Organische Halbleiter als Bausteine einer kohlenstoffbasierten
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Organische Halbleiter als Bausteine einer kohlenstoffbasierten
Fachforum „Physik und Ingenieurwissenschaften“, Wildbad Kreuth 28.2.2009 Organische Halbleiter als Bausteine einer kohlenstoffbasierten Elektronik: Möglichkeiten und Grenzen Prof. Wolfgang Brütting Experimentalphysik IV Universität Augsburg http://www.physik.uni-augsburg.de/exp4/organic W. Brütting, Experimentalphysik IV Gliederung • Was sind organische Halbleiter? • Historische Entwicklung • Können organische Halbleiter anorganische Materialien in der Elektronik ersetzen, um Ressourcen zu schonen? – Beispiel 1: synthetische Metalle – Beispiel 2: organische Photoleiter • Physik von organischen Halbleitern • Aktuelle und zukünftige Anwendungen der organischen Elektronik – Organische Leuchtdioden in der Display- und Lichttechnik – Organische Feldeffekt-Transistoren für gedruckte Elektronik – Organische Solarzellen für die Energietechnik 01.03.2009 W. Brütting, Experimentalphysik IV 2 1 Was hat Elektronik mit Kunststoffen zu tun? W. Brütting, Experimentalphysik IV Bauelemente der Elektronik / Optoelektronik 01.03.2009 W. Brütting, Experimentalphysik IV 4 2 SiSi-Halbleitertechnologie (Texas Instruments) 01.03.2009 6 W. Brütting, Experimentalphysik IV SiSi-Halbleitertechnologie und Mikroelektronik (IBM) 01.03.2009 W. Brütting, Experimentalphysik IV 7 3 HalbleiterHalbleiter-Optoelektronik Leuchtdioden (III-V Halbleiter) 01.03.2009 W. Brütting, Experimentalphysik IV 8 Photovoltaik Silizium-Solarzellen 01.03.2009 W. Brütting, Experimentalphysik IV 9 4 Was ist Plastik ? • eine der vier klassischen Werkstoffklassen – – – – Metalle Keramiken Polymere Verbundwerkstoffe Strukturmaterialien • Polymere: organische Makromoleküle (v.a. C-H-Verbindungen) Polyethylen 01.03.2009 W. Brütting, Experimentalphysik IV 10 Polymerwerkstoffe Nylon 01.03.2009 W. Brütting, Experimentalphysik IV 11 5 Was ist Plastik noch ? • Funktionsmaterialien z.B. – – – – elektronische Materialien optische Materialien magnetische Materialien … (Philips) • hier v.a. Halbleiter: Æ Elektronik und Optoelektronik (LIOS) (Sanyo/Kodak) 12 W. Brütting, Experimentalphysik IV 01.03.2009 sp2-Hybridisierung und Doppelbindung z.B. Ethen (C2H4) π-Orbital opt. Anregung Eg = 1.5 – 4 eV W. Brütting, Experimentalphysik IV 6 Materialien und Prä Präparation Niedermolekulare Materialien Konjugierte Polymere z.B. Poly-Phenylenvinylen (PPV) • Verarbeitung aus Lösung: Spin-Coating, Drucken • einfacher Aufbau (1 oder 2 Schichten) 01.03.2009 z.B. Anthracen • Aufdampfen im Vakuum • Mehrschichtstrukturen W. Brütting, Experimentalphysik IV 16 Polymere Poly(phenylenvinylen) (PPV) 01.03.2009 W. Brütting, Experimentalphysik IV 17 7 Filmherstellung aus Lö Lösung „Spin-Coaten“ (Lackschleuder) 1 Lösungsm ittel Polym er 2 Va kuum c huk 3 weiterhin: diverse Drucktechniken • Tintenstrahldruck • Siebdruck ... 