Prof. Dr. Alceu Ferreira Alves - Faculdade de Engenharia de Bauru

Transcrição

Prof. Dr. Alceu Ferreira Alves - Faculdade de Engenharia de Bauru
UNIVERSIDADE ESTADUAL PAULISTA JÚLIO DE MESQUITA FILHO
Campus Universitário de Bauru
FACULDADE DE ENGENHARIA
www.feb.unesp.br
Prof. Dr. Alceu Ferreira Alves
2013
DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELÉTRICA
unesp
LABORATÓRIO DE ELETRÔNICA I
PROGRAMAÇÃO DE AULAS – 2º SEMESTRE 2013
Horários das Aulas
Turma 2313EE21
Turma 2313EE22
Turma 2313EE23
Turma 2313EE24
Terças-feiras
Terças-feiras
Terças-feiras
Terças-feiras
14h00
16h00
19h00
21h00
Lab 33
Lab 33
Lab 33
Lab 33
Prof. Alceu
Prof. Alceu
Prof. Fernando
Prof. Fernando
Atividades Programadas
(conforme Calendário Escolar aprovado pela Congregação)
Semana
Data
01
30/07
02
06/08
03
13/08
04
20/08
Prática 3 – Circuitos com Diodos Retificadores (1ª parte)
05
27/08
Prática 4 – Circuitos com Diodos Retificadores (2ª parte)
06
03/09
Prática 5 – Circuitos Multiplicadores e Limitadores
07
10/09
Prática 6 – Regulador a Diodo Zener
08
17/09
Atividades referentes à Semana da Engenharia
09
24/09
Prova de Laboratório PL1 – frequência e matéria relativas às
práticas de 1 a 6 – Prova Prática
10
01/10
Prática 7 – Características do Transistor Bipolar
11
08/10
Prática 8 – Amplificador Transistorizado Básico
12
15/10
Prática 9 – Características do Transistor JFET
13
22/10
Prática 10 – Circuito Amplificador com JFET
14
29/10
Prática 11 – Características do Transistor MOSFET
15
05/11
Prática 12 – Circuito Amplificador com MOSFET
16
12/11
Prática Substitutiva – aos alunos que deixaram de fazer
alguma das aulas práticas, sem justificativa
17
19/11
Prova de Laboratório PL2 – frequência e matéria relativas às
práticas de 7 a 12 – Prova Prática
18
26/11
Prova de Laboratório PL3 – matéria relativa a todo o conteúdo
ministrado no semestre – Prova Prática
03/12
Aula de Recuperação – Lab. 33 – horário a combinar
11/12
Prova de Recuperação – Lab. 33 – horário a combinar
Apresentação do Programa, Critérios de Avaliação, Informações
Gerais (esta aula não será válida para efeito de avaliação)
Prática 1 – Resumo das Técnicas de Manuseio dos Instrumentos
de Medidas Eletrônicas, Práticas de Uso da Instrumentação,
Apresentação dos Equipamentos do Curso, Teoria do Osciloscópio
Prática 2 – Características do Diodo de Junção e Circuito
Retificador de Meia Onda
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Critério de Avaliação:
1) Não há relatórios semanais.
2) Haverá 02 (duas) provas (PL1 e PL2), práticas, individuais, obrigatórias, constando também de
questões teóricas, com duração máxima de 01 (uma) hora, nas datas especificadas na programação.
3) As notas das provas PL1 e PL2 serão ponderadas pela freqüência do aluno nas aulas de
laboratório que antecederam às mesmas, dando origem às notas P1 e P2:
P1 = a * PL1 e P2 = b * PL2 , sendo a e b os pesos respectivos das notas de provas PL1 e PL2,
calculados pela expressão:
nº de presenças
nº de aulas dadas
Caso MP = (P1 + P2) / 2 seja >= 5,0, esta nota passa a ser a Média Final (MF) e o aluno está
aprovado por nota;
Caso MP < 5,0, a P3 é obrigatória, englobando toda a matéria lecionada no semestre, e a média final
(MF) é recalculada como segue:
MF = (P1 + P2 + 2*P3) / 4
Neste caso, a média final deverá ser igual ou superior à 5,0 para aprovação.
4) Controle de Frequência: haverá chamada todas as aulas. Para aprovação: frequência >= 70%
INSTRUÇÕES GERAIS
• Aulas práticas com 01 (um) ou 02 (dois) alunos por bancada; os alunos podem e devem discutir os
procedimentos e resultados com os colegas e o professor, mas é preciso entender os objetivos da
experiência e tirar suas conclusões individualmente;
• Horário de início das aulas será rigorosamente cumprido;
• É imprescindível o uso da apostila (edição 2013, em branco) para realização dos experimentos,
sem a qual o aluno poderá ser impedido de fazer a prática;
• O atraso máximo permitido aos alunos será 10 minutos; após esta tolerância, o aluno poderá
entrar na sala e fazer a prática, mas ficará com registro de falta na aula, podendo substituir até
uma aula sem justificativa;
• Ao terminar de fazer a prática e colher seus dados experimentais, o aluno poderá ir embora, após
organizar todo o material utilizado;
• Controle de Frequência: chamada todas as aulas
• O descumprimento das Normas de Utilização será julgado pelo professor, que poderá, a seu
critério, aplicar um redutor no coeficiente de presença na aula de 0 a 100% (marcar falta), o que
alterará a ponderação do cálculo da média de laboratório.
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NORMAS DE UTILIZAÇÃO DO LABORATÓRIO DIDÁTICO
1) Cada aluno deverá informar ao professor da disciplina qual será a sua bancada de trabalho
durante todo o semestre e ficará responsável pela conservação da mesma (mesa,
equipamentos, bancos , etc.);
2) Ao iniciar a aula, o aluno deverá informar ao professor qualquer problema verificado com sua
bancada;
3) Ao terminar a aula, o aluno deverá deixar sua bancada em perfeita ordem, observando:
a) Os bancos deverão ser colocados sob as mesas;
b) As mesas deverão estar limpas, sem resíduos de borrachas, restos de papel, copos
descartáveis, etc.;
c) Os equipamentos deverão estar desligados e em ordem para o aluno que for utilizar a
bancada em seguida:
• O osciloscópio com os 2 canais calibrados, em DC, foco ajustado, trigger em
AUTO, base de tempo calibrada;
• Multímetro em DC VOLTS, escala de 20V;
• Gerador com DC offset fechado, freqüência em 1kHz, onda senoidal, amplitude
baixa e atenuador em 0dB;
• MB-U com as fontes PS-1 e PS-2 zeradas.
4) As placas, cabos, fios, alicates e componentes eletrônicos deverão ser colocados onde foram
encontrados, e os fios usados em protoboard devem ser devolvidos em ordem;
5) Defeitos constatados em componentes, cabos ou equipamentos deverão ser comunicados ao
professor para que sejam tomadas providências no sentido de efetuar-se a manutenção
adequada;
6) A tensões utilizadas durante as aulas são geralmente baixas, mas lembre-se que tensões
acima de 50V podem matar; portanto, preste bastante atenção no circuito que está montando e
só ligue após ter absoluta certeza do que está fazendo.
PENSE PRIMEIRO, FAÇA DEPOIS !
Não é permitido fumar, comer ou beber dentro do Laboratório Didático.
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INFORMAÇÕES GERAIS
A – MODO DE EXPERIÊNCIA
Antes de dar início a cada sessão de laboratório, o aluno deve preparar o PU-2000 para operação,
seguindo os passos descritos abaixo:
PASSO
PRESSIONE
VISOR
COMENTÁRIOS
1
2
815
PC1
815
3
4
*
017
PC2
017
5
*
EB-111
6
*
Id1
7
8
(número)
*
(número)
Id2
9
10
(número)
*
(número)
Id3
11
12
13
(número)
*
1
(número)
Fn
Fn1
14
15
*
*
E.00
E.01
Primeira parte do código da placa
Entre com os 3 primeiro dígitos do
código da placa
Segunda parte do código da placa
Entre com os 3 últimos dígitos do código
da placa
Confirmação da placa a ser utilizada,
piscando EB-111 alternadamente
Entre com os 3 primeiros dígitos do
número de matrícula (000)
Três primeiros dígitos
Entre com os 3 dígitos seguintes do
número de matrícula
Três dígitos seguintes
Entre com os 3 últimos dígitos do
número de matrícula
Três últimos dígitos
Seleção de Função
Seleção de Função
( 1 indica Modo de Experiência)
Indicador de Experiência no valor inicial
Incremente o Indicador de Experiências
Obs: O indicador de experiências pode ser incrementado digitando-se "∗" e decrementado digitandose "0"; vá até o monitor do professor e confirme se seu cadastro está correto e se sua sessão
foi inicializada.
B – MODO DE PRÁTICA
Para dar início ao modo de prática, o aluno deve seguir os passos descritos abaixo:
PASSO
PRESSIONE
VISOR
COMENTÁRIOS
1
2
3
4
5
#
2
*
2
*
"1"
"2"
Fn
Fn2
P.00
6
"X"
P.0"X"
Termina o Modo de Experiência
Selecione uma nova função
Seleção de Função
Selecione o Modo de Prática
Você está no Modo de Prática
Selecione o código de falha.
Um "X" pisca por um curto período de
tempo indicando que uma falha foi
selecionada
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C – RETORNO AO MODO DE EXPERIÊNCIA
Para voltar ao modo de experiência, siga os passos descritos abaixo:
PASSO
PRESSIONE
VISOR
COMENTÁRIOS
1
2
3
*
1
*
Fn
Fn1
E.0"X"
4
*
E.0"X"+1
Seleção de Função
Retorno ao modo de Experiência
Indicador do número da última
experiência selecionada
Incrementa-se o contador de experiência
D - PARA ENCERRAR A SESSÃO DE LABORATÓRIO
Para encerrar a sessão de laboratório, siga os passos descritos abaixo:
PASSO
PRESSIONE
VISOR
COMENTÁRIOS
1
2
3
#
3
*
"1"
"3"
PCI
Termina o Modo de Experiências
Modo de Finalização
Encerra a sessão
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CARACTERÍSTICAS DO DIODO DE JUNÇÃO E CIRCUITO RETIFICADOR DE MEIA ONDA
1.0 OBJETIVOS
Após completar estas atividades de laboratório, você deverá ser capaz de:
1. Medir a tensão e a corrente do diodo quando em polarização direta.
2. Medir a tensão e a corrente do diodo quando em polarização reversa.
3. Traçar a curva característica de um diodo.
4. Determinar a resistência dinâmica de um diodo.
5. Determinar o modelo de um diodo em polarização reversa.
6. Verificar o funcionamento do diodo de junção como retificador de meia onda.
7. Medir a tensão de barreira de potencial do diodo utilizado.
8. Observar a curva característica de transferência de um diodo no osciloscópio.
2.0 DISCUSSÃO
Os diodos semicondutores podem ser polarizados diretamente ou reversamente. Idealmente pode-se
considerar que um diodo polarizado diretamente age como um curto-circuito e quando
reversamente polarizado age como um circuito aberto. Em circuitos reais ("práticos") os diodos
apresentam valores de resistência direta que dependem da tensão e da corrente CC no diodo.
