/oder
carbidischen und/oder nitridischen und/oder oxidischen Phasen. Die Aufgabe wird weiterhin gelöst durch ein
Verfahren, bei dem die Legierungsele-mente gemischt, aufgeschmolzen und anschließend in eine Gussform
gegossen und mit einer Geschwindigkeit von > 20 K/s abgekühlt werden.
Aktenzeichen:
Patentamtslink:
EP 11779110.3
https://register.epo.org/espacenet/application?number=EP11779110
Letzte Aktualisierung am: 02.06.2014
Seite 23 von 35
Werkstoffe - hochfeste Eisenlegierungen
11017
Verfahren zur Wärmebehandlung von hochfesten Eisenlegierungen
Prioritätsdatum: 26.11.2010
Entwicklungsstand: Prototyp vorhanden
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf das Gebiet der Materialwissenschaft und betrifft ein Verfahren zur
Wärmebehandlung von hochfesten Eisenlegierungen. Formkörper aus derartigen Eisenlegierungen sind einsetzbar
als Schneid-, Stanz- und Umformwerkzeuge. Die Aufgabe der Erfindung besteht in der Angabe eines Verfahrens zur
Wärmebehandlung von hochfesten Eisenlegierungen, mit dem sowohl die Härte, als auch die Festigkeit unter Zugund Druckbeanspruchungen und die Verformbarkeit der Eisenlegierungen deutlich gesteigert werden können.
Gelöst wird die Aufgabe durch ein Verfahren, bei dem die Legierungselemente gemischt, aufgeschmolzen und
anschließend in eine Gussform mit Abkühlgeschindigkeiten von mindestens 10 K/s gegossen werden, nachfolgend
der Gussformkörper mindestens zweimal unmittelbar nacheinander angelassen wird, wobei die
Anlasstemperaturen zwischen 500 und 600 °C, die Haltezeiten beim Anlassen zwischen 30 Sekunden und 15 min
und die Aufheiz- und Abkühlgeschwindigkeiten mindestens 15 K/min betragen.
Aktenzeichen:
Patentamtslink:
DE 10 2010 062 011
http://register.dpma.de/DPMAregister/pat/register?AKZ=1020100620114&CURSOR=0
10408
Cold-formable mouldings made of titanium-based alloys and their production
processes
Prioritätsdatum: 29.04.2004
Entwicklungsstand: Machbarkeit erfolgreich erprobt
Die Erfindung betrifft kaltumformbare Formkörper aus Titanbasislegierungen. Der Erfindung liegt die Aufgabe
zugrunde, Formkörper auf Titanbasis zu entwickeln, die eine hohe Plastizität und Verformbarkeit bei
Raumtemperatur besitzen und die hochfest, korrosionsbeständig und biokompatibel sind. Diese Aufgabe wird mit
Titanbasislegierungen gelöst, die in ihrer Zusammensetzung der Formel xTi-y(Nb+Ta)-zM entsprechen, worin x =
100-(y+z) Gew.-%, y = 10 bis 50 Gew.-%, z = 1 bis 10 Gew.-% und M mindestens ein Element aus der mit den
Elementen Cr, In, Zr, Ag, Au und Pd gebildeten Gruppe ist, und die ein Gefüge des b-Legierungstyps mit einer
definierten homogenen Mikrostruktur besitzen, welches zu mindestens 92 Volumen-% aus duktilen Dendriten
besteht. Zur Herstellung dieser Formkörper wird eine Schmelze dieser Legierung unter
Raschabkühlungsbedingungen mit einer Abkühlrate im Bereich von 100 bis 1000 K/s abgekühlt. Die Formkörper
sind als Implantate im medizinischen Bereich, aber auch in der Flugzeugindustrie, der Raumfahrt, der
Fahrzeugindustrie, der chemischen Industrie, im allgemeinen Maschinenbau und als Sportgeräte anwendbar.
Aktenzeichen:
Patentamtslink:
EP 1743045
https://register.epo.org/espacenet/application?number=EP05747177
10722
Formkörper aus einem magnesiumhaltigen Verbundwerkstoff und Verfahren
zu seiner Herstellung
Prioritätsdatum: 26.05.2008
Entwicklungsstand: Prototyp vorhanden
Die auf das Gebiet der Materialwissenschaften bezogene Erfindung beschreibt einen Formkörper aus einem
Verbundwerkstoff, der beispielsweise häufig für Bauelemente oder als Konstruktionswerkstoff im Maschinenbau,
Flugzeugbau, Raketenbau, Schiffbau, Bahnbau, Kraftfahrzeugbau eingesetzt wird. Die Aufgabe der vorliegenden
Erfindung besteht in der Angabe eines Formkörpers
aus einem magnesiumhaltigen Verbundwerkstoff, welcher gleichzeitig eine hohe Festigkeit und Duktilität aufweist.
Die Aufgabe wird gelöst durch einen Formkörper, bestehend aus einer Matrix aus Partikeln aus Magnesium
und/oder einer Magnesiumlegierung mit darin fein verteilten Partikeln der b – Phase einer AlMg-Verbindung mit
einer kubischflächenzentrierten
Kristallstruktur (hdp). Die Aufgabe wird weiterhin gelöst durch ein Verfahren, bei dem aus kristallinem Al und MgPulver auf pulvermetallurgischem Wege die b – Phase einer AlMg-Verbindung hergestellt und diese mit
kristallinem Mg-Pulver und/oder einem
Magnesiumlegierungspulver als Matrixmaterial gemischt und wiederum durch pulvermetallurgische Verfahren zu
einer magnesiumhaltigen Verbindung verarbeitet und diese nachfolgend zu einem Formkörper verdichtet wird.