18 W. Brütting, Experimentalphysik IV 01.03.2009 Molekü Molekülkristalle Gitterparameter: a ~ 8.6 Å b ~ 6.0 Å c ~ 11.2 Å β ~ 125° (N. Karl, Univ. Stuttgart) Anthracen (C14H10) c b Î van der Waals-Bindung 01.03.2009 W. Brütting, Experimentalphysik IV a 19 8 Filmherstellung durch Vakuumbeschichtung Organische Molekularstrahldeposition (OMBD) Tiegel (PBN, Quartzglas) Heizung T- Sensor (Hochvakuum bzw. Ultrahochvakuum) 01.03.2009 W. Brütting, Experimentalphysik IV 20 Historische Entwicklung W. Brütting, Experimentalphysik IV 9 „Prä Prähistorisches“ historisches“ • Pochettino (1906): Photoleitung von Anthracen • Koenigsberger & Schilling, Ann. Physik 32 (1910) 179: – Dunkelleitfähigkeit von Si, Ti, Zr, verschiedenen Sulfiden und Oxiden sowie Benzolderivaten • Vollmer, Ann. Physik 40 (1913) 775: 01.03.2009 W. Brütting, Experimentalphysik IV 24 Molekü Molekülkristalle • ab Mitte der 50er Jahre: Zonenreinigung organischer Materialien Î Zucht von hochreinen Molekülkristallen • 60er und 70er Jahre: fundamentale Untersuchungen zu strukturellen und optischen Eigenschaften sowie zum Ladungstransport – Pope & Swenberg: Electronic Processes in Organic Crystals, Oxford Univ. Press 1982 – Silinsh: Organic Molecular Crystals, Springer 1980 • 1970 Williams und Schadt: Patent auf organische Elektrolumineszenzdiode aber: exotische Materialien, keine Anwendungsrelevanz 01.03.2009 W. Brütting, Experimentalphysik IV 25 10 Elektrolumineszenz in organischen Kristallen (N. Karl, Univ. Stuttgart) Pope et al. JCP 1963 Helfrich & Schneider PRL 1965 Æ Hohe Spannungen, Elektrolyt-Kontakte 01.03.2009 W. Brütting, Experimentalphysik IV 26 Synthetische Metalle und organische Photoleiter seit den 70er Jahren: • Synthese und Herstellung von Materialien mit hoher Dunkelleitfähigkeit („synthetische Metalle“): Charge-Transfer Salze und leitfähige Polymere Î 2000: Nobelpreis für Chemie • wachsende Bedeutung organischer Photoleiter in der Elektrophotographie (Kopierer, Laserdrucker): – Geringere Kosten – Bessere Umweltverträglichkeit 01.03.2009 W. Brütting, Experimentalphysik IV 28 11 Organische Dü Dünnschichtnnschicht-Halbleiterbauelemente • • • • • 1986 Tang: Organische Heterostruktur-Solarzelle 1986 Tsumura: Organischer Feldeffekt-Transistor 1987 Tang & van Slyke: Organische Heterostruktur-Leuchtdiode 1990 Friend, Bradley & Holmes: Polymer-Leuchtdiode 1998 erstes kommerzielles Produkt von Pioneer mit OLEDDisplay (Quelle-Katalog, Herbst 1999) 01.03.2009 W. Brütting, Experimentalphysik IV 31 Können organische Halbleiter anorganische Materialien in der Elektronik ersetzen, um Ressourcen zu schonen? W. Brütting, Experimentalphysik IV 12 Beispiel 1: Leitfähige Polymere W. Brütting, Experimentalphysik IV „Leitfä Leitfähiges Plastik“ Plastik“: NobelNobel-Preis fü für Chemie 2000 Electrical Conductivity in Doped Polyacetylene: Heeger, MacDiarmid & Shirakawa, PRL 1977 Dotierung von Polyacetylen (CH)n ⇓ „Synthetische Metalle“ 01.03.2009 W. Brütting, Experimentalphysik IV 36 13 Doping of Polymers Oxidation with oxidizing agents: FeCl3, AsF5, I2, Br2, … Æ “p-doping” (CH) n + 32 m ⋅ I 2 → [(CH) n ] m+ + m ⋅ I 3− Reduction with reducing agents: Na, K, … Æ “n-doping” (CH) n + m ⋅ Na → [(CH) n ] m− + m ⋅ Na + High conductiivties up to 105 S/cm achieved in PA, but rapid degradation in air 01.03.2009 W. Brütting, Experimentalphysik IV 37 Conductive Polymers 01.03.2009 W. Brütting, Experimentalphysik IV 38 14 Antistatic Coatings 01.03.2009 W. Brütting, Experimentalphysik IV 40 Antistatic Coatings 01.03.2009 W. Brütting, Experimentalphysik IV 41 15 Capacitors L. Groenendaal et al. Adv. Mater. 