O diodo é um dispositivo não-linear e suas características elétricas são representadas por uma curva
característica V-I. Algumas vezes, utiliza-se uma tensão de polarização CC superposta ao sinal CA
que deseja-se aplicar ao diodo; a resistência equivalente do diodo para o intervalo de operação CA é
chamada de resistência dinâmica, sendo representada pelo inverso da inclinação da curva
característica no ponto desejado.
Os diodos podem ser usados em circuitos para transformar tensão e corrente alternadas em tensão e
corrente contínuas. O circuito mais simples que pode ser utilizado para esta finalidade é o circuito
retificador de meia onda. As diferenças de tensão entre as ondas de entrada e saída são
decorrentes da tensão de barreira de potencial do semicondutor, a qual precisa ser vencida para o
diodo conduzir. As freqüências dos sinais de entrada e saída não são alteradas pelo circuito
retificador de meia onda.
3.0 PROCEDIMENTO
POLARIZAÇÃO DIRETA
1. Coloque a placa EB-111 nas guias do bastidor e encaixe o conector.
2. Localize o circuito que contém o diodo D1 (Fig. 1) na placa de circuito impresso.
3. Conecte o miliamperímetro para medir a corrente direta no diodo e o canal 1 do osciloscópio para
medir a tensão direta no diodo. Use a escala de sensibilidade vertical de 0.1 Volt/divisão e centralize
o traço horizontal na referência inferior do osciloscópio para começar as medições.
4. Ligue o sistema e execute o procedimento de inicialização conforme descrito na página de
Informações Gerais.
5. Ajuste a fonte de alimentação PS-1 até obter uma tensão direta sobre o diodo de 0.1V.
6. Digite "∗" para mudar o indicador de experiência para 2. Meça a corrente do circuito e anote,
completando a tabela com todos os valores da Fig. 2.
OBS: Ao mudar a escala do amperímetro, reajustar PS-1, porque a resistência interna do aparelho
altera o ajuste feito anteriormente.
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_
+
A
R1
R2
D1
+
_
PS-1
osciloscópio
PS-2
+
+
Fig. 1 - Circuito de Polarização Direta
Vdireta
(V)
Idireta
(mA)
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.45
0.5
0.55
0.6
0.65
0.7
Fig. 2 - Medidas de Corrente no Diodo
7. Trace um gráfico com os valores obtidos, tendo a corrente direta no eixo vertical e a tensão direta
no eixo horizontal.
I (mA)
F
12
10
8
6
4
2
V (V)
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
F
Fig. 3 - Característica V-I do Diodo
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8. A partir do gráfico obtido, calcule as resistências dinâmicas do diodo nos pontos de Vf=0.5V
(intervalo ∆Vf=0.1V ⇒ Vf1=0.45V e Vf2=0.55V) e Vf=0.65V (intervalo ∆Vf=0.1V ⇒ Vf1=0.60V e
Vf2=0.70V). Anote os cálculos realizados e os resultados obtidos. Discuta com os colegas e o
professor.
POLARIZAÇÃO REVERSA
9. Digite "∗" para mudar o indicador de experiência para 3. Monte o circuito da Fig. 4. Desconecte o
osciloscópio do circuito.
_
+
A
R1
R2
D1
+
PS-1
PS-2
+
osciloscópio
+
_
Fig. 4 - Circuito de Polarização Reversa
10. Ajuste a tensão da fonte inicialmente para zero, através do potenciômetro de PS-2. A medida de
tensão é nos bornes do sistema principal porque não há ponto de prova no circuito
11. Meça a corrente no circuito para as várias tensões da fonte indicadas e anote os resultados na
tabela da Fig. 5 (modo experimental).
12. Ao terminar, retorne PS-2 para zero volt.
PS-2
[V]
Corrente Reversa
[µA]
0
-1
-5
-10
Fig. 5 - Medidas de Corrente Reversa no Modo Experimental
Discuta com os colegas e o professor os seus resultados. São coerentes com o esperado ?
MODO DE PRÁTICA
13. Digite "∗" para mudar o indicador de experiência para 4. Introduza o modo de prática conforme
descrito na folha de Informações Gerais - Parte B, e selecione o código de falha número 4. (X=4).
14. Repita as medições de corrente reversa e registre os resultados na tabela da Fig. 6.
15. Compare os valores do modo prática com os valores do modo experimental e tente concluir
porque a corrente não é zero, se foi acrescentado algum componente ao circuito, ou se o diodo está
em falha.
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PS-2
[V]
Corrente Reversa
[µA]
0
-1
-5
-10
Fig. 6 - Medidas de Corrente Reversa no Modo de Prática
16. Siga as instruções da folha de Informações Gerais e retorne ao modo de experiência.
RETIFICAÇÃO DA ONDA SENOIDAL
17. Digite "∗" até mudar o indicador de experiências para 6.
18. Localize o circuito que contém o diodo D2 (Fig. 7). Este circuito encontra-se na porção central
superior da placa de circuito impresso.
19. Ligue o gerador de sinais ao osciloscópio e, antes de conectá-lo ao circuito, ajuste sua saída para
um sinal de 4V pico a pico (4 Vpp ), com freqüência de 500Hz, forma de onda senoidal e com off-set
igual a zero.
20. Conecte o gerador de sinais aos terminais de entrada (Vin) do circuito retificador de meia onda.
osciloscópio
D2
osciloscópio
Vin
~
R3
CANAL 01
CANAL 02
Fig. 7 – Circuito Retificador de Meia Onda
21. Conecte o osciloscópio ao circuito de modo que o canal 2 monitore a saída (tensão sobre a carga
R3) e o canal 1 monitore a entrada (tensão do gerador). Ambos os canais deverão estar no modo DC.
22. Ajuste as escalas de sensibilidade vertical do osciloscópio para 0.5V/div (ambos os canais) e a
varredura horizontal para 0.2ms/div.
23. Digite "∗" para mudar o indicador de experiências para 7.
24. Observe os sinais nos dois canais do osciloscópio e esboce-os na Fig. 8. Há alguma diferença
mensurável entre um diodo ideal e este diodo ? Qual é esta diferença ? Qual o seu significado ?
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Canal 1 - Vin (gerador)
escala vertical: _____ V/div
Canal 2 - VR3
escala vertical: _____ V/div
escala horizontal: ____ ms/div
Fig. 8 – Retificação da Onda Senoidal
CURVA DE TRANSFERÊNCIA SENOIDAL
25. Ajuste o osciloscópio na modalidade X-Y (Vin=X e VR3=Y) de modo a obter a curva de
transferência VR3 = f(Vin). Plote a curva de transferência para valores de entrada entre -2V e +2V na
Fig. 9.
Obs: Selecione para exibição apenas o canal 2 (CH2), e diminua a intensidade do traço. Colocar os 2
canais em GND e centrar o ponto na tela, para poder anotar os valores medidos.
VR3 [V]
2
1
-2
1
-1
2
Vin [V]
-1
-2
Fig. 9 - Característica de Transferência de Tensão da Onda Senoidal
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CIRCUITOS RETIFICADORES – 1ª PARTE
1.0 OBJETIVOS
Após completar estas atividades de laboratório, você será capaz de:
1. Verificar o funcionamento de um retificador de meia onda, tendo como gerador um transformador.
2. Medir a tensão de barreira de potencial do diodo utilizado.
3. Medir a tensão reversa máxima que ocorre sobre o diodo inversamente polarizado e comparar com
o valor teórico esperado.
4. Verificar o funcionamento de um filtro capacitivo e medir a ondulação de saída de uma fonte
(ripple).
2.0 DISCUSSÃO
Os retificadores de meia onda são os circuitos mais simples capazes de converter tensão e corrente
alternadas em tensão e corrente contínuas; entretanto, as tensões geradas por estes circuitos são do
tipo pulsadas, devendo, na maioria dos casos, serem filtradas para posterior utilização nos circuitos
eletrônicos para polarização de componentes bipolares. O sinal alternado de entrada do retificador
pode ser obtido de um gerador de sinais ou de um transformador, que reduz ou aumenta a tensão
disponível na rede. A tensão de saída do retificador pode ser filtrada por um capacitor colocado em
paralelo com a carga, que é conhecido como filtro capacitivo. A ondulação observada sobre o nível
DC após a filtragem é conhecida como ripple e depende da freqüência da entrada, do valor da
capacitância e da corrente solicitada pela carga.
3.0 PROCEDIMENTO
RETIFICADOR DE MEIA ONDA SEM FILTRO
1. Coloque a placa EB-141 nas guias do bastidor e encaixe o conector.
2. Localize o circuito que contém o diodo D1 (Fig. 1). Este circuito encontra-se na porção superior
esquerda da placa de circuito impresso.
SGin
Amplificador
VN1
T1
D1
Vout(+)
1N4003
N1
oscil.
oscil.
~
+ C1
N2
R21
10 Ω
470 µ F
25V
+/-20%
R1
10k Ω
Fig. 1 - Circuito Retificador de Meia Onda
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3. Ligue o gerador de sinais ao osciloscópio e, antes de conectá-lo ao circuito, ajuste sua saída para
um sinal de aproximadamente 4V pico a pico (4 Vpp ), com freqüência de 50Hz, forma de onda
senoidal e com off-set igual a zero. SAÍDA DO GERADOR EM 4Vpp.
4. Ligue o tap-central do transformador ao R21 utilizando-se de um fio como jumper.
5. Utilize o canal 1 do osciloscópio para medir a tensão de secundário N1 (entre anodo de D1 e terra)
e reajuste o gerador para obter uma tensão VN1=14Vpp.
6. Utilize o canal 2 do osciloscópio para medir a tensão de carga entre Vout(+) e terra. Os dois canais
devem estar na mesma escala e com a mesma referência.
7. Desenhe as formas de onda de tensão de entrada e saída do retificador de meia onda na Fig. 2.
É possível observar a queda de tensão sobre D1 ?
VN1, Vout [V]
+7
10
20
30
40
t [ms]
-7
Fig. 2 - Formas de Onda de um Retificador de Meia Onda
8. Meça e apresente o valor da Tensão Reversa Máxima que ocorre no diodo. Está coerente com o
valor teórico esperado ?
9. Passe o canal 1 do osciloscópio para medir a tensão sobre R21 (OBSERVE O TERRA !).
Desenhe a forma de onda de tensão observada na Figura 3, explique o seu significado e porque está
invertida quando comparada a VN1.
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VR21 [mV]
10
20
30
40
t [ms]
-20
Fig. 3 - Forma de Onda da Tensão sobre R21
RETIFICADOR DE MEIA ONDA COM FILTRO CAPACITIVO
10. Ligue o capacitor C1 em paralelo com R1 utilizando-se de um jumper.
11. Desenhe as formas de onda de tensão de entrada e saída na Figura 4, e explique o que ocorreu.
VN1, Vout [V]
+7
10
20
30
40
t [ms]
-7
Fig. 4 - Formas de Onda de um Retificador de Meia Onda com Filtro Capacitivo
12. Selecione o modo AC para o canal 2 e aumente a sensibilidade do canal até poder observar a
ondulação da tensão de saída (ripple). Desenhe o sinal observado na Figura 5 e meça o valor de pico
a pico da ondulação.