Letzte Aktualisierung am: 02.06.2014
Seite 24 von 35
Werkstoffe - Leichtbau
Aktenzeichen:
Patentamtslink:
DE 10 2008 001 986.0
http://register.dpma.de/DPMAregister/pat/register?AKZ=1020080019860&CURSOR=0
Aktenzeichen:
Patentamtslink:
EP 2128280
https://register.epo.org/espacenet/application?number=EP09160461
10723
Formkörper aus einem aluminiumhaltigen Verbundwerkstoff und Verfahren
zu seiner Herstellung
Prioritätsdatum: 26.05.2008
Entwicklungsstand: Prototyp vorhanden
Die auf das Gebiet der Materialwissenschaften bezogene Erfindung beschreibt einen Formkörper aus einem
Verbundwerkstoff, der beispielsweise für Bauelemente oder als Konstruktionswerkstoff im Maschinenbau,
Flugzeugbau, Raketenbau, Schiffbau, Bahnbau, Kraftfahrzeugbau eingesetzt wird. Die Aufgabe der vorliegenden
Erfindung besteht in der Angabe eines Formkörpers aus einem aluminiumhaltigen Verbundwerkstoff, welcher
gleichzeitig eine hohe Festigkeit und Duktilität aufweist. Gelöst wird die Aufgabe durch einen Formkörper,
bestehend aus einer Matrix aus Partikeln aus Aluminium und/oder aus einer Aluminiumlegierung mit darin fein
verteilten Partikeln der γ – Phase einer AlMg - Verbindung mit einer hexagonalen Kristallstruktur (hcp). Die
Aufgabe wird weiterhin gelöst durch ein Verfahren, bei dem aus kristallinem Al und Mg-Pulver auf
pulvermetallurgischem Wege die γ – Phase einer AlMg- Verbindung hergestellt, diese mit kristallinem Al-Pulver
und/oder ein Aluminiumlegierungspulver als Matrixmaterial gemischt und wiederum durch pulvermetallurgische
Verfahren zu einer aluminiumhaltigen Verbindung verarbeitet und diese nachfolgend zu einem Formkörper
verdichtet wird.
Aktenzeichen:
Patentamtslink:
DE 10 2008 001 987.9
http://register.dpma.de/DPMAregister/pat/register?AKZ=1020080019879&CURSOR=0
Aktenzeichen:
Patentamtslink:
EP 2128281
https://register.epo.org/espacenet/application?number=EP09160462
10832
Verfahren zur Beschichtung der Oberfläche eines magnetischen
Legierungsmaterials sowie ein solches Legierungsmaterial
Prioritätsdatum: 11.12.2008
Entwicklungsstand: Machbarkeit erfolgreich erprobt
Die Erfindung bezieht sich auf das Gebiet der Werkstoffwissenschaften und der Materialphysik und betrifft ein
beschichtetes magnetisches Legierungsmaterial, welches beispielsweise als magnetisches Kühlmaterial für
Kühlzwecke eingesetzt werden kann. Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht in der Angabe eines
beschichteten magnetischen Legierungsmaterials, welches verbesserte mechanische und/oder chemische
Eigenschaften aufweist.Die Aufgabe wird gelöst durch ein magnetisches Legierungsmaterial mit einer
Kristallstruktur vom NaZn13-Typ und eine Zusammensetzung gemäß der Formel RaFe100-a-x-y-zTxMyLz und
dessen Oberfläche mit einem Material, bestehend aus mindesters einem Element von der Gruppe AI, Si, C, Sn, Ti,
V, Cd, Cr, Mn, W, Co, Ni, Cu, Zn, Pd, Ag, Pt, Au oder Kombinationen davon, beschichtet ist. Die Aufgabe wird
weiterhin gelöst durch ein Verfahren, bei dem das magnetische Legierungsmaterial mittels Verfahren aus der
flüssigen Phase beschichtet wird.
Aktenzeichen:
Patentamtslink:
DE 10 2008 054 522
http://register.dpma.de/DPMAregister/pat/register?AKZ=1020080545228&CURSOR=0
Letzte Aktualisierung am: 02.06.2014
Seite 25 von 35
Werkstoffe - Magnetokalorik
10914
Magnetisches Legierungsmaterial und Verfahren zu seiner Herstellung
Prioritätsdatum: 24.04.2009
Entwicklungsstand: Machbarkeit erfolgreich erprobt
Die Erfindung bezieht sich auf das Gebiet der Werkstoffwissenschaften und der Materialphysik und betrifft ein
magnetisches Legierungsmaterial, welches beispielsweise als magnetisches Kühlmaterial (magnetokalorisches
Material) für Kühlzwecke oder für Energieerzeugungzwecke eingesetzt werden kann, und ein Verfahren zu seiner
Herstellung. Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht in der Angabe eines magnetischen
Legierungsmaterials, welches bei vergleichbaren magnetischen und/oder magnetokalorischen Eigenschaften
gegenüber den Materialien des Standes der Technik verbesserte mechanische Eigenschaften aufweist. Die Aufgabe
wird gelöst durch ein magnetisches Legierungsmaterial, welches einen magnetokalorischen Effekt zeigt, und
welches eine schaumartige Struktur mit einer offenen Porosität von mindestens 1 % und/oder einer geschlossenen
Porosität von mindestens 1 % aufweist, oder bei dem Partikel des magnetischen Legierungsmaterials in einem
Matrixmaterial mit einer höheren Duktilität als das magnetische Legierungsmaterial eingebettet sind.
Aktenzeichen:
Patentamtslink:
EP 2422347
https://register.epo.org/espacenet/application?number=EP10718525
10102
Permanentmagnet aus einem supraleitenden keramischen Material
Prioritätsdatum: 16.03.2000
Entwicklungsstand: Machbarkeit erfolgreich erprobt
Die Erfindung betrifft einen Permanentmagnet aus einem supraleitenden keramischen Material.Der Erfindung liegt
die Aufgabe zugrunde, derartige Permanentmagnete so auszubilden, dass eine extrem hohe Remanenzinduktion
von mehr als 10 T bei Temperaturen oberhalb 20 K ohne Schädigung des Materials aufgeprägt werden kann.Diese
Aufgabe wird auf der Basis eines Permanentmagneten aus supraleitendem keramischem Verbundmaterial gelöst,
bei dem in einer hochtexturierten supraleitenden keramischen Matrix mindestens eine nichtsupraleitende
feindisperse Phase enthalten ist, wobei die Matrix aus mindestens einer supraleitenden Phase der
Zusammensetzung REnAEm(Cu1-xMx)3O7+? besteht, mit 1 < n < 1,5 und 2 > m > 1,5 und -0,8 < ? < 0,2 und mit AE
= Ba, Sr und/oder Ca. Die nichtsupraleitende feindisperse Phase ist dabei ein Cuprat der Zusammensetzung
(RE2BaCuO5)a mit a = 1 oder 2. In der Matrix und in der nichtsupraleitenden feindispersen Phase steht RE für die
Elemente aus der Gruppe der Lanthaniden und für Y.Gemäß der Erfindung enthält die supraleitende Phase für M
mindestens eines der Elemente Li, Mg, Zn, Ni und Pd mit 2•10-4 < x < 2•10-2, und in dem Verbundmaterial sind
Einschlüsse aus Ag und/oder Ag-Legierungen verteilt, wobei der Anteil dieser Einschlüsse 2 bis 25 Masse% des
supraleitenden keramischen Verbundmaterials beträgt.