12 (2000) 481 PEDOT:PSS Poly(ethylenedioxythiophene) : : Poly(styrenesulfonate) Æ Capacitors with a polymeric electrolyte can not explode and have better high frequency behaviour (better conductivity than conventional MnO2 electolyte)! 01.03.2009 W. Brütting, Experimentalphysik IV 42 Beispiel 2: Organische Photoleiter W. Brütting, Experimentalphysik IV 16 Xerographie D. Hertel & H. Bässler Physik Journal 5 (2006) No. 11 W. Brütting, Experimentalphysik IV 01.03.2009 46 Xerography Origin and Definition: – greek: xeros = dry, graphein = writing – Production of images by making electrostatic charge patterns on the surface of an insulating photoreceptor visible through charged marking particles. “Electrophotography”: – Image creation by the combination of electricity and light. History: – Lichtenberg figures (1778): dust patterns on charged insulator surfaces – 1938: discovery of electrophotographic process by Carlson (US patent 1942; anthracene, S, and Se as photoconductors) – 1949: first commercial copying machine (XeroX Copier Model A by Haloid Corp., 1961 renamed to XeroX Corp.) – since 1970s: organic photoconductors 01.03.2009 W. Brütting, Experimentalphysik IV 47 17 Prinzip der Xerographie 7. Löschen (P. Strohriegl, Univ. Bayreuth) 01.03.2009 W. Brütting, Experimentalphysik IV 49 Photoreceptor Materials Photoreceptor requirements: – Material with negligible dark conductivity but high electrical conductivity under illumination Æ wide-gap, undoped semiconductors – High photosensitivity in the visible spectral range (Xenon lamp, laser diodes) – Mechanical flexibility and robustness Inorganic photoreceptors: – Chalcogenide glasses: a-Se, a-Se:As/Te – a-Si Organic photoreceptors: cheap and environmentally friendly 01.03.2009 W. Brütting, Experimentalphysik IV 51 18 Besonderheiten Organischer Halbleiter • mechanische Eigenschaften • thermodynamische Eigenschaften • elektronische Eigenschaften • optische Eigenschaften 01.03.2009 52 W. Brütting, Experimentalphysik IV Anorganische Halbleiter: Si Γ L X U,K Γ • kovalente Bindung • breite Energiebänder • delokalisierte Elektronen 01.03.2009 W. Brütting, Experimentalphysik IV 53 19 Molekü Molekülkristalle Anthracen (C14H10) • van der Waals-Bindung • schmale Energiebänder • lokalisierte Elektronen (N. Karl, Univ. Stuttgart) 54 W. Brütting, Experimentalphysik IV 01.03.2009 Physikalische Eigenschaften Germanium Anthracene Atomic weight 72.63 178.22 Melting point (°C) 937 217 Density (g/cm3) 5.33 1.28 Atomic/Molecular density (cm-3) 4.42 × 1022 0.42 × 1022 Crystal structure Diamond Monoclinic Lattice constant (Ǻ) 5.66 6.04 – 11.16 Compressibility (cm2/dyn) 1.3 × 10-12 9 × 10-12 Dielectric constant 16 3.2 Energy gap (eV) 0.66 4.0 Ionisation energy (eV) 4.8 5.8 Electron mobility (cm2/Vs) 3800 ~1 Hole mobility (cm2/Vs) 1800 ~1 Thermal expansion coefficient (K-1) 6.1 × 10-6 140 × 10-6 Specific heat (J/gK) 0.31 1.3 Sound velocity (cm/s) 9.4 × 105 3.4 × 105 Anthracen (C14H10) (Daten bei 300K) 01.03.2009 W. Brütting, Experimentalphysik IV 55 20 Charge Carrier Mobility a-Si 10-5 0.1 1 10 p-Si c-Si 100 1000 Mobility (cm2/Vs) OFETs OLEDs Amorphous Highly ordered films thin films Molecular crystals Organic Semiconductors W. Brütting & W. Riess, Physik Journal 7(5) (2008) 33. 