13. Calcule o valor teórico desta ondulação e compare com o valor medido. É coerente ?
OBS: Use a expressão:
∆V =
I
Vout
=
fC RfC
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Vripple [mV]
10
20
30
t [ms]
40
Fig. 5 - Forma de Onda da Tensão de Ripple para o Retificador de Meia Onda
14. Passe novamente o canal 1 do osciloscópio para medir a tensão sobre R21 (OBSERVE O
TERRA !). Desenhe a forma de onda de tensão observada na Figura 6 e explique o seu significado.
VR21 [mV]
10
20
30
40
t [ms]
-100
Fig. 6 - Forma de Onda da Tensão sobre R21 com Filtro Capacitivo
ATENÇÃO: APÓS A EXPERIÊNCIA, ORGANIZE SUA BANCADA CONFORME AS “NORMAS
DE UTILIZAÇÃO DO LABORATÓRIO DIDÁTICO PELOS ALUNOS DE ELETRÔNICA
I” (página iii desta apostila). BANCADA EM DESACORDO COM AS NORMAS ACARRETARÁ
EM DIMINUIÇÃO DA NOTA DE LABORATÓRIO, CONFORME PREVISTO.
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CIRCUITOS RETIFICADORES – 2ª PARTE
1.0 OBJETIVOS
Após completar estas atividades de laboratório, você será capaz de:
1. Verificar o funcionamento de um retificador de onda completa com dois diodos, tendo como
gerador um transformador com tap-central.
2. Verificar o funcionamento de um retificador de onda completa em ponte.
3. Observar a tensão de barreira de potencial do diodo utilizado.
4. Medir a tensão reversa máxima que ocorre sobre o(s) diodo(s) inversamente polarizado(s) e
comparar com o valor teórico esperado para cada caso.
5. Verificar o funcionamento de filtros capacitivos e medir a ondulação de saída (ripple).
6. Observar o efeito da variação da corrente de carga sobre um circuito retificador com filtro
capacitivo, sem regulador de tensão.
2.0 DISCUSSÃO
Os retificadores de onda completa são circuitos capazes de converter tensão e corrente alternadas
em tensão e corrente contínuas de maneira mais eficiente que os retificadores de meia onda, por
fornecerem uma tensão pulsada na saída com o dobro da freqüência do sinal de entrada, o que
melhora as condições de filtragem. Dependendo da configuração utilizada (dois ou quatro diodos na
retificação), a tensão reversa sobre os diodos polarizados reversamente pode ser maior ou menor,
assim como a corrente nominal direta, o que deve ser cuidadosamente observado ao projetarem-se
tais circuitos. A ondulação que pode ser observada sobre o nível DC após a filtragem é conhecida
como ripple e depende da freqüência da entrada (e saída), do valor da capacitância e da corrente
solicitada pela carga. Dependendo da corrente de carga, a tensão média de saída pode variar, devido
ao aumento do ripple e devido às impedâncias envolvidas no circuito.
3.0 PROCEDIMENTO
RETIF. DE ONDA COMPLETA COM TRANSFORMADOR COM CENTER-TAP, SEM FILTRO
1. Coloque a placa EB-141 nas guias do bastidor e encaixe o conector.
2. Localize o circuito que contém os diodos D1 e D2 e faça a montagem da Fig. 1.
SGin
Amplificador
Vout(+)
D1
T1
1N4003
N1
~
+
N2
R21
D2
C1
10 Ω
1N4003
470 µ F
25V
+/-20%
oscil.
R1
10k Ω
Fig. 1 – Circuito Retificador de Onda Completa com Tap
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unesp
3. Ligue o gerador de sinais ao osciloscópio e, antes de conectá-lo ao circuito, ajuste sua saída para
um sinal de aproximadamente 4V pico a pico (4 Vpp ), com freqüência de 50Hz, forma de onda
senoidal e com off-set igual a zero.
4. Utilize o canal 1 do osciloscópio para medir a tensão de secundário N1 e reajuste o gerador para
obter uma tensão VN1=14Vpp. ***** ATENÇÃO: entre anodo de D1 e terra ! *****
5. Utilize o canal 2 do osciloscópio para medir a tensão VN2 e anote junto com VN1 na Fig. 2; passe
o canal 2 para medir a tensão de carga entre Vout(+) e terra. Os dois canais devem estar na mesma
escala e com a mesma referência.
6. Desenhe a forma de onda de tensão de saída do retificador na Fig. 2.
É possível observar a queda de tensão sobre D1 e sobre D2 ? Meça e apresente o valor da tensão
reversa máxima nos diodos. Está coerente com o valor teórico esperado ?
VN1, VN2, Vout [V]
+7
10
20
30
40
t [ms]
-7
Fig. 2 – Formas de Onda de um Retificador Onda Completa com Tap
RETIF. DE ONDA COMPLETA COM TRANSFORMADOR COM CENTER-TAP, COM FILTRO
7. Ligue o capacitor C1 em paralelo com R1 utilizando um jumper.
8. Desenhe as formas de onda de tensão de entrada (VN1) e saída (Vout +) na Fig. 3 e meça o valor
DC da saída.
VN1, Vout [V]
+7
10
20
30
40
t [ms]
-7
Fig. 3 – Formas de Ondas com Filtro Capacitivo
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unesp
9. Selecione o modo AC para o canal 2 e aumente a sensibilidade até poder observar a ondulação da
tensão de saída (ripple). Desenhe o sinal observado na Figura 4 e meça o valor de pico a pico da
ondulação (meça o lado da “descida” da onda triangular, que corresponde à descarga do capacitor).
10. Calcule o valor teórico desta ondulação e compare com o valor medido. É coerente ?
Vripple [mV]
10
20
30
40
t [ms]
Fig. 4 - Forma de Onda da Tensão de Ripple para o Retificador de Onda Completa com Filtro
11. Retorne o canal 2 para o modo DC e desligue o capacitor C1.
12. Desligue o jumper que liga o tap central a R21. (Não se esqueça: O terra do osciloscópio é ligado
ao terra da instalação elétrica!)
RETIFICADOR DE ONDA COMPLETA EM PONTE
13. Monte o circuito da Figura 5 e desenhe na Figura 6 a forma de onda de tensão de saída.
*** ATENÇÃO: O JUMPER DO TAP CENTRAL ESTÁ ABERTO! ***
14. Ligue o capacitor C1 em paralelo com R1 utilizando um jumper e desenhe a forma de onda de
tensão de saída na Figura 7; com o multímetro, meça também o valor DC.
15. Selecione o modo AC e aumente a sensibilidade até poder observar a ondulação da tensão de
saída (ripple). Desenhe este sinal na Figura 8 e meça o valor de pico a pico da ondulação.
16. Calcule o valor teórico desta ondulação e compare com o valor medido. É coerente ?
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unesp
Vout(+)
D2
D1
SGin
Amplificador
T1
+
N1
C1
~
470 µ F
25V
+/-20%
R1
oscil.
10k Ω
N2
D4
D3
Fig. 5 – Retificador de Onda Completa em Ponte, sem Filtro Capacitivo
Vout [V]
+14
10
20
30
40
t [ms]
Fig. 6 – Tensão de Saída de um Retificador de Onda Completa, em Ponte, sem Filtro
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unesp
Vout [V]
+14
10
20
30
t [ms]
40
Fig. 7 – Tensão de Saída de um Retificador de Onda Completa, em Ponte, com Filtro
Vripple [mV]
10
20
30
40
t [ms]
Fig. 8 – Forma de Onda da Tensão de Ripple para o Retificador em Ponte com Filtro
17. Retorne o canal para o modo DC e desligue o capacitor C1.
EFEITO DA CARGA SOBRE UM RETIFICADOR COM FILTRO, SEM REGULADOR
18. Monte o circuito da Figura 9, e ajuste RV1 no sentido anti-horário (corrente mínima).
19. Meça, com o osciloscópio, o ripple de pico a pico e anote na tabela da Fig. 10.
20. Preencha a tabela da Figura 10, desligando a carga para obter 0 mA.
21. Desenhe o gráfico do ripple versus corrente de carga na Figura 11 e explique o que ocorreu.
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unesp
_
+
A
D1
SGin
T1
Amplificador
in
1N4003
N1
oscil.
~
+
470 µ F
25V
+/-20%
R21
N2
10 Ω
C1
Carga
Eletrônica
R1
10k Ω
RV1
Fig. 9 - Retificador de Meia Onda com Carga Variável
I [mA]
0
2.5
5
7.5
10
12.5
15
17.5
20
25
Vripple
[mVpp]
Fig. 10 - Variação do Ripple com Carga Variável
Vripple [mVpp]
800
640
480
320
160
5
10
15
20
25
I
L
[mA]
Fig. 11 - Tensão de Ripple em função da Corrente de Carga
ATENÇÃO: APÓS A EXPERIÊNCIA, ORGANIZE SUA BANCADA CONFORME AS “NORMAS
DE UTILIZAÇÃO DO LABORATÓRIO DIDÁTICO PELOS ALUNOS DE ELETRÔNICA I”
(página iii desta apostila). BANCADA EM DESACORDO COM AS NORMAS ACARRETARÁ EM
DIMINUIÇÃO DA NOTA DE LABORATÓRIO, CONFORME PREVISTO.
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CIRCUITOS MULTIPLICADORES, LIMITADORES E GRAMPEADORES DE TENSÃO
1.0 OBJETIVOS
Após completar estas atividades de laboratório, você será capaz de:
1. Verificar o funcionamento de um circuito triplicador de tensão, observando a influência dos diversos
parâmetros de circuito na forma de onda de saída.
2. Verificar o funcionamento de um grampeador positivo e a influência da configuração do circuito na
forma de onda de saída.
3. Observar o funcionamento de circuitos limitadores de tensão.
2.0 DISCUSSÃO
Os multiplicadores de tensão são circuitos construídos com diodos e capacitores e que têm a
capacidade de produzir em sua saída tensões contínuas que são múltiplas inteiras do valor de pico
da tensão alternada de entrada. Como seu funcionamento depende da carga armazenada nos
capacitores, seu desempenho é influenciado por de 3 principais fatores: o valor da capacitância, a
freqüência do sinal de entrada e a solicitação de corrente por parte da carga. Estes fatores, aliados à
queda de tensão direta nos diodos que compõem o circuito, determinam o valor CC da tensão de
saída do multiplicador. Os multiplicadores são utilizados como fontes de alimentação de alta tensão e
baixa corrente, pois uma alta corrente de carga faz com que os capacitores descarreguem-se mais
rapidamente, gerando elevada ondulação (ripple) e conseqüente diminuição do valor médio da tensão
de saída.