Aktenzeichen:
Patentamtslink:
EP 1143531
https://register.epo.org/espacenet/application?number=EP01106187
Letzte Aktualisierung am: 02.06.2014
Seite 26 von 35
Werkstoffe - sonstige
10218
Hochfeste, plastisch verformbare Formkörper aus Titanlegierungen
Prioritätsdatum: 30.05.2002
Entwicklungsstand: Machbarkeit erfolgreich erprobt
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, hochfeste und bei Raumtemperatur plastisch verformbare Formkörper
aus Titanlegierungen zu schaffen, die gegenüber den metallischen Gläsern makroskopische Plastizität sowie
Verformungsverfestigung aufweisen, ohne daß dadurch andere Eigenschaften, wie Bruchfestigkeit, elastische
Dehnung oder das Korrosionsverhalten wesentlich beeinträchtigt werden. Die erfindungsgemäßen Formkörper
sind dadurch gekennzeichnet, dass sie aus einem Werkstoff bestehen, der in seiner Zusammensetzung der Formel
Tia E1b E2c E3d E4e entspricht, worin E1 aus einem Element oder mehreren Elementen der mit den Elementen Ta,
Nb, Mo, Cr, W, Zr, V, Hf und Y gebildeten Gruppe besteht, E2 aus einem Element oder mehreren Elementen der
mit den Elementen Cu, Au, Ag, Pd und Pt gebildeten Gruppe besteht, E3 aus einem Element oder mehreren
Elementen der mit den Elementen Ni, Co, Fe, Zn, Mn gebildeten Gruppe besteht und E4 aus einem Element oder
mehreren Elementen der mit den Elementen Sn, Al, Ga, Si, P, C, B, Pb und Sb gebildeten Gruppe besteht, mit a =
100-(b+c+d+e), b = 0 bis 15, c = 10 bis 30, d = 10 bis 30, e = 2 bis 15 (a, b, c, d, e in Atom-%). Die Formkörper
besitzen eine homogene Mikrostruktur, hauptsächlich bestehend aus einer glasartigen oder nanokristallinen
Matrix mit darin eingebetteter duktiler dendritischer kubisch-raumzentrierter (krz)-Phase. Eine dritte Phase kann
mit geringem Volumenanteil vorhanden sein. Derartige Formkörper sind als hochbeanspruchte Bauteile einsetzbar,
z. B. in der Flugzeugindustrie, der Raumfahrt, der Fahrzeugindustrie, aber auch für medizintechnische Geräte und
Implantate im medizinischen Bereich.
Aktenzeichen:
Patentamtslink:
JP 4 567 443
http://www4.ipdl.inpit.go.jp/Tokujitu/tjsogodben.ipdl?N0000=115
Aktenzeichen:
Patentamtslink:
KR 1074245
http://www.kipris.or.kr/enghome/main.jsp
10205
MgB2 based Powder for the production of super conductors, method for the
use and production thereof
Prioritätsdatum: 12.03.2001
Entwicklungsstand: Machbarkeit erfolgreich erprobt
Die Erfindung betrifft ein Pulver auf MgB2-Basis zur Herstellung von Supraleitern, Verfahren zu dessen Herstellung
und Anwendung. Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Pulver auf MgB2-Basis zur Herstellung von
Supraleitern zu schaffen, das eine hohe Reaktivität aufweist, so dass es bei deutlich niedrigeren Temperaturen
gesintert und zu massiven Proben mit hoher Dichte, einer hohen supraleitenden Sprungtemperatur und einem
hohen kritischen Strom kompaktiert werden kann. Diese Aufgabe wird dadurch gelöst, dass das Pulver ein
mechanisch legiertes Pulver ist, dessen Pulverteilchen eine mittlere Teilchengröße von d < 250 µm und eine
Substruktur, bestehend aus nanokristallinen Körnern in den Abmessungen < 100 nm, besitzen. Zur Herstellung des
erfindungsgemäßen Pulvers wird eine Pulvermischung, bestehend aus Mg-Pulverteilchen und B-Pulverteilchen, bis
zum Erreichen einer mittleren Teilchengröße von d < 250 µm und der Bildung einer Pulverteilchensubstruktur,
bestehend aus nanokristallinen Körnern in den Abmessungen < 100 nm, mittels mechanischem Legieren
zerkleinert. Das mechanische Legieren kann unter Schutzgas oder in Luft und/oder unter Anwesenheit der
gasförmigen Elemente H, N, O und/oder F durchgeführt werden. Nach dem mechanischen Legieren wird im Falle
des Vorliegens eines nur partiell legierten Pulvers das Pulver einer Wärmebehandlung unterworfen.
Aktenzeichen:
Patentamtslink:
EP 1373162
https://register.epo.org/espacenet/application?number=EP02722008
Letzte Aktualisierung am: 02.06.2014
Seite 27 von 35
Werkstoffe - Supraleiter
10207
Verfahren zur Herstellung von supraleitenden Drähten und Bändern auf Basis
der Verbindung MgB2
Prioritätsdatum: 22.03.2001
Entwicklungsstand: Machbarkeit erfolgreich erprobt
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren anzugeben, mit dem die technische Herstellung langer, mit
hohen Stromdichten belastbarer supraleitender Drähte und Bänder auf der Basis von MgB2 möglich ist. Das
Verfahren basiert auf der an sich bekannten Pulver-im-Rohr-Technologie, bei der ein Verbund, der aus einem
Hüllrohr aus normalleitendem Material und einem darin enthaltenen Pulver einer Supraleiterverbindung oder
eines Vorproduktes dieser Verbindung besteht, durch Umformungs- und Wärmebehandlungsschritte zum
supraleitenden Draht oder Band verarbeitet wird. Erfindungsgemäß wird der Verarbeitung ein Verbund zugeführt,
der in dem Hüllrohr eine pulverförmige supraleitende MgB2-Verbindung oder ein pulverförmiges Vorprodukt für
eine supraleitende MgB2-Verbindung enthält, wobei das pulverförmig Vorprodukt als ein mechanisch legiertes
Pulver, das nur partiell zu einer MgB2-Verbindung reagiert ist, oder als Pulvermischung, die aus den
Einzelkomponenten der gewünschten MgB2-Verbindung besteht, in das Hüllrohr eingebracht worden ist. Mit dem
erfindungsgemäßen Verfahren sind supraleitende Bänder und Drähte auf Basis der Verbindung MgB2 im
großtechnischen Maßstab herstellbar, die sich besonders als Supraleiter für Anwendungen in der Energietechnik
eignen.