56 W. Brütting, Experimentalphysik IV 01.03.2009 Excitons Inorganic semiconductor 0.00 kT Binding energy (eV) -0.05 e- -0.10 -0.15 Organic semiconductor Electron wavefunctios -0.20 -0.25 +h rB -0.30 rC -0.35 -0.40 -15 -10 -5 0 5 10 15 Carrier separation distance (nm) Exciton: bound electron-hole pair EB = 01.03.2009 q2 4πεε 0 r W. Brütting, Experimentalphysik IV Small exciton binding energy EB ~ 10-100 meV Î Thermal energy sufficient to dissociate excitons into free carriers 57 21 Excitons Inorganic semiconductor 0.00 kT Binding energy (eV) -0.05 -0.10 -0.15 Organic semiconductor Electron wavefunctios + -0.20 -0.25 rB -0.30 rC -0.35 -0.40 -15 - -10 -5 0 5 10 15 Carrier separation distance (nm) EB = q2 4πεε 0 r with ε = 3, r = 1nm ⇒ EB ≈ 0.5 eV 01.03.2009 Large exciton binding energy EB ~ 0.2 – 1 eV Small exciton diffusion length L ~ 10 nm W. Brütting, Experimentalphysik IV 58 Anwendungen der organischen Halbleiter • Organische Leuchtdioden in der Display- und Lichttechnik • Organische FeldeffektTransistoren für gedruckte Elektronik • Organische Solarzellen für die Energietechnik 01.03.2009 W. Brütting, Experimentalphysik IV 59 22 Organische Leuchtdioden (OLED) 60 W. Brütting, Experimentalphysik IV 01.03.2009 Organische Elektrolumineszenz Level Vacuum ΦA - Φ e c ΦC - f hν + c Anode Φh + d + Hole Transport Layer (1) Ladungsträgerinjektion (3) Exzitonenbildung 01.03.2009 e d + e ElectronTransport Layer Cathode (2) Ladungsträgertransport (4) Exzitonenzerfall W. Brütting, Experimentalphysik IV 62 23 I-V Characteristics and Emission Spectrum 10 -2 10 -3 10 -4 10 -5 10 -6 10 -7 10 -8 10 -9 10 5 10 4 10 3 10 2 10 1 10 0 10 -1 10 -2 |current density| / A cm 10 -10 10 -3 10 8 10 -4 -4 -2 0 2 4 6 Alq3 1.0 Light Intensity (a.u.) -1 6 -2 10 10 -2 0 luminance / cdm 10 0.8 0.6 0.4 0.2 0.0 400 450 500 550 600 650 700 Wavelength (nm) (for comparison: desktop monitor ~ 100 – 300 cd/m²) voltage / V 01.03.2009 63 W. Brütting, Experimentalphysik IV Efficiency of OLEDs External quantum efficiency η ext = γ ⋅η r ⋅ q ⋅η out charge carrier balance outcoupling factor singlet / triplet ratio (1/4 for fluorescent, 1 for phosphorescent emitters) radiative (photoluminescence) quantum efficiency Tsutsui et al., Phil. Trans. R. Soc. Lond. A 355 (1997) 801 01.03.2009 W. Brütting, Experimentalphysik IV 64 24 Efficiency of OLEDs Approximation: highest achievable external quantum efficiency fluorescent emitter η ext = γ ⋅η r ⋅ q ⋅η out ≈ 4.3% 1 1/4 1 1/(2n2) refractive index of emitter: typically n ~ 1.7 phosphorescent emitter η ext = γ ⋅η r ⋅ q ⋅η out ≈ 17.3% 1 1 1 1/(2n2) 69 W. Brütting, Experimentalphysik IV 01.03.2009 Harvesting Triplets in OLEDs Energy transfer to phosphorescent emitter: Energy Transfer Ir S1 S1 T1 Fluorescence (τ ~ ns) S0 N Intersystem Crossing T1 X Host 3 Phosphorescence (τ ~ µs) S0 Guest Î up to 100% internal quantum efficiency possible ! 