Os limitadores de tensão (também conhecidos como ceifadores) são circuitos construídos com
diodos e têm por função manter a tensão em sua saída dentro de limites pré-estabelecidos, conforme
a sua configuração. Sua principal aplicação é proteção, a partir do condicionamento de sinais,
garantindo que determinada carga não receberá tensões fora de uma determinada faixa de valores.
Dependendo do arranjo dos componentes no circuito, pode-se limitar a tensão a um valor máximo, a
um valor mínimo ou dentro de determinada faixa.
Circuitos grampeadores têm como função deslocar a tensão alternada de entrada, adicionando ou
subtraindo um valor CC à forma de onda alternada. São construídos com diodos e capacitores, e
também tem seu funcionamento dependente da carga armazenada nos capacitores, o que limita a
corrente a ser fornecida para o circuito de carga, de modo a garantir seu funcionamento adequado.
3.0 PROCEDIMENTO
CIRCUITO TRIPLICADOR DE TENSÃO
1. Não é necessário inicializar o sistema e nem ligar a fonte principal da MB-U.
2. Utilize o protoboard para montar o circuito do Triplicador de Tensão esquematizado na Figura 1
observando os seguintes cuidados:
a) Seja organizado na sua montagem, para facilitar eventuais correções no circuito montado;
b) Evite entortar os terminais dos componentes, pois estes são frágeis podem se quebrar;
c) Aplique o sinal ao circuito somente quando tiver terminado a montagem e conferido todas
as ligações.
3. Ajuste o gerador de sinais para uma forma de onda senoidal de 1KHz com amplitude de 4Vp, offset
zero, e aplique o sinal de entrada ao circuito usando o cabo BNC-jacaré.
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C2
2,2µF
+
+
D3
D2
D1
~
Canal 1
–
C1
C3
2,2µF
2,2µF
+
+
Canal 2
1MΩ
Fig. 1 – Triplicador de Tensão
4. Com o multímetro meça a tensão DC de saída. Valor encontrado: _________________ .
5. Utilizando o osciloscópio, observe e anote na Figura 2 as formas de onda de tensão de entrada e
tensão de ripple na saída do circuito, lembrando-se de sempre utilizar a melhor escala de
visualização do aparelho. Para melhor entendimento, indique também na figura a linha de referência
para cada canal.
Pergunta: O valor observado da tensão DC de saída é o esperado? Justifique a sua resposta
apresentando os valores das tensões envolvidas.
Tensão de Entrada
escala: _____ V/div
modo de acoplamento vertical:
AC
DC
Ripple de Saída
escala: _____ V/div
modo de acoplamento vertical:
AC
DC
escala horizontal: ______s/div
Fig. 2 – Resultados do Triplicador com frequência 1kHz
6. Altere a frequência do sinal de entrada para 100kHz.
7. Com o multímetro meça a tensão DC de saída. Valor encontrado: _________________ .
8. Utilizando-se do osciloscópio, observe e anote na figura 3 as formas de onda de tensão de entrada
e tensão de ripple na saída.
Pergunta: O que ocorreu com a tensão de saída e com o ripple? Explique o ocorrido.
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Tensão de Entrada
escala: _____ V/div
modo de acoplamento vertical:
AC
DC
Ripple de Saída
escala: _____ V/div
modo de acoplamento vertical:
AC
DC
escala horizontal: ______s/div
Fig. 3 – Resultados do Triplicador com freqüência 100kHz
9. Experimente variar a frequência do sinal para mais e para menos e observe o comportamento do
ripple. Explique o que está acontecendo.
CIRCUITO GRAMPEADOR DE TENSÃO
10. Monte agora o circuito Grampeador esquematizado na figura 4 observando os mesmos cuidados
do item 2.
11. Ajuste o gerador de sinais para uma forma de onda senoidal de 10KHz com amplitude de 3Vp,
offset zero, e aplique o sinal de entrada ao circuito usando o cabo BNC-jacaré.
C1
Canal 1
10 µF
Canal 2
+
+
1MΩ
~
–
D1
Fig. 4 – Grampeador Positivo de Tensão
12. Com o osciloscópio, verifique as tensões de entrada e saída do circuito e anote as formas de
onda na figura 5, lembrando-se de sempre utilizar a melhor escala de visualização do aparelho. Para
melhor entendimento, indique também na figura a linha de referência para cada canal.
13. Desconecte o gerador do circuito, inverta o diodo e a polaridade do capacitor. Reconecte o
gerador e anote as formas de onda de tensão na figura 6.
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Tensão de Entrada
escala: _____ V/div
modo de acoplamento vertical:
AC
DC
Tensão de Saída
escala: _____ V/div
modo de acoplamento vertical:
AC
DC
escala horizontal: ______s/div
Fig. 5 – Resultado do Grampeador Positivo de Tensão
Tensão de Entrada
escala: _____ V/div
modo de acoplamento vertical:
AC
DC
Tensão de Saída
escala: _____ V/div
modo de acoplamento vertical:
AC
DC
escala horizontal: ______s/div
Fig. 6– Resultado do Grampeador Negativo de Tensão
Pergunta: Qual foi a diferença observada no funcionamento do circuito grampeador, após a alteração
realizada? Qual o efeito da tensão de barreira de potencial do diodo no resultado
observado?
CIRCUITO LIMITADOR DE TENSÃO (CEIFADOR)
14. Monte o circuito Limitador Positivo Polarizado (vide Figura 7) observando os mesmos cuidados do
item 2.
15. Aplique na entrada um sinal senoidal de 1KHz com amplitude de 6Vp, offset zero, usando o cabo
BNC-jacaré.
16. Ajuste a fonte PS-2 para zero e anote na figura 8 os sinais de tensão de entrada e de saída.
17. Varie o valor da fonte PS-2 e observe o comportamento do sinal de saída. Explique e justifique a
variação ocorrida.
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1kΩ
Canal 1
Canal 2
D1
+
~
–
PS-2
–
1MΩ
Fig. 7 – Limitador de Tensão
Tensão de Entrada
escala: _____ V/div
modo de acoplamento vertical:
AC
DC
Tensão de Saída
escala: _____ V/div
modo de acoplamento vertical:
AC
DC
escala horizontal: ______s/div
Fig. 8 – Resultado do Limitador Positivo Polarizado
ATENÇÃO: APÓS A EXPERIÊNCIA, ORGANIZE SUA BANCADA CONFORME AS “NORMAS
DE UTILIZAÇÃO DO LABORATÓRIO DIDÁTICO PELOS ALUNOS DE ELETRÔNICA
I” (página iii desta apostila). BANCADA EM DESACORDO COM AS NORMAS ACARRETARÁ
EM DIMINUIÇÃO DA NOTA DE LABORATÓRIO, CONFORME PREVISTO.
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REGULADOR A DIODO ZENER
1.0 OBJETIVOS
Após completar estas atividades de laboratório, você será capaz de:
1. Traçar a curva característica de um diodo zener.
2. Determinar a tensão de ruptura (tensão nominal do Zener) a partir de valores medidos, após
plotagem da curva característica.
3. Observar o funcionamento de um circuito regulador de tensão a diodo Zener.
4. Determinar a regulação de tensão experimentalmente.
2.0 DISCUSSÃO
Os diodos zener são diodos especialmente projetados para funcionamento em sua região de ruptura,
sendo também conhecidos como diodos de avalanche controlada e, portanto, construídos para
trabalhar com polarização reversa. Em um diodo reversamente polarizado, a corrente verificada na
junção é de portadores minoritários, sendo normalmente bastante baixa. Conforme aumenta-se a
tensão reversa aplicada, ocorre a ruptura, e a corrente reversa aumenta rapidamente. Nos diodos
Zener, após a ruptura, a tensão nos terminais pouco se altera, sendo porisso, utilizados para produzir
tensões de referência e em circuitos reguladores de tensão.
3.0 PROCEDIMENTO
CURVA CARACTERÍSTICA DO DIODO ZENER
1. Coloque a placa EB-111 (código 815*017*) nas guias do bastidor e encaixe o conector. Inicialize o
sistema e digite "∗" até mudar o indicador de experiências para 10.
2. Localize o circuito que contém o diodo D3 e faça a montagem da Fig. 1.
+
R7
R6
A
150Ω
PS-1
Vz
oscil.
+
V
D3
RV2
canal 1
Fig. 1 – Circuito de Polarização do Diodo Zener
3. Digite "∗" para mudar o indicador de experiências para 11.
4. Ajuste PS-1 para obter as tensões de entrada da figura 2, iniciando com Ventrada = 0V.
OBS: Utilize a melhor escala possível de sensibilidade do osciloscópio, para não comprometer a
precisão das medidas.
5. Meça a tensão Vz nos terminais de D3 e registre os resultados na tabela da figura 2, para todos os
valores de Ventrada.
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6. Complete a tabela da figura 2 e trace a curva característica V-I do diodo Zener na figura 3.
Ventrada [V]
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
Vz [V]
Iz [mA]
Fig.2 - Tensões e Correntes no Zener
Iz [mA]
50
40
30
20
10
1
2
3
4
5
6
Vz [V]
7
Fig. 3 - Característica V-I do Diodo Zener
MEDIDAS DE REGULAÇÃO DE TENSÃO
7. Digite "∗" para mudar o indicador de experiências para 12.
8. Ajuste a resistência R = (R7 + RV2) para 800Ω utilizando-se do ohmímetro.
9. Desconecte o ohmímetro e faça a ligação entre D3 e R7 utilizando-se de um jumper.
10. Com Ventrada (PS-1) = 5V, meça a tensão Vz nos terminais da carga e anote o resultado na
tabela da figura 4. Varie a tensão de entrada conforme a tabela e complete a linha de resultados para
R=800Ω.
Ventrada [V]
5
6
7
8
9
10
Vz (R=800Ω
Ω) [V]
Vz (R=500Ω
Ω) [V]
Vz (R=200Ω
Ω) [V]
Vz (R=_____Ω
Ω) [V]
REGULAÇÃO (%)
Fig. 4 - Regulação de Tensão e Carga
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11. Digite "∗" para mudar o indicador de experiências para 13.
12. Repita a experiência para os demais valores de resistências indicadas na tabela, e no último
caso, para a menor resistência possível, anotando o valor da mesma, e anote as tensões obtidas
para cada caso.
13. Calcule a regulação e complete a tabela, utilizando a seguinte expressão:
V ( R = 800 Ω ) − V ( Rmin )
x100%
V ( R = 800 Ω )
14. Trace a curva de Regulação de Tensão versus Tensão de Entrada na Figura 5, e trace as curvas
de Tensão na Saída versus Tensão de Entrada na Figura 6, para os quatro valores de carga
experimentados (todos no mesmo gráfico).
Regulação [%]
Ventrada [V]
5
6
7
8
9
10
Fig. 5 – Regulação de Tensão X Tensão de Entrada
Vsaída [V]
Ventrada [V]
5
6
7
8
9
10
Fig. 6 – Tensão de Saída X Tensão de Entrada
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unesp
Analise os gráficos traçados e conclua se o comportamento do circuito quanto à regulação de tensão
é o esperado. Por que ?