Aktenzeichen:
Patentamtslink:
DE 102 11 538
http://register.dpma.de/DPMAregister/pat/register?AKZ=102115389&CURSOR=0
Aktenzeichen:
Patentamtslink:
JP 2002-76878
http://www4.ipdl.inpit.go.jp/Tokujitu/tjsogodben.ipdl?N0000=115
10229
Hochtemperatursupraleitendes Bauteil und Verfahren zu dessen Herstellung
Prioritätsdatum: 06.09.2002
Entwicklungsstand: Machbarkeit erfolgreich erprobt
Die Erfindung betrifft ein hochtemperatursupraleitendes Bauteil und ein Verfahren zu dessen Herstellung. Das
Bauteil kann in den verschiedensten geometrischen Formen ausgeführt sein. Der Erfindung liegt die Aufgabe
zugrunde, ein hochtemperatur-supraleitendes massives Bauteil mit sehr guten, reproduzierbaren elektrischen und
magnetischen Eigenschaften zu entwickeln. Eingeschlossen ist die Entwicklung eines dementsprechenden
Herstellungsverfahrens. Das erfindungsgemäße Bauteil ist dadurch gekennzeichnet, dass die zwischen
Supraleitersegmenten herstellungsbedingt entstandenen kohärenten Korngrenzen entfernt und durch ein
weiteres, artgleiches Supraleitermaterial ersetzt sind, welches einen niedrigeren Schmelzpunkt als das
Segmentmaterial hat. Zur Herstellung solcher Bauteile wird zunächst mittels Schmelzkristallisation unter Auflegen
von Keimkristallen ein aus Supraleitersegmenten bestehender Körper hergestellt und danach werden die zwischen
den Segmenten vorhandenen kohärenten Korngrenzen entfernt. An deren Stelle wird ein weiteres, artgleiches
Supraleitermaterial eingebracht und danach wird der Körper einer Schmelzkristallisationsbehandlung unterworfen.
Abschließend wird eine Oxidationsbehandlung durchgeführt. Derartige Bauteile können insbesondere in der
Energie-, der Antriebs- und der Transporttechnik angewandt werden.
Aktenzeichen:
Patentamtslink:
EP 1513204
https://register.epo.org/espacenet/application;jsessionid=F241C87A89496DAA2814D9036DA932E
5.RegisterPlus_prod_0?number=EP03400052&tab=main
Letzte Aktualisierung am: 02.06.2014
Seite 28 von 35
Werkstoffe - Supraleiter
10306
Hochtemperatursupraleitender Körper und Verfahren zu dessen Herstellung
Prioritätsdatum: 19.02.2003
Entwicklungsstand: Machbarkeit erfolgreich erprobt
Die Erfindung betrifft einen hochtemperatursupraleitenden Körper und ein Verfahren zu dessen Herstellung. Der
Körper enthält die supraleitende Verbindung vom Typ REMe2Cu3O7 oder besteht aus dieser und ist mit einem
Schmelztexturierungsprozess hergestellt. Erfindungsgemäß enthält der Körper zusätzlich eines oder mehrere der
chemischen Elemente aus einer mit Ru, Ir und Rh gebildeten Gruppe A und zusätzlich eines oder mehrere der
chemischen Elemente aus einer mit Zn, Li, Ni und Pd gebildeten Gruppe B. Dabei ist die molare Menge n des
Zusatzes der Gruppe A je 1 Mol REMe2Cu3O7 mit 0,01 < n < 0,3 und die molare Menge m des Zusatzes der Gruppe
B je 1 Mol REMe2Cu3O7 mit 0,001 < m < 0,1 gewählt. Gemäß einem weiteren Erfindungsmerkmal besteht der
schmelztexturierte Körper aus einer supraleitenden Matrix, in der neben einem oder mehreren Elementen der
Gruppe B noch Bereiche enthalten sind, die eines oder mehrere Elemente der Gruppe A konzentriert enthalten.
Diese Bereiche liegen als elongierte Partikel, als lamellenartig ausgebildete Zonen oder als granulare Einschlüsse
vor. Der Körper kann in den verschiedensten geometrischen Formen ausgeführt sein, beispielsweise als
ringförmiges Bauteil mit quadratischem oder rechteckigem Querschnitt, als kreisscheibenförmiges Bauteil, als
quaderförmiges Bauteil oder als Schicht auf einer Unterlage. Derartige Bauteile können insbesondere in der
Energie-, der Antriebs- und der Transporttechnik angewandt werden.
Aktenzeichen:
Patentamtslink:
DE 103 07 643
http://register.dpma.de/DPMAregister/pat/register?AKZ=103076433&CURSOR=0
10331
Hochtemperatursupraleitender Körper und Verfahren zu dessen Herstellung
Prioritätsdatum: 10.12.2003
Entwicklungsstand: Machbarkeit erfolgreich erprobt
Die Erfindung betrifft einen hochtemperatursupraleitenden Körper und ein Verfahren zu dessen Herstellung. Der
Körper kann in den verschiedensten geometrischen Formen ausgeführt sein, beispielsweise als ringförmiges
Bauteil mit quadratischem oder rechteckigem Querschnitt, als kreisscheibenförmiges Bauteil, als quaderförmiges
Bauteil oder als Schicht auf einer Unterlage. Derartige Bauteile können insbesondere in der Energie-, der Antriebsund der Transporttechnik angewandt werden.