01.03.2009 W. Brütting, Experimentalphysik IV 70 25 OLEDOLED-Displays: “Proof of Principle” Principle” • large area • flexible • but not stable Bayreuth University (1994/95) 01.03.2009 72 W. Brütting, Experimentalphysik IV First Commercial Products (Quelle Catalogue 1999) (Sony 2008) (Philips 2003) 01.03.2009 W. Brütting, Experimentalphysik IV 73 26 OLED Television Demonstration of a 40’’ OLED display on a-Si TFT active matrix backplane Samsung @ SID Conference, 23-28 May 2005 01.03.2009 Sony: commercial 11“ OLED TV (Xmas 2008) W. Brütting, Experimentalphysik IV 74 OLEDs für Beleuchtungszwecke (Philips 2004) 01.03.2009 W. Brütting, Experimentalphysik IV 76 27 So lid St at e Li gh tin g Meilensteine der Beleuchtungstechnik (N. Reinke, ZHAW Winterthur) 01.03.2009 W. Brütting, Experimentalphysik IV 77 Incandescent Lamp Î Thermal black-body radiation Î Only ~5% efficiency 01.03.2009 W. Brütting, Experimentalphysik IV 78 28 Solid State Lighting (Philips 2004) Direct conversion of electrical energy into visible light by transition from excited state to ground state Î Narrow emission spectrum Î High luminous efficiency W. Brütting, Experimentalphysik IV 01.03.2009 79 Human Eye Sensitivity V(λ) Luminous Efficiency 1.0 0.8 0.6 0.4 0.2 0.0 400 450 500 550 600 650 700 750 Wavelength (nm) 780 nm ΦL = Km ⋅ ∫ V ( λ ) ⋅ P ( λ ) dλ 380 nm Φ L : luminous flux [lm] P (λ ) : radiometric flux [W/nm] K m = 683 lm/W Luminous or power efficiency: luminous flux from a light source divided by the electrical power 01.03.2009 ηP = ΦL V ⋅I W. Brütting, Experimentalphysik IV 80 29 Solid State Lighting Technologies LEDs and OLEDs have the potential to outperform other light sources! Î Huge energy saving potential, mercury free, long lifetime. (Osram OS 2008) 01.03.2009 W. Brütting, Experimentalphysik IV 82 OLED Lighting Roadmap (Osram OS 2008) 01.03.2009 W. Brütting, Experimentalphysik IV 83 30 OLED Lighting Applications 2008: Design study (Ingo Maurer & Osram) Future Vision ? (Osram OS 2008) 01.03.2009 84 W. Brütting, Experimentalphysik IV Organische Elektronik (Philips Research) 01.03.2009 W. Brütting, Experimentalphysik IV 87 31 Organic FieldField-Effect Transistors (OFETs (OFETs)) VS= 0 (-) VD ID +++++++++++++ ID = (-) VG W ⋅ Cins ⋅ μ ⋅ (VG − VT ) ⋅ VD L µ: field-effect mobility 88 W. Brütting, Experimentalphysik IV 01.03.2009 OFET Scaling Speed of operation (cut-off frequency): Printing f0 = 1000 channel length (μm) π L2 (VG − VT ) 1 kHz (VG-VT=10V) Lithography μ 100 100 kHz 10 10 MHz 1 Î high mobility Î short channel length 0.1 0.01 -5 10 -4 10 -3 -2 10 10 2 μ (cm /Vs) -1 10 0 10 a-Si:H polymers molecular materials 01.03.2009 W. Brütting, Experimentalphysik IV 90 32 Organic Electronics Roadmap Costs SiC GaAs smart card smart label Silicon Organics anti-theft sticker Performance identification systems electronic watermark electronic stamp flexible active matrix displays Î low performance (~ 103 transistors, ≥ 100 kHz) Î low cost (« 1 €) 01.03.2009 W. Brütting, Experimentalphysik IV 91 Die nä nächste Revolution der Elektronik ? 