E quanto à regulação de carga, a variação da tensão de saída é a esperada? Por que ?
MODO DE PRÁTICA
15. Digite "∗" para mudar o indicador de experiência para 14. Introduza o modo de prática conforme
descrito na folha de Informações Gerais - Parte B, e selecione o código de falha número 7. (X=7).
16. Repita a etapa de regulação de carga (passos 8, 9 e 10) para R = (R7 + RV2) = 800Ω. Anote os
resultados na tabela da Figura 7.
Ventrada [V]
5
6
7
8
9
10
Vz (R=800Ω) [V]
Fig. 7 - Regulação da Carga - Modo Prática
17. Compare os valores do modo prática com os valores do modo experimental e tente explicar as
diferenças observadas.
O circuito continua atuando como um regulador de tensão ? Que tipo de dispositivo foi acrescentado
ao circuito ? Em que ponto ? Tente calcular o valor do componente acrescentado.
18. Siga as instruções da folha de Informações Gerais, retorne ao modo de experiência e encerre sua
sessão de laboratório digitando # 3 *
ATENÇÃO: APÓS A EXPERIÊNCIA, ORGANIZE SUA BANCADA CONFORME AS “NORMAS
DE UTILIZAÇÃO DO LABORATÓRIO DIDÁTICO PELOS ALUNOS DE ELETRÔNICA
I” (página iii desta apostila). BANCADA EM DESACORDO COM AS NORMAS ACARRETARÁ
EM DIMINUIÇÃO DA NOTA DE LABORATÓRIO, CONFORME PREVISTO.
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CARACTERÍSTICAS DO TRANSISTOR BIPOLAR
1.0 OBJETIVOS
Após completar estas atividades de laboratório, você será capaz de:
1. Traçar as curvas características de um transistor bipolar a partir de valores medidos.
2. Determinar o valor do ganho de corrente CC ( β ).
3. Observar o funcionamento de um circuito em emissor comum como fonte de corrente constante.
4. Identificar as regiões ativa, de saturação e de corte, na família de curvas características.
5. Determinar o ganho de corrente CC ( β ) a partir da família de curvas de saída.
2.0 DISCUSSÃO
O ganho de corrente CC ( β ) de um transistor bipolar conectado na configuração emissor
comum pode ser determinado a partir dos valores medidos de corrente de coletor e de corrente de
base (entrada, saída) a partir da seguinte expressão:
β = Ic / Ib
Para um transistor ideal, β pode ser representado por um valor constante, mas na prática, o
valor de β é bastante variável, dependendo principalmente da temperatura da junção e da corrente de
base. As características de saída de um transistor (curvas de coletor) mostram a relação entre a
corrente de coletor e a tensão coletor-emissor e são usualmente representadas pelo conjunto das
curvas para diferentes correntes de base.
3.0 PROCEDIMENTO
CARACTERÍSTICAS DA JUNÇÃO BASE-EMISSOR
1. Coloque a placa EB-111 nas guias do bastidor e encaixe o conector.
2. Localize o circuito que contém o transistor Q1 e faça a montagem ilustrada na Fig. 1, observando
cuidadosamente a ligação do amperímetro ao circuito.
R5
RV1
R4
Q1
+
µA
+
V
+
PS-1
+
5V
Fig. 1 - Características de Entrada do Transistor Bipolar
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3. Ajuste RV1 para obter as diversas correntes de base conforme a tabela da figura 2.
4. Para cada valor de corrente de base, meça a tensão entre base e emissor e registre os resultados.
5-10
Ibase [µA]
(desejada)
Ibase [µA]
(real)
VBE [V]
16-25
30-50
60-100
120-200
Fig. 2 – Características da Junção Base-Emissor
5. Trace o gráfico da corrente de base versus tensão base-emissor na figura 3.
I [ µA]
B
200
160
120
80
40
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
V
0.7
BE
[V]
Fig. 3 - Característica V-I da Junção Base-Emissor
Analise os resultados obtidos e conclua se o comportamento é o esperado. Discuta os resultados
obtidos.
GANHO DE CORRENTE
6. Conecte o circuito ilustrado na figura 5 e ajuste a tensão PS-1 para 10V.
7. Varie a corrente de base através do potenciômetro RV1, para os valores mostrados na tabela da
fig. 4.
IB [µA]
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
IC [mA]
β = Ic / Ib
Fig. 4 - Valores para Ganho de Corrente CC
_____________________________________________________________________________________________________
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R5
RV1
R4
Q1
mA
+
µA
+
+
PS-1
+
5V
Fig. 5 – Circuito para Medidas de Ganho de Corrente CC
8. Calcule o valor do ganho de corrente β a partir dos resultados registrados na figura 4.
Por que o valor de βCC varia durante a experiência?
O TRANSISTOR COMO FONTE DE CORRENTE
9. Utilizando o mesmo circuito da experiência anterior (figura 5), ajuste a tensão de PS-1 para 2V,
medindo com o osciloscópio, e ajuste RV1 de modo a obter uma corrente de coletor de 2mA.
10. Altere o valor de PS-1 de acordo com os valores da tabela da figura 6 e anote as diferentes
correntes de coletor obtidas.
PS-1
[V]
IC
[mA]
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
Fig. 6 – Medidas para o transistor como Fonte de Corrente
Pergunta-se: A corrente de coletor variou? Por que? Qual deveria ser o comportamento esperado?
CARACTERÍSTICAS DE SAÍDA
11. Monte o circuito esquematizado na figura 7. Observe que é o mesmo circuito anterior, bastando
curtocircuitar o resistor R5 utilizando-se de um jumper ou um cabo apropriado.
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R5
Q1
RV1
R4
mA
+
µA
+
+
+
PS-1
+
osciloscópio
5V
Fig. 7 – Levantamento das Características de Saída
12. Ajuste RV1 para obter corrente de 10µA na base e ajuste PS-1 de modo a obter 0.5V ; meça o
valor da corrente de coletor com o amperímetro e anote na tabela da figura 8.
13. Mude o valor de PS-1 de modo a obter todos os valores de VCE listados na tabela da figura 8.
Para cada tensão VCE , anote o valor da corrente de coletor correspondente.
Obs: NÃO altere a resistência RV1 durante as medidas. Preencha a tabela por colunas, não por linhas.
IB [µA]
10
20
VCE [V]
50
80
100
IC [mA]
0.5
1
2
4
6
8
10
Fig. 8 – Dados para Levantamento das Características de Saída
14. Trace na figura 9 a família de curvas de IC versus VCE para IB constante. Trace uma curva para
cada valor de corrente de base, construindo o conjunto de curvas de coletor para o transistor.
15. Identifique as regiões de corte, saturação e ativa no gráfico construído.
É possível observar a região de ruptura?
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unesp
I [ mA]
C
20
15
10
5
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
CE
[V]
Fig.9 – Curvas de Coletor
ATENÇÃO: APÓS A EXPERIÊNCIA, ORGANIZE SUA BANCADA CONFORME AS “NORMAS
DE UTILIZAÇÃO DO LABORATÓRIO DIDÁTICO PELOS ALUNOS DE ELETRÔNICA
I” (página iii desta apostila). BANCADA EM DESACORDO COM AS NORMAS ACARRETARÁ
EM DIMINUIÇÃO DA NOTA DE LABORATÓRIO, CONFORME PREVISTO.
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AMPLIFICADOR TRANSISTORIZADO BÁSICO
1.0 OBJETIVOS
Após completar estas atividades de laboratório, você será capaz de:
1. Projetar um amplificador emissor-comum e montá-lo em protoboard.
2. Medir as tensões e correntes de polarização e comparar com os cálculos realizados.
3. Calcular o ganho de tensão teórico. Medir o ganho de tensão experimental e comparar.
4. Variar o ponto de polarização (para o corte e para a saturação) e verificar as distorções que
ocorrem no sinal de saída amplificado.
5. Avaliar o efeito do capacitor de derivação de emissor no ganho de tensão.
2.0 DISCUSSÃO
Para que um amplificador transistorizado funcione adequadamente é necessário escolher-se
um ponto de operação próximo ao meio da reta de carga CC. Para isto, o valor da tensão VCE
quiescente deve ser aproximadamente igual à metade da tensão de alimentação total do circuito, a
fim de permitir a geração de um sinal CA simétrico na saída do amplificador. Quando esta condição
não é atendida, o transistor poderá estar trabalhando próximo à sua região de corte ou à sua região
de saturação, causando distorção do sinal de saída por ceifamento.
Um amplificador emissor-comum (EC) tem como característica principal o alto ganho de
tensão e a fase de saída invertida em relação à entrada.
O capacitor de derivação de emissor tem por função fornecer um terra CA ao emissor,
reduzindo a linearização do circuito e aumentando o ganho de tensão, sem interferir nos valores de
polarização CC previamente estabelecidos.
3.0 PROCEDIMENTO
1. Projete um amplificador EC utilizando o transistor 2N2222A (βmín = 75). Ajuste o ponto quiescente
próximo ao meio da reta de carga CC. Utilize Vcc = 12V e corrente de coletor ≅ 2mA.
2. Monte, utilizando um protoboard, o circuito projetado, conforme ilustra a Figura 2.
3. Meça, utilizando o multímetro, os valores das tensões CC. Anote os resultados na tabela da Fig. 1
e compare-os com os valores teóricos esperados. Discutir os resultados.
VCC [V]
VB [V]
VE [V]
VC [V]
VCE [V]
Fig. 1 – Medidas das Tensões de Polarização
4.Com o gerador de sinais, aplique uma tensão senoidal na entrada, com frequência 1kHz.
5. Utilizando o osciloscópio, verifique a tensão de saída, anotando as formas de onda observadas na
Figura 3.
6. Calcule o ganho experimental. Compare os valores teórico e experimental. Discutir os resultados
observados.
7. Variar o ponto de polarização variando o valor de R2. Observe as distorções que ocorrem devido
ao corte e à saturação.
8. Desligue e reconecte o capacitor de derivação e observe o que ocorre com o ganho.
9. Antes de encerrar o seu experimento, apresente ao professor os cálculos e os resultados.
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unesp
Vcc
R1
Rc
E
B
C
+
R2
1kΩ
RE
+
Fig. 2 – Amplificador EC com Circuito de Polarização Universal
Fig. 3 – Formas de Onda de Amplificação CA
ATENÇÃO: APÓS A EXPERIÊNCIA, ORGANIZE SUA BANCADA CONFORME AS “NORMAS
DE UTILIZAÇÃO DO LABORATÓRIO DIDÁTICO PELOS ALUNOS DE ELETRÔNICA
I” (página iii desta apostila). BANCADA EM DESACORDO COM AS NORMAS ACARRETARÁ
EM DIMINUIÇÃO DA NOTA DE LABORATÓRIO, CONFORME PREVISTO.