Aktenzeichen:
Patentamtslink:
DE 103 59 131
http://register.dpma.de/DPMAregister/pat/register?AKZ=103591311&CURSOR=0
10814
Elektrisch leitfähiger Hochtemperatur-Supraleiter-Schichtaufbau und
Verfahren zu seiner Herstellung
Prioritätsdatum: 02.07.2008
Entwicklungsstand: Forschungsgegenstand
Die Erfindung bezieht sich auf das Gebiet der Werkstoffwissenschaften und betrifft einen elektrisch leitfähigen
Hochtemperatur-Supraleiter-Schichtaufbau, wie sie beispielsweise als hochstromtragender Leiter zur Anwendung
kommen kann. Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht in der Angabe eines elektrisch leitfähigen
Hochtemperatur-Supraleiter-Schichtaufbaus, bei dem im Falle von Überlast der Strom über den Schichtaufbau und
das Substrat abgeleitet werden Gelöst wird die Aufgabe durch einen elektrisch leitfähigen HochtemperaturSupraleiter-Schichtaufbau bestehend aus einem Substrat, mindestens einer darauf befindlichen Keimschicht, auf
der mindestens eine mittels des IBAD-Verfahrens aufgebrachte Schicht vorhanden ist, auf der wiederum
mindestens eine Barriereschicht und darauf wiederum mindestens eine Hochtemperatur-Supraleiter-Schicht
vorhanden sind.Die Aufgabe wird weiterhin gelöst durch ein Verfahren zur Herstellung eines elektrisch leitfähigen
Hochtemperatur-Supraleiter-Schichtaufbaus, bei dem auf einem Substrat mindestens eine Keimschicht, darauf
mittels des IBAD-Verfahrens mindestens eine Schicht aufgebracht wird, auf die nachfolgend mindestens eine
Barriereschicht und nachfolgend mindestens ein Hochtemperatur-Supraleiter-Schicht aufgebracht wird.
Aktenzeichen:
Patentamtslink:
DE 10 2008 040 087.4
http://register.dpma.de/DPMAregister/pat/register?AKZ=1020080400874&CURSOR=0
Letzte Aktualisierung am: 02.06.2014
Seite 29 von 35
Werkstoffe - texturierte Substrate für Supraleiter
10002
Metallischer Werkstoff auf Nickelbasis und Verfahren zu dessen Herstellung
Prioritätsdatum: 03.04.1999
Entwicklungsstand: Machbarkeit erfolgreich erprobt
Der auf Basis der vorliegenden Erfindung hergestellte Werkstoff besitzt im Vergleich zu technisch reinem Nickel
eine höhergradige und thermisch stabilere Würfeltextur und ist als Unterlage für physikalisch-chemische
Beschichtungen mit hochgradiger mikrostruktureller Ausrichtung einsetzbar, beispielsweise für HochtemperaturSupraleiter oder Blattmagnetkerne. Der Werkstoff weist eine Rekristallisationswürfeltextur auf und besteht aus
einer Nickellegierung mit der Zusammensetzung Nia (Mob,Wc)d Me, worin M für ein oder mehrere Metalle mit
Ausnahme von Ni, Mo oder W steht, mit a = 100 – (d + e), (d + e) = 50, b = 0 – 12, c = 0 – 12, d = (b + c) = 0,01 - 12,
e = 0 – 49,9, - jeweils in Atom-% - und mit gegebenenfalls enthaltenen geringen herstellungstechnisch bedingten
Verunreinigungen. Zur Herstellung wird zunächst auf schmelzmetallurgischem oder pulvermetallurgischem Wege
oder durch mechanisches Legieren eine Legierung der genannten Zusammensetzung hergestellt und diese mit
einer Warmumformung sowie einer nachfolgenden hochgradigen Kaltumformung zu Band verarbeitet. Dieses wird
in reduzierender oder nichtoxidierender Atmosphäre einer rekristallisierenden Glühung unterworfen.
Aktenzeichen:
Patentamtslink:
CN 00805616.1
http://59.151.93.237/sipo_EN/search/tabSearch.do?method=init
Aktenzeichen:
Patentamtslink:
DE 100 05 861
http://register.dpma.de/DPMAregister/pat/register?AKZ=100058612&CURSOR=0
Aktenzeichen:
Patentamtslink:
JP 2000-609620
http://www4.ipdl.inpit.go.jp/Tokujitu/tjsogodben.ipdl?N0000=115
10020
Verfahren zur Herstellung metallischer Bänder
Prioritätsdatum: 07.12.2000
Entwicklungsstand: Machbarkeit erfolgreich erprobt
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung metallischer Bänder aus Ni, Cu, Ag oder deren Legierungen für
die epitaktische Beschichtung mit einer biaxial texturierten Schicht. Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein
in der Durchführung unproblematisches Verfahren zur Herstellung besonders hochfester derartiger Bänder zu
schaffen. Erfindungsgemäß wird zunächst eine Legierung hergestellt, die aus Ni, Cu, Ag oder deren Legierungen
und 0,2 bis 5 Atom-% eines Zusatzes aus oxidierbaren, nitridierbaren, boridierbaren und/oder karbidierbaren
Elementen besteht. Diese wird zu einem Band gewalzt, das danach zur Ausbildung einer Würfeltextur einer
Rekristallisationsglühung unterworfen wird. Schließlich wird das Band einer Glühung unter einem Sauerstoff-,
Stickstoff-, Bor- oder Kohlenstoffpartialdruck ausgesetzt, der oberhalb des Gleichgewichtspartialdrucks der Oxide,
Nitride, Boride und Karbide der in der Legierung enthaltenen Zusatzelemente jedoch unterhalb des
Gleichgewichtspartialdrucks von Oxiden, Nitriden, Boriden und Karbiden der Grundelemente Ni, Cu und Ag der
Bandlegierung liegt. Derartige Bänder können beispielsweise als Trägerband für die Abscheidung biaxial
texturierter Schichten aus YBa2Cu3Ox-Hochtemperatur-Supraleitermaterial verwendet werden.