01.03.2009 W. Brütting, Experimentalphysik IV 92 33 Anwendungen: IdentifikationsIdentifikations-Tags 01.03.2009 W. Brütting, Experimentalphysik IV 93 Anwendungen: IdentifikationsIdentifikations-Tags • Kontaktlose Informationsübertragung im RF-Bereich (125 kHz, 13.56 MHz oder 900 MHz) • keine Batterie notwendig 01.03.2009 W. Brütting, Experimentalphysik IV 94 34 Ubiquitä Ubiquitäre Elektronik 01.03.2009 W. Brütting, Experimentalphysik IV 95 Printed Electronics 01.03.2009 W. Brütting, Experimentalphysik IV 97 35 Flexible Displays Rollable displays for - PDA - GPS - etc. W. Brütting, Experimentalphysik IV 01.03.2009 98 Flexible Displays Application: E-Reader 01.03.2009 W. Brütting, Experimentalphysik IV 101 36 Organische Solarzellen (LIOS) W. Brütting, Experimentalphysik IV 01.03.2009 102 Solar Radiation on the Earth R Earth PE = ? Total incident solar energy per year: Etot = 4x1024J Annual world energy consumption: ca. 4x1020 J Î 0.1 ‰ of the area required Sun Ps = 67 MW/m2 TS = 5800 K outside the atmosphere: PE(AM0) = 1.35 kW/m2 at the surface: PE(AM1.5g) = 1 kW/m2 01.03.2009 W. Brütting, Experimentalphysik IV 103 37 Solar Cell Performance Open Circuit Voltage VOC Power conversion efficiency: η= ( I · V )max / Pin η= FF · ISC · VOC / Pin (FF: fill factor) Maximum Power Point Short Circuit Current ISC c-Si p-Si a-Si CdTe ηlab (%) 24.4 19.8 13.2 13.8 18.8 ηprod (%) ~17 ~14 ~7 ~10 >11 (expected) 01.03.2009 CIGS W. Brütting, Experimentalphysik IV 106 Solar Cell Market Generation I: crystalline Si Generation II: thin film solar cells (a-Si, CdTe, CIS/CIGS) Generation III: tandem cells, concentrator cells, organic cells, … (MRS Bulletin Jan. 2005 & Jul. 2008) 01.03.2009 W. Brütting, Experimentalphysik IV 107 38 Solar Cell Costs Si solar cells: cost reduction by mass production Organic solar cells: efficiency improvement Î Organic solar cells: potential markets through low cost at moderate performance (MRS Bulletin Jan. 2005) 01.03.2009 W. Brütting, Experimentalphysik IV 108 Organic Photovoltaics: Photovoltaics: DonorDonor-Acceptor Interfaces (S.R. Forrest, MRS Bulletin Jan. 2005) 01.03.2009 W. Brütting, Experimentalphysik IV 109 39 Applications of Organic Solar Cells „Power Ribbon“ „Power Fiber“ 01.03.2009 W. Brütting, Experimentalphysik IV 113 Applications of Organic Solar Cells 01.03.2009 W. Brütting, Experimentalphysik IV 114 40 Applications of Organic Solar Cells • Power efficiency: ~5% • Lifetime: > 1000 hours (1 year sunlight) • Cost ??? • „Killer application“ ??? 01.03.2009 W. Brütting, Experimentalphysik IV 115 Zusammenfassung • Marktchancen für organische Materialien in der Elektronik: – durch einzigartige, neue Eigenschaften: z.B. Flüssigkristall, Flächenleuchtdiode – durch extrem kostengünstige Herstellung bei reduzierter Leistungsfähigkeit • Weitere zukunftsträchtige Materialien: – Kohlenstoff-Nanoröhren – Graphen 01.03.2009 W. Brütting, Experimentalphysik IV 116 41 Acknowledgments • Dr. A. Opitz • M. Bronner, J. Frischeisen, S. Grecu, M. Kraus, S. Nowy, N.A. Reinke, J. Wagner • and collaboration partners in different projects Thank you for your attention! 01.03.2009 W. Brütting, Experimentalphysik IV 117 42