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unesp
CARACTERÍSTICAS DOS TRANSISTORES JFET
1.0 OBJETIVOS
Após completar estas atividades de laboratório, o aluno deverá ser capaz de:
1. Traçar as curvas características de dreno e de transferência a partir de valores medidos.
2. Determinar a resistência de canal.
3. Ligar o JFET como uma resistência variável.
2.0 DISCUSSÃO
O FET é conhecido como transistor unipolar porque a condução de corrente acontece por apenas um
tipo de portador (elétron ou lacuna), dependendo do tipo do FET, de canal n ou de canal p. O nome
“efeito de campo” decorre do fato que o mecanismo de controle do componente é baseado no campo
elétrico estabelecido pela tensão aplicada no terminal de controle. O Transistor JFET recebe este
nome porque é um transistor FET de Junção.
CONSTRUÇÃO
SÍMBOLO
DRENO
V
DG
D (drain)
+
+
n
_
p
p
PORTA
+
V
GS
n
V
DS
(gate) G
_
_
S
(source)
FONTE
Fig. 1 – O transistor JFET
A figura 1 apresenta um JFET de canal n (existe também o JFET de canal p). Seu diagrama
construtivo simplificado representa uma “barra” de silício semicondutor tipo n (semicondutor dopado
com impurezas doadoras) e contendo incrustadas duas regiões tipo p. O JFET da figura 1 tem as
seguintes partes constituintes:
FONTE: (source) fornece os elétrons livres,
DRENO: (drain) drena os elétrons,
PORTA: (gate) controla a largura do canal, controlando o fluxo dos elétrons entre a fonte e o dreno.
As regiões p da porta são interligadas eletricamente.
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Ainda observando a figura 1, a seta apontando para dentro representa uma junção pn de um diodo.
O JFET de canal p tem as mesmas partes constituintes de um JFET de canal n, porém seu símbolo
apresenta a seta em sentido contrário, e as correntes e tensões são consideradas invertidas em
relação ao JFET de canal n.
CARACTERÍSTICAS MAIS IMPORTANTES DO JFET
Controle por Tensão: a corrente entre o dreno e a fonte é controlada pela tensão aplicada na porta,
em contraste com o transistor BJT, cuja corrente de coletor é controlada pela corrente de base.
Alta Impedância de Entrada: para que seja possível o controle de corrente do canal n é necessário
que se produza uma polarização reversa das junções da porta, provocando desta forma um aumento
na região de depleção destas junções e em decorrência disto um estreitamento do canal; com isto,
tem-se baixas correntes de porta, e conseqüentemente, alta impedância.
Curvas Características: o comportamento do JFET pode ser sumarizado por suas curvas de dreno e
de transcondutânica.
Outras Características: os transistores JFET apresentam menores ganhos em relação aos transistores
BJT e em decorrência disto têm maior estabilidade térmica; geometricamente, os JFET têm
dimensões menores quando comparados com os transistores BJT.
POLARIZAÇÃO DO JFET
G
p
n
n
D
S
+
p
+
G
Regiões de
Depleção
+
V
DD
V
GG
+
V
DD
V
GG
Fig. 2 – Polarização do JFET
A figura 2 apresenta o circuito de polarização de um transistor JFET de canal n. Observa-se que para
que seja possível o controle da corrente de dreno são necessárias as seguintes condições:
VDD > 0
VGG < 0
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O fluxo de elétrons da fonte para o dreno depende da largura do canal, isto é, polarização reversa na
porta causa aumento das regiões de depleção, diminuindo a largura do canal e dificultando desta
forma a passagem da corrente entre o dreno e a fonte (é uma região de íons, formada pela difusão
pela junção). Desta forma temos as seguintes condições:
a) LARGURA DO CANAL: depende da tensão VGG, isto é, quanto mais negativa, maior será a região
de depleção e portanto, mais estreito o canal.
b) TENSÃO DE CORTE (VGS): é a tensão suficiente para desaparecer o canal (VGScorte)
também conhecida como Tensão de Deslocamente (pinch-off).
c) CORRENTE DE FUGA DA PORTA: Como a junção da porta opera em polarização reversa,
tem-se uma corrente baixa; desta forma, a CORRENTE DE DRENO é igual à CORRENTE DA FONTE
(ID). Esta é a causa da alta impedância de entrada dos JFET.
OBS: Como a polarização reversa entre a porta e a fonte (VGS) não consome corrente e a largura do
canal depende de VGS, o controle de ID é efetivamente feito pela tensão da porta.
CURVAS DE DRENO
ID
Parábola
I d=kV
2
V GS = 0
Idss= 10mA
Vp
V GS = -1
5.62mA
VGS = -2
2.5mA
VGS = -4
VGS = -3
0.625mA
4
15
30
V DS
Fig. 3 - Curvas de Dreno do JFET
A figura 03 apresenta as curvas de dreno de um JFET tipo n. Observa-se que estas características
são semelhantes às características de um transistor BJT, apresentando as regiões de saturação,
ruptura, e região ativa. Observa-se também que, nestas características, a região entre VDS = 0 e VDS =
4V apresenta um comportamento linear (região ôhmica) e que a partir de Vp a resistência aumenta.
Para VGS = 0 (porta em curto) e uma tensão VDS = Vp a corrente de dreno assume o valor IDSS, que é a
máxima corrente de dreno (drain-source short circuit current).
Observa-se que há uma semelhança entre as características de dreno do transistor JFET com as
características de coletor de um transistor BJT.
Nota-se uma região de saturação, compreendida entre VDS = 0 e VDS = Vp.
Há uma equivalência entre corrente de dreno no JFET e corrente de coletor do BJT, bem como entre
a tensão dreno-fonte do JFET e a tensão coletor-emissor do BJT.
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A região de saturação do JFET também é conhecida como REGIÃO ÔHMICA, pois nesta região a
resistência entre dreno e fonte é dependente da tensão de controle da porta. Daí o fato dos
transistores FET poderem ser utilizados em circuitos onde se necessita o controle de resistência
através de tensão.
Uma característica importante do transistor FET é que este apresenta uma tensão VGS de corte igual
a tensão Vp (máxima na saturação).
CURVAS DE TRANSCONDUTÂNCIA
A curva de transcondutância relaciona a corrente de saída com a tensão de entrada de um
JFET. Através da Equação de Schokley relaciona-se a corrente ID com a tensão VGS, segundo uma
relação quadrática:

VGS 
I D = I DSS 1 −

 VGS ( corte ) 
2
Como o JFET apresenta uma relação quadrática entre a corrente de dreno-fonte e a tensão
de controle VGS, diz-se que este dispositivo é um dispositivo de Lei Quadrática.
ID
I Dss
arco de parábola
VGS(corte)
VGS
Fig. 4 - Curva de Transcondutância
Na região ôhmica, o JFET apresenta a seguinte relação para a sua resistência de canal:
ro
rD =
 VGS 
1 +

 V p 
2
Idmax = KV , onde K é uma constante especificada pelo fabricante.
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unesp
3.0 PROCEDIMENTO
1. Coloque a placa EB-112 nas guias do bastidor, encaixe o conector e ligue o sistema.
2. Execute os passos contidos na folha de Informações Gerais para entrar no Modo de Experiência.
3. Localize o circuito da figura 5 na placa de circuito impresso e faça as ligações indicadas.
A
D
Q1
+
Vo1
(+) PS-1
Ids
G
S
R4
1 MΩ
Vgs
Vds
osciloscópio
osciloscópio
PS-2
+
Fig. 5 – Circuito com JFET
CURVAS DE DRENO
4. Digite "∗" para mudar o indicador de experiências para 2.
5. Ajuste Vgs = 0 através de PS-2. Varie Vds ajustando PS-1 para obter tensões de acordo com a
figura 6. Meça e registre os valores das tensões e correntes para cada caso.
PRESTE ATENÇÃO: Mudanças na escala do amperímetro afetam as medidas e ajustes! Se mudar a
escala do amperímetro, refaça o ajuste de Vds. Usar o osciloscópio no modo HF Rej.
Levantar os dados para uma curva de Vgs de cada vez. Aterrar Vin2 para evitar ruídos.
Vds[V]
Vgs[V]
0
-0.25
-0.5
-1.0
-3.0
0
0.1
0.25
0.5
1.0
2.0
5
10
Id[mA]
Fig. 6 – Características do Dreno
6. Repita o passo anterior para todos os valores de Vgs da tabela e complete-a.
7. Em seguida, trace as Curvas Características de Dreno (conforme sugestão na figura 7), a partir dos
valores medidos e responda:
Quais são os valores de Idss e Vp (quando Vgs = 0 ) ?
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unesp
ID [mA]
2.0
1.5
1.0
0.5
VDS [V]
0
0 1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
Fig. 7 – Curvas Características de Dreno
CARACTERÍSTICAS DE TRANSFERÊNCIA
8. Usando os resultados obtidos na figura 6, registre as variações da corrente de dreno Id com a
variação na tensão de porta Vgs, para três tensões Vds diferentes, conforme indicado na figura 8.
Vgs[V]
Vds[V]
0.1
1
10
0
-0.25
-0.5
Id[mA]
-1.0
-3.0
Fig. 8 – Características de Transferência
9. Trace as Curvas Características de Transferência conforme sugestão na figura 9.
I
D
[mA]
2.0
1.5
1.0
0.5
V
-3
-2.5
-2
-1.5
-1
GS
[V]
-0.5
Fig. 9 – Curvas Características da Transferência
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unesp
RESISTÊNCIA DO CANAL (Rds)
10. Retorne as fontes PS-1 e PS-2 aos seus valores mínimos (zerar as fontes). Monte o circuito de
teste da figura 10. Obs: Neste circuito, a fonte PS-1 precisa ser ligada com fio. Use o voltímetro na
menor escala.
Vo1
R3
Vin1
(+)PS-1
Q1
R4
V
Vds
Fig. 10 – Circuito Para Medida de Resistência "ON"
11. Digite "∗" para mudar o contador de experiências para 3.
12. Ajuste a fonte PS-1 inicialmente para 1V (meça com o voltímetro diretamente em Vin1).
13. Meça a tensão Vds para as duas situações indicadas na figura 11 e calcule o valor da resistência
de canal Rds(on) em Ohms, para cada caso, considerando-se que R3 vale 10kΩ. Houve alteração no
valor de Rds(on) ? Por que Vds tem que ser baixo ?
Vds [mV]
PS-1 [V]
1
Rds(on) [Ω]
Rds (on ) =
2
R3 .Vds
Vds
=
Id
( PS 1 − Vds )
Fig. 11 – Medidas de Resistência do Canal
O FET COMO RESISTÊNCIA VARIÁVEL (ATENUADOR)
14. Digite "∗" para mudar o contador de experiências para 4.
15. Retorne as fontes PS-1 e PS-2 aos seus valores mínimos (zerar as fontes) e faça as ligações do
circuito da figura 12. O circuito é um divisor resistivo R3-Rds, observe !