Aktenzeichen:
Patentamtslink:
DE 100 61 398
http://register.dpma.de/DPMAregister/pat/register?AKZ=100613985&CURSOR=0
Letzte Aktualisierung am: 02.06.2014
Seite 30 von 35
Werkstoffe - texturierte Substrate für Supraleiter
10021
Metallband, bestehend aus einem Schichtverbund, und Verfahren zu dessen
Herstellung
Prioritätsdatum: 07.12.2000
Entwicklungsstand: Forschungsgegenstand
Die Erfindung betrifft ein Metallband, bestehend aus einem Schichtverbund, für die epitaktische Beschichtung mit
einer biaxial texturierten Schicht, und ein Verfahren zu dessen Herstellung. Der Erfindung liegt die Aufgabe
zugrunde, ein Metallband zur epitaktischen Beschichtung mit einer biaxial texturierten Schicht zu schaffen, das
eine hohe Zugfestigkeit, geringe magnetische Verluste und/oder eine hohe elektrische Leitfähigkeit aufweist.
Eingeschlossen ist die Schaffung eines geeigneten Herstellungsverfahrens. Die Aufgabe ist mit einem aus einem
Schichtverbund bestehenden Metallband gelöst, bei dem erfindungsgemäß die Schichten des Verbundes aus Ni,
Cu, Ag oder deren Legierungen als Basiswerkstoff bestehen, wobei wenigstens eine der Schichten des Verbundes
10 nm bis 5 µm große, festigkeitssteigernde Dispersoide aus Carbiden, Boriden, Oxiden und/oder Nitriden mit
einem Volumenanteil von 0,1 bis 5 % enthält und die für die epitaktische Beschichtung bestimmte Schicht
dispersoidfrei ist und eine biaxiale Textur aufweist. Gemäß dem erfindungsgemäßen Herstellungsverfahren werden
die festigkeitssteigernden Dispersoide erst nach der Endumformung des Verbundes gebildet. Derartige Bänder
können beispielsweise als Trägerband für die Abscheidung biaxial texturierter Schichten aus YBa2Cu3OxHochtemperatur-Supraleitermaterial verwendet werden.
Aktenzeichen:
Patentamtslink:
US 6,908,691
http://patft.uspto.gov/netacgi/nphParser?Sect1=PTO2&Sect2=HITOFF&p=1&u=%2Fnetahtml%2FPTO%2Fsearchbool.html&r=1&f=G&l=50&co1=AND&d=PTXT&s1=6908691&OS=6908691&RS=6908691
10114
VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG METALLISCHER BÄNDER
Prioritätsdatum: 30.08.2001
Entwicklungsstand: Machbarkeit erfolgreich erprobt
Der Erfindung liegt die Aufgabe zu Grunde, ein Verfahren zur Herstellung von metallischen Bändern mit
hochgradiger Würfeltextur zu entwickeln, das im Vergleich zur üblichen Walzumformung bei geringeren
Gesamtumformgraden eine qualitativ gleichwertige Rekristallisations-Würfellage beim anschließenden
Glühprozess ermöglicht, bzw. das bei vergleichbaren Gesamtumformgraden eine qualitativ bessere Würfeltextur
erzeugt. Diese Aufgabe wird mit einem Umformverfahren gelöst, das erfindungsgemäß aus der Umformung der
metallischen Werkstoffe durch Anwendung des Walzziehens durch frei drehbare Rollen besteht, wobei die
Würfeltextur während der sich anschließenden Rekristallisationsglühung entsteht.Das Verfahren ist grundsätzlich
auf alle metallischen Werkstoffe anwendbar, die nach Kalt- oder auch Warmumformung und sich daran
anschließende Rekristallisation zur Ausbildung der Würfeltextur neigen. Hierzu zählen die metallischen Werkstoffe
mit kubisch-flächenzentriertem Gitter, wie Nickel, Kupfer, Gold und unter besonderen Bedingungen auch Silber
sowie ein Teil ihrer Legierungen. Beispielsweise sind die erfindungsgemäß hergestellten Bänder als
Beschichtungsunterlage zur Herstellung bandförmiger Hochtemperatur-Supraleiter einsetzbar.
Aktenzeichen:
Patentamtslink:
CN 02816977
http://59.151.93.237/sipo_EN/search/detail.do?method=view&parm=16b414c21a2f19d11b2c184
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Aktenzeichen:
Patentamtslink:
EP 1420900
https://register.epo.org/espacenet/application;jsessionid=F8633C2D43588F95E80E8E5B662BF36B.
RegisterPlus_prod_1?number=EP02767131&tab=main
Aktenzeichen:
Patentamtslink:
JP 2003-528326
http://patentscope.wipo.int/search/en/detail.jsf?docId=WO2003024637&recNum=10&office=&qu
eryString=FP%3A%28Method+for+producing+metallic+strips%29+AND+IN%3AEickemeyer+&prevFil
ter=&sortOption=Pub+Date+Desc&maxRec=10
Letzte Aktualisierung am: 02.06.2014
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Werkstoffe - texturierte Substrate für Supraleiter
Aktenzeichen:
Patentamtslink:
KR 2004-7002759
http://www.kipris.or.kr/enghome/main.jsp
Aktenzeichen:
Patentamtslink:
US 10/487,382
http://patft.uspto.gov/netacgi/nphParser?Sect1=PTO2&Sect2=HITOFF&p=1&u=%2Fnetahtml%2FPTO%2Fsearchbool.html&r=1&f=G&l=50&co1=AND&d=PTXT&s1=10,487,382&OS=10,487,382&RS=10,487,382
10118
Trägermaterial auf Nickelbasis und Verfahren zu dessen Herstellung
Prioritätsdatum: 21.09.2001
Entwicklungsstand: Machbarkeit erfolgreich erprobt
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Trägermaterial auf Nickelbasis und ein Verfahren zu dessen
Herstellung zu schaffen, das aus einem Halbzeug aus einem Nickelbasis-Werkstoff mit einer darauf vorhandenen
Nickeloxidschicht besteht, die als hochwirksame Diffusionsbarriere dient und die ein hochgradig mikrostrukturell
ausgerichtetes Gefüge in nachfolgend epitaktisch abgeschiedenen Schichten bewirkt. Diese Aufgabe ist nach der
Erfindung mit einem Trägermaterial gelöst, bei dem die Nickeloxidschicht in der Schichtausdehnung zu 90 bis 100%
ein Gefüge aufweist, das exakt nach (100) orientiert ist und das aus einem Einkristall oder aus großen Körnern mit