16. Ajuste Vgs para 0V e aterre a entrada Vin2 .
17. Ajuste a freqüência do gerador de sinais para 1kHz e sua amplitude para 200mVp-p com uma
componente contínua de 100mV, como mostra a Fig. 13. (osciloscópio em DC)
18. Meça a tensão dreno-fonte Vds e anote os valores de pico-a-pico na Figura 10. Meça e registre o
valor da tensão de entrada Vin1 ao mesmo tempo. Varie Vgs de acordo com a tabela da Fig. 14 e
complete-a.
Responda:
As mudanças em Vds são lineares ? Por que ?
Obs: Rds é diferente para cada Vgs.
19. Aumente Vent para 3Vp-p com uma componente contínua de 1,5V. Varie o valor de Vgs entre 0V
para –5V e observe as mudanças em Vds.
Responda:
Há distorções ? Explique as causas.
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unesp
20. Encerre, digitando # 3 * .
Vin1
Vo1
R3
10k
Q1
gerador
R4
1M
~
Vds
V
Vgs
osciloscópio
osciloscópio
PS-2
+
Fig. 12 – O FET como Atenuador
200
100
Fig. 13 – Forma de Onda do Sinal de Entrada
Vgs [V]
0
Vds [mVpp]
Vin1 [mVpp]
-0.5
-1.0
-1.5
-2.0
-5.0
Fig. 14 – Medidas de Atenuação
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unesp
CIRCUITO AMPLIFICADOR COM JFET
1.0 OBJETIVOS
Após completar estas atividades de laboratório, o aluno deverá ser capaz de:
1. Medir os valores CC no circuito amplificador com JFET.
2. Determinar a resposta em freqüência experimental do amplificador com JFET.
3. Verificar como as mudanças no resistor de carga alteram o valor do ganho de tensão.
2.0 DISCUSSÃO
De maneira análoga ao que ocorre com os transistores bipolares de junção (BJT), nos transistores de
efeito de campo de junção (JFET), o sinal de saída é invertido em relação ao sinal de entrada, e para
o seu funcionamento é necessária a polarização CC.
Ainda de maneira análoga, com o JFET é possível construir-se amplificadores Fonte-Comum, DrenoComum, associar estágios em cascata e montar circuitos muito parecidos com aqueles construídos
com o BJT.
O amplificador FET tem menor ganho e impedância mais alta que os amplficadores similares com
BJT, além de ser menos sensível à radiação e gerar menos ruído.
3.0 PROCEDIMENTO
TENSÕES DE POLARIZAÇÃO
1. Coloque a placa EB-112 nas guias do bastidor, encaixe o conector e ligue o sistema.
2. Execute os passos contidos na folha de Informações Gerais para entrar no Modo de Experiência.
3. Localize o circuito da figura 1 na placa de circuito impresso e faça as ligações indicadas.
Vo1
D
Q1
R1
(+) PS-1
(VDD)
G
S
R4
1 MΩ
V
RV1
C3
Fig. 1 – Polarização do Amplificador Fonte Comum (SC)
4. Digite "∗" para mudar o indicador de experiências para 6.
5. Ajuste Vdd ajustando a fonte PS-1 para +12V. (utilize o voltímetro).
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unesp
OBS.: Se não for possível ajustar a fonte PS-1 para 12V, ajustar para o maior valor possível. Anote o
resultado na tabela da Figura 2.
6. Ajuste RV1 de modo que a tensão VD (medida no multímetro) seja 6V (ou aproximadamente a
metade da tensão Vdd ajustada, caso esta não tenha sido +12V).
ATENÇÃO: Após ajustar RV1, cuidado para não encostar no botão do potenciômetro, pois este
desajusta-se com facilidade.
7. Meça as demais tensões de polarização do JFET e registre na tabela da Figura 2.
VDD [V]
VS [V]
VD [V]
VGS [V]
Fig. 2 – Tensões de Polarização do Amplificador SC
RESPOSTA EM FREQÜÊNCIA
8. Retire o voltímetro do circuito. Para verificar o funcionamento do amplificador SC, acrescente o
gerador de sinais e os 2 canais do osciloscópio, conforme esquema na figura 3.
(+) PS-1
R1=RL=10kΩ
C1
Vo2
Q1
VIN2
D
C2
G
Gerador
de
Sinais
S
R4
1MΩ
~
VIN
VOUT
RV1
C3
Fig. 3 – Amplificador Fonte Comum (SC)
9. Ajuste o gerador de sinais para um sinal senoidal de 1kHz e amplitude de 200mVpp (medir no
GATE).
10. Digite "∗" para mudar o indicador de experiências para 7.
11. Meça as tensões de entrada e saída e registre-as na tabela da Figura 4.
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unesp
12. Varie a freqüência do gerador de sinais de acordo com os valores da tabela da figura 4; registre
os valores de tensão de saída, conferindo sempre se a tensão de entrada e corrigindo-a, se
necessário.
13. Calcule o ganho de tensão Av = Vout/Vin e complete a tabela.
f [kHz]
VIN [mVpp]
0,1
200
1
200
5
200
10
200
20
200
30
200
50
200
70
200
100
200
VOUT [Vpp]
Av
Fig. 4 – Variação do Ganho com a Freqüência para o Amplificador SC
14. Esboce o gráfico da resposta em freqûência para o amplificador SC sob análise na Figura 5.
10
1
10
2
10
3
10
4
10
5
10
6
Fig. 5 – Resposta em Freqüência para o Amplificador SC
_____________________________________________________________________________________________________
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unesp
Usando o valor da transcondutância encontrado na experiência anterior, calcule o ganho
usando a expressão Av = gm.R1 e compare com os resultados experimentais obtidos. São próximos?
São coerentes?
EFEITO DA VARIAÇÃO DE CARGA
15. Utilizando-se do mesmo circuito anterior, retorne a freqüência do gerador para 1kHz.
16. Digite "∗" para mudar o indicador de experiências para 8.
17. Meça e registre na tabela da Figura 6 os valores de Vin e Vout para RL=R1.
18. Altere o valor da carga para RL=R2 e meça novamente os valores de Vin e Vout, registrando-os
na tabela da Figura 6.
19. Calcule o ganho de tensão Av para ambos os casos e registre-os na tabela da Figura 6.
RL
VIN [mVpp]
VOUT [Vpp]
Av
R1=10 kΩ
Ω
R2=2.2 kΩ
Ω
Fig. 6 – Efeito da Variação da Carga sobre o Ganho de Tensão no Amplificador SC
Usando o valor da transcondutância encontrado na experiência anterior, calcule o ganho
usando a expressão Av = gm.R1 e compare com os resultados experimentais obtidos. Comente.
20. Encerre, digitando # 3 * .
ATENÇÃO: APÓS A EXPERIÊNCIA, ORGANIZE SUA BANCADA CONFORME AS “NORMAS
DE UTILIZAÇÃO DO LABORATÓRIO DIDÁTICO PELOS ALUNOS DE ELETRÔNICA
I” (página iii desta apostila). BANCADA EM DESACORDO COM AS NORMAS ACARRETARÁ
EM DIMINUIÇÃO DA NOTA DE LABORATÓRIO, CONFORME PREVISTO.
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unesp
CARACTERÍSTICAS DO TRANSISTOR MOSFET
1.0 OBJETIVOS
Após completar estas atividades de laboratório, o aluno deverá ser capaz de:
1. Traçar as curvas características do MOSFET a partir de valores medidos.
2. Ligar o MOSFET como uma chave digital e determinar suas características de comutação.
3. Ligar o MOSFET como uma chave analógica e determinar suas características de comutação.
2.0 DISCUSSÃO
Transistores de Efeito de Campo Metal-Óxido-Semicondutor (MOSFET) apresentam diversas
semelhanças e algumas diferenças em relação aos Transistores JFET; a principal diferença é o fato
da porta ser totalmente isolada do canal por uma camada de óxido (dióxido de silício). Com isto, o
dispositivo apresenta uma impedância de entrada infinita e, dependendo da construção, tamanho
físico bastante reduzido, quando comparado ao BJT ou ao JFET de mesma potência. Esta
característica permite a construção de circuitos integrados com altíssima escala de integração (VLSI).
Apresenta-se a seguir o apecto construtivo básico de MOSFET tipo intensificação e tipo depleção.
SiO 2
n
D
n+
D
substrato
_
p
SS
G
p
Contatos
Metálicos
(substrato)
G
n
S
n
S
n+
p
Canal n
MOSFET TIPO DEPLEÇÃO
SiO 2
n
D
D
n+
substrato
_
p
SS
G
p
G
(substrato)
Contatos
Metálicos
S
S
n
n+
p
sem canal
MOSFET TIPO INTENSIFICAÇÃO
CARACTERÍSTICAS
_____________________________________________________________________________________________________
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unesp
A porta é isolada do canal
Substrato é fracamente dopado e conectado ao terminal S (fonte)
Controlado por tensão
O MOSFET depleção pode funcionar também no modo intensificação
FUNCIONAMENTO
a) VGS=0: Com uma polarização nula na porta, não há alteração do canal (fisicamente ou
eletricamente) e a corrente que flui pelo canal corresponde ao fluxo de elétrons livres, da mesma
forma que ocorre nos transistores JFET.
b) VGS<0: Aplicando-se uma tensão negativa na porta estabelece-se um campo elétrico no material
dielétrico de modo que os elétrons do canal são repelidos em direção do substrato e as lacunas do
substrato são atraídas, ocorrendo recombinação de portadores e causando uma diminuição do
número de elétrons livres no canal. Quanto mais negativa for a tensão VGS, menor a corrente entre o
dreno e a fonte (IDS). No MOSFET intensificação permanece a inexistência de canal.
c) VGS>0: Ao aplicar-se uma tensão positiva na porta, estabelece-se um campo elétrico que arrasta os
portadores livres do substrato (corrente de fuga), criando-se assim, novos portadores de corrente no
canal a partir das colisões resultantes, e em decorrência disto há um aumento na capacidade de
condução de corrente no canal; isto é chamado de operação no modo intensificação. No caso do
MOSFET tipo intensificação, o acúmulo de elétrons do substrato junto ao dielétrico, causado pelo
campo aplicado, forma um canal por onde circula a corrente dreno-fonte.
CURVAS DE DRENO
ID
VGS > 0
IDss
VGS = 0
modo intensificação
modo depleção
VGS < 0
VGS(off)
V DS
Vp
Curvas de Dreno de um MOSFET
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ID
modo depleção
modo intensificação
VGS(off)
VGS
Curva de Transcondutância do MOSFET
O VMOS é um MOSFET de potência. Um MOSFET comum trabalha com correntes na ordem de
miliamperes, e o VMOS típico transfere correntes de centenas de miliamperes (exemplo: o VMOSFET
VN10KM tem uma corrente típica de dreno de 300mA).
O VMOS normalmente é usado em circuitos de comutação, na interface entre circuitos integrados de
baixa potência e cargas de alta potência e em amplificadores de potência.
Nota: Há uma diferença de parâmetros entre os MOSFETs de cada unidade, o que é perfeitamente
normal.
3.0 PROCEDIMENTO
CURVAS DE DRENO (CARACTERÍSTICAS DE SAÍDA)
1. Coloque a placa EB-112 nas guias do bastidor, encaixe o conector e ligue o sistema.
2. Execute os passos contidos na folha de Informações Gerais para entrar no Modo de Experiência.
3. Localize o circuito da Fig. 1 na placa de circuito impresso e faça as ligações indicadas.
4. Digite "∗" para mudar o indicador de experiências para 11.
5. Ajuste Vgs = 0 através de PS-2. Varie Vds ajustando PS-1 para obter tensões de acordo com a
tabela da figura 2. Meça e registre os valores das tensões e correntes para cada caso.
PRESTE ATENÇÃO: Ajuste primeiro V2 (V2 = – PS-2), retire a ponta do osciloscópio do circuito, e
após meça Id. Os resultados serão mais precisos. Mudanças na escala do amperímetro afetam as
medidas e ajustes !
(é perfeitamente normal não serem preenchidos todos os quadradinhos da tabela, principalmente
para valores Vds maiores que 1V.)
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A
R5
Vout2
(+) PS-1
Q2
Vin2
Vds
R6
Vgs
osciloscópio
osciloscópio
+
V2
Fig. 1 – Circuito de teste VMOS
Vds[V]
Vgs[V]
0
0.05
0.1
0.25
0.3
0.35
0.4
0.5
1.0
5.0
Id[mA]
0
1
1.5
2
2.5
3
4
5
Fig. 2 – Características do Dreno – VMOS
6. Repita o passo anterior para todos os valores de Vgs da tabela e complete-a.
7. Após, trace as Curvas Características de Dreno na figura 3 (monolog) (ID x VDS), a partir dos
valores medidos e responda:
7.1 - Por que nem sempre Vds pode atingir Vdd ?
7.2 - O VMOS é semelhante a qual dispositivo ? Qual é a principal diferença ?
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10
1
10
2
10
3
10
4
10
5
10
6
Fig. 3 – Curvas de Dreno VMOSFET
RESPOSTA À ONDA QUADRADA
8. Zerar as fontes PS-1 e PS-2 (retorne-as aos seus valores mínimos, em módulo).
9. Altere o circuito anteriormente montado para o indicado na figura 4a. e digite "∗" para mudar o
indicador de experiências para 12.
10. Ajuste o gerador de sinais para fornecer uma onda quadrada entre 0V e 5V (saída TTL) de 10kHz
e fixe a fonte PS-1 em 5V.
11. Com o osciloscópio, obtenha as formas de onda de entrada e saída e esboce-as na figura 4b.
Indique os valores de tensão e tempo.
Vout2
R5
(+) PS-1
Q2
Vin2
Vout
Gerador
Vin
R6
osciloscópio.
osciloscópio
Fig. 4a – O VMOS como comutador para onda quadrada
12. Repita o procedimento para as freqüências de 1Hz, 10Hz, 100Hz, 1kHz, 10kHz, 100kHz, 1MHz
(não é preciso anotar as formas de onda, apenas observe o comportamento).
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Observe atentamente os resultados observados para estas freqüências e responda:
12.1 - Como é a resposta à freqüência ?
12.2 - Existem distorções devido ao aumento da freqüência ?
12.3 - Compare a linearidade com um circuito semelhante que use um transistor bipolar.
13. Mantendo a freqüência em 10kHz, varie PS-1 e observe o que ocorre com VdsON. Explique.
Vin(V)
5
0
Vout(V)
5
t 0
t
Fig. 4b – Características de comutação do VMOS para onda quadrada
O VMOS-FET COMO CHAVE ANALÓGICA (COMUTADOR ANALÓGICO)
14. Zerar as fontes PS-1 e PS-2 (retorne aos seus valores mínimos, em módulo).
15. Altere o circuito anteriormente montado para o indicado na figura 5a. e digite "∗" para mudar o
indicador de experiências para 13.
16. Ajuste o gerador de sinais de modo que Vin1 seja uma senóide com aproximadamente 3,3Vpp,
toda positiva (valor mínimo de 0.2V e máximo de 3.5V), com freqüência de 1kHz. (ajustar o off-set do
gerador).
17. Ligue alternadamente o resistor R6 a +5V ou à terra, como indicado pelas setas tracejadas na
figura 5a., para operar o circuito como uma chave.
Cuidado para não ligar os dois jumpers ao mesmo tempo, o que causaria uma curto-circuito na
fonte de alimentação.
18. Ligue e desligue o VMOS-FET e esboce as formas de onda de entrada e saída conforme
sugestão na figura 5b.
19. Desligue o VMOS e determine se a chave VMOS funciona como uma chave ideal nas freqüências
de 10Hz, 100Hz, 10kHz e 100kHz.
20. Mude a senóide para uma onda quadrada e observe. Como é a resposta do VMOS ?
21. Reajuste o gerador de sinais para fornecer uma onda senoidal de 1kHz com picos entre -3V e
+3V, e observe com o osciloscópio a forma de onda de saída enquanto o VMOS corta e conduz.
Responda:
21.1 - O VMOS-FET é uma chave analógica bidirecional ? Por que ?
21.2 - O que acontece se você usar uma fonte variável em vez da tensão de +5V ?
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unesp
Vin1
Q2
Vin
Gerador
~
Vout1
osciloscópio
R7
R6
Vout
osciloscópio
+ 5V
Fig. 5a. – O VMOS como comutador (chave) analógico
Vin(V)
4
t
0
Vout(V)
4
0
on
off
on
off
on
off
t
Fig. 5b – Formas de Onda do Comutador Analógico (Chave Analógica com MOSFET)
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unesp
MODO DE PRÁTICA
22. Digite "∗" para mudar o contador de experiências para 14.
23. Ligue o VMOS como uma chave analógica (vide figura 5a).
24. Ajuste o gerador de sinais de modo que Vin1 seja uma senóide entre 0.2V e 3.5V de 1kHz.
25. Ligue o resistor R6 a +5V.
26. Siga os passos descritos no folheto de Informações Gerais - item B - para introduzir o Modo de
Prática, e insira o código de falha nº 6 ("X"=6).
27. Observe os sinais de entrada e saída e compare com as formas de onda da figura 5b. Responda:
Há alguma diferença ? O que pode ter causado esta diferença ?
28. Volte ao Modo de Experiência, seguindo as instruções do ítem C da Informações Gerais.
29. Encerre, digitando # 3 * .
ATENÇÃO: APÓS A EXPERIÊNCIA, ORGANIZE SUA BANCADA CONFORME AS “NORMAS
DE UTILIZAÇÃO DO LABORATÓRIO DIDÁTICO PELOS ALUNOS DE ELETRÔNICA
I” (página iii desta apostila). BANCADA EM DESACORDO COM AS NORMAS ACARRETARÁ
EM DIMINUIÇÃO DA NOTA DE LABORATÓRIO, CONFORME PREVISTO.
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unesp
CIRCUITO AMPLIFICADOR COM MOSFET
1.0 OBJETIVOS
Após completar estas atividades de laboratório, o aluno deverá ser capaz de:
1. Montar um amplificador Fonte Comum utilizando um transistor MOSFET e os componentes
disponíveis na placa EB-112.
2. Medir o ganho do amplificador e observar sua resposta em freqüência.
2.0 DISCUSSÃO
De maneira análoga aos circuitos amplificadores construídos com Transistores Bipolares de Junção
(BJT) e com os Transistores de Efeito de Junção (JFET), podem-se construir amplificadores utilizando
Transistores MOSFET nas mesmas configurações. O amplificador Fonte Comum apresenta as
mesmas características do amplificador SC com JFET, ou seja, alto ganho, inversão de fase na saída
e alta impedância de entrada.
3.0 PROCEDIMENTO
GANHO DE TENSÃO
1. Coloque a placa EB-112 nas guias do bastidor, encaixe o conector e ligue o sistema.
2. Execute os passos contidos na folha de Informações Gerais para entrar no Modo de Experiência.
3. Digite "∗" para mudar o indicador de experiências para 15.
4. Observe o circuito da Figura 1 e localize na placa EB-112 os componentes necessários para
construir o amplificador SC esquematizado.
5. Após montar o amplificador, ajuste PS-1 para 10V (Vdd) .
6. Ajuste Vg de modo a obter uma tensão Vds de aproximadamente 5V (meio da reta de carga).
7. Aplique na entrada um sinal senoidal de f=1kHz e valor pico-a-pico de 40mV.
8. Observe e anote na Figura 2 as formas de onda de entrada e saída, observadas simultaneamente
nos dois canais do osciloscópio.
9. Calcule o ganho de tensão nesta situação.
RESPOSTA EM FREQÜÊNCIA
10. Utilizando o mesmo circuito de amplificador já montado, varie a freqüência do sinal de entrada e
observe o comportamento do amplificador na faixa estabelecida (valores na tabela da Figura 3).
11. Trace o gráfico Ganho X Freqüência na Figura 4 e entenda o resultado observado.
12. Encerre, digitando # 3 * .
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unesp
PS-1
10kΩ
Q
C
10kΩ
V
Vin
Vd
~
V
R
100µF
5kΩ
+
osciloscópio
osciloscópio
V
Fig. 1 – Circuito Amplificador Fonte Comum SC
Canal 1 – sinal de entrada (gerador)
escala vertical: _____ V/div
modo de acoplamento vertical:
AC
DC
Canal 2 – sinal de saída
escala vertical: _____ V/div
modo de acoplamento vertical:
AC
DC
escala horizontal: _______ s/div
OBS: Indicar onde foi ajustada a
referência de tensão (GND)
Fig. 2 – Tensões de Entrada e Saída do Amplificador SC
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unesp
f [kHz]
VIN [mVpp]
0,1
40
1
40
5
40
10
40
20
40
30
40
50
40
70
40
100
40
200
40
500
40
1000
40
VOUT [Vpp]
Av
Fig. 3 – Variação do Ganho com a Freqüência para o Amplificador SC
10
1
10
2
10
3
10
4
10
5
10
6
Fig. 4 – Resposta em Freqüência do amplificador SC
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unesp
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ANEXO
TEORIA DO OSCILOSCÓPIO
1.0 OBJETIVOS
Apresentar Noções Elementares de funcionamento do Osciloscópio de Tubo de Raios Catódicos e
seus principais comandos e funções.
2.0 INTRODUÇÃO
O osciloscópio de raios catódicos foi inventado em 1897 por Ferdinand Braun, com a
finalidade de analisar as variações de tensão elétrica no tempo. Paralelamente, neste mesmo ano,
J.J. Thomson mediu a carga do elétron a partir da sua deflexão na presença de campos
magnéticos. Em 1905 foi possível a industrialização deste tipo de equipamento com a utilização de
tubos de raios catódicos feitos por Welhnet e que tem passado por diversos aperfeiçoamentos,
com osciloscópios cada vez mais modernos, providos de recursos mais avançados.
A apresentação de dados pelo osciloscópio fornece