einer Korngröße von mindestens 20 µm besteht. Zur Herstellung wird ein texturiertes Ni-Basis-Halbzeug mit einer
lateralen Orientierung von < 10°, einer Korngröße im Bereich von 5 µm bis 50 µm und einer Oberflächenrauhigkeit
von < 20 nm oxidiert, wobei bei der Oxidation ein Oxidationsstart unterhalb von 1000°C durch eine rasche
Aufheizung vermieden wird. Das Trägermaterial ist insbesondere für die Herstellung von bandförmigen
Hochtemperatur-Supraleitern geeignet
Aktenzeichen:
Patentamtslink:
EP 1295971
https://register.epo.org/espacenet/application?number=EP02020106
10123
Metallband für epitaktische Beschichtungen und Verfahren zu dessen
Herstellung
Prioritätsdatum: 02.01.2002
Entwicklungsstand: Machbarkeit erfolgreich erprobt
Die Erfindung betrifft ein aus einem Schichtverbund bestehendes Metallband für epitaktische Beschichtungen und
ein Verfahren zu dessen Herstellung. Derartige Bänder können beispielsweise vorteilhaft als Trägerband für die
Abscheidung biaxial texturierter Schichten aus YBa2Cu3Ox-Hochtemperatur-Supraleitermaterial verwendet
werden. Derartige Supraleiter eignen sich besonders für Anwendungen in der Energietechnik. Der Erfindung liegt
die Aufgabe zugrunde, ein Metallband für epitaktische Beschichtungen zu schaffen, das eine besonders hohe
Festigkeit aufweist. Eingeschlossen in die Aufgabe ist die Entwicklung eines Verfahrens, welches eine technologisch
unproblematische Herstellung solcher hochfester Metallbänder ermöglicht. Die Aufgabe wird mit einem aus einem
Schichtverbund bestehenden Metallband dadurch gelöst, dass der Schichtverbund aus mindestens einer biaxial
texturierten Basisschicht der Metalle Ni, Cu, Ag oder deren Legierungen und mindestens einer weiteren
metallischen Schicht besteht, wobei die einzelnen weiteren metallischen Schichten aus einer oder mehreren
intermetallischen Phasen oder aus einem Metall bestehen, in dem eine oder mehrere intermetallische Phasen
enthalten sind. Zur Herstellung solcher Metallbänder beinhaltet die Erfindung ein Verfahren, bei dem zunächst ein
Schichtverbund erzeugt wird, der aus mindestens einer für eine biaxiale Texturierung geeigneten Schicht der
Metalle Ni, Cu, Ag oder deren Legierung und mindestens einer weiteren metallischen Schicht besteht. In den
weiteren metallischen Schichten muss dabei wenigstens ein Element enthalten sein, das mit den Elementen der
zur biaxialen Texturierung geeigneten Schichten intermetallische Phasen bilden kann. Danach wird dieser
Schichtverbund mit einem Umformgrad von mindestens 90% zu einem Band gewalzt. Schließlich werden mittels
Wärmebehandlung des Bandes zwischen 300°C und 1100°C die gewünschte Textur in den für eine biaxiale
Texturierung geeigneten Schichten und in den weiteren Schichten durch Interdiffusion über die Grenzflächen der
verbundenen Schichten intermetallische Phasen ausgebildet.
Aktenzeichen:
Patentamtslink:
CN 02826653
http://59.151.93.237/sipo_EN/search/tabSearch.do?method=init
Letzte Aktualisierung am: 02.06.2014
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Werkstoffe - texturierte Substrate für Supraleiter
Aktenzeichen:
Patentamtslink:
EP 1 485 523
https://register.epo.org/application;jsessionid=548972E1514154E64DD2CE3A1285E57F.RegisterPlu
s_prod_1?number=EP02799711&tab=main
Aktenzeichen:
Patentamtslink:
JP 2003-560279
http://www4.ipdl.inpit.go.jp/Tokujitu/tjsogodben.ipdl?N0000=115
Aktenzeichen:
Patentamtslink:
DE 102 00 445
http://www.kipris.or.kr/enghome/main.jsp
10323
Halbzeug auf Nickelbasis mit einer Rekristallisations-würfeltextur und
Verfahren zu dessen Herstellung
Prioritätsdatum: 10.09.2003
Entwicklungsstand: Machbarkeit erfolgreich erprobt
Die Erfindung betrifft ein Halbzeug auf Nickelbasis mit einer Rekristallisationswürfeltextur und ein Verfahren zu
dessen Herstellung. Das Halbzeug ist beispielsweise einsetzbar als Unterlage für physikalisch-chemische
Beschichtungen mit hochgradiger mikrostruktureller Ausrichtung. Solche Unterlagen sind zum Beispiel als
Substrate für keramische Beschichtungen geeignet, wie sie auf dem Gebiet der Hochtemperatur-Supraleitung
angewendet werden. Der Einsatz erfolgt in diesem Fall in supraleitenden Magneten, Transformatoren, Motoren,
Tomographen oder supraleitenden Strombahnen. Der Erfindung liegt die Aufgabe zu Grunde, ein Halbzeug auf
Nickelbasis zu entwickeln, das verbesserte Gebrauchseigenschaften bei der Verwendung als Unterlage für
physikalisch-chemische Beschichtungen mit hochgradiger mikrostruktureller Ausrichtung besitzt. Insbesondere soll
das Halbzeug eine höhergradige, thermisch stabilere Würfeltextur aufweisen und es soll die Bildung von
Korngrenzengräben weitestgehend vermieden sein. Diese Aufgabe wird dadurch gelöst, dass der Werkstoff des
Halbzeugs einen Ag-Zusatz im Mikrolegierungsbereich enthält, wobei der Ag-Zusatz maximal 0,3 Atom-% beträgt.
Das Halbzeug ist beispielsweise einsetzbar als Unterlage für physikalisch-chemische Beschichtungen mit
hochgradiger mikrostruktureller Ausrichtung.
Aktenzeichen:
Patentamtslink:
CN 200480025951
http://59.151.93.237/sipo_EN/search/tabSearch.do?method=init
Aktenzeichen:
Patentamtslink:
DE 103 42 965.4
http://register.dpma.de/DPMAregister/pat/register?AKZ=103429654&CURSOR=0
Aktenzeichen:
Patentamtslink:
EP 1664361
https://register.epo.org/espacenet/application;jsessionid=DF5B297FABEB51100789FE2D08365769.
RegisterPlus_prod_0?number=EP04787109&tab=main
Aktenzeichen:
Patentamtslink:
JP 2006-525826
http://www4.ipdl.inpit.go.jp/Tokujitu/tjsogodben.ipdl?N0000=115
Aktenzeichen:
Patentamtslink:
KR 1231936
http://patentscope.wipo.int/search/en/detail.jsf?docId=WO2005024077&recNum=1&docAn=EP20
04052083&queryString=FP:%28PCT/EP2004/052083%29&maxRec=1
Letzte Aktualisierung am: 02.06.2014
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Werkstoffe - texturierte Substrate für Supraleiter
10430
Halbzeug auf Nickelbasis mit Würfeltextur und Verfahren zu dessen
Herstellung
Prioritätsdatum: 14.12.2004
Entwicklungsstand: Machbarkeit erfolgreich erprobt
Die Erfindung betrifft ein Halbzeug auf Nickelbasis mit Würfeltextur und Verfahren zu dessen Herstellung. Das
Halbzeug bietet die Möglichkeit, eine isolierende Nickeloxidschicht mit hochgradiger Würfeltextur auf seiner
Oberfläche wachsen zu lassen, die als Pufferschicht zwischen dem Grundwerkstoff und einer später
aufzubringenden Beschichtung, beispielsweise einer Supraleiterschicht, wirkt. Der Erfindung liegt die Aufgabe
zugrunde, ein Halbzeug auf Nickelbasis zu schaffen, bei dem die Nachteile des Standes der Technik beseitigt sind.
Das erfindungsgemäße Halbzeug weist eine Rekristallisationswürfeltextur auf und besteht aus technisch reinem
Nickel oder Nickellegierungen mit einem Zusatz eines Metalls der 3. Nebengruppe des Periodischen Systems der
Elemente. Dabei sind maximal 600 Atom-ppm und minimal 10 Atom-ppm des Zusatzes in dem Werkstoff
enthalten. Zur Herstellung des Halbzeuges ist erfindungsgemäß vorgesehen, dass zunächst auf
schmelzmetallurgischem oder pulvermetallurgischem Wege oder durch mechanisches Legieren eine Legierung
hergestellt wird und dass diese Legierung mittels einer Warmumformung mit nachfolgender hochgradiger
Kaltumformung von >80% Dickenreduktion zu Band, Folie oder Flachdraht verarbeitet wird. Schließlich wird der
Werkstoff einer rekristallisierenden Glühung zur Erzielung einer Würfeltextur unterworfen.
Aktenzeichen:
Patentamtslink:
DE 10 2004 060 900.4
http://register.dpma.de/DPMAregister/pat/register?AKZ=1020040609004&CURSOR=0
Aktenzeichen:
Patentamtslink:
EP 1828425
https://register.epo.org/espacenet/application?number=EP05823780
10506
Verfahren zur Herstellung und Verwendung von Halbzeug auf Nickelbasis mit
Rekristallisationswürfeltextur
Prioritätsdatum: 16.03.2005
Entwicklungsstand: Machbarkeit erfolgreich erprobt
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Halbzeug auf Nickelbasis in Band- oder Flachdrahtform,
und dessen Verwendung als Unterlage für physikalisch-chemische Beschichtungen mit hochgradiger
mikrostruktureller Ausrichtung, wie zur Herstellung draht- oder bandförmiger Hochtemperatur-Supraleiter. Der
Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Herstellung von Halbzeug auf Nickelbasis zu entwickeln,
das verbesserte Gebrauchseigenschaften für die Verwendung als Unterlage für physikalisch-chemische
Beschichtungen mit hochgradiger mikrostruktureller Ausrichtung besitzt. Insbesondere soll das Halbzeug eine
verbesserte Kornform bei stabiler Würfeltextur besitzen. Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst,
dass auf schmelzmetallurgischem oder pulvermetallurgischem Wege unter Einbeziehung des mechanischen
Legierens ein Ausgangshalbzeug hergestellt wird, das aus technisch reinem Ni oder einer Ni-Legierung besteht,
worin ein Ag-Zusatz im Mikrolegierungsbereich von mindestens 10 Atom-ppm und maximal 1000 Atom-ppm
enthalten ist. Dieses Ausgangshalbzeug wird mittels einer Warmumformung mit nachfolgender Kaltumformung
von >50% Dickenreduktion zu Band oder Flachdraht mit einer Zwischenabmessung verarbeitet. In dieser
Zwischenabmessung wird das Halbzeug entfestigend im Temperaturbereich zwischen 500°C und 850°C geglüht,
wobei die höheren Temperaturen für die höheren Ag-Gehalte angewandt werden, und daraufhin abgeschreckt.
Anschließend wird dieses Zwischenprodukt hochgradig >80% kalt umgeformt. Abschließend wird eine
rekristallisierende Glühbehandlung zur Erzielung einer vollständigen Würfeltextur durchgeführt.
- Abb. 3 Aktenzeichen:
Patentamtslink:
CN 200680008476
http://59.151.93.237/sipo_EN/search/detail.do?method=view&parm=16b414c21a2f19d11b2c184
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Letzte Aktualisierung am: 02.06.2014
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Werkstoffe - texturierte Substrate für Supraleiter
Aktenzeichen:
Patentamtslink:
DE 10 2005 013 368
http://register.dpma.de/DPMAregister/pat/register?AKZ=1020050133681&CURSOR=0
Aktenzeichen:
Patentamtslink:
EP 1922426
https://register.epo.org/espacenet/application?number=EP06725088
Aktenzeichen:
Patentamtslink:
http://register.dpma.de/DPMAregister/pat/register?AKZ=1020050133681&CURSOR=0
Aktenzeichen:
Patentamtslink:
US 8,465,605
http://patft.uspto.gov/netacgi/nphParser?Sect1=PTO2&Sect2=HITOFF&p=1&u=%2Fnetahtml%2FPTO%2Fsearchbool.html&r=1&f=G&l=50&co1=AND&d=PTXT&s1=11886348&OS=11886348&RS=11886348
Letzte Aktualisierung am: 02.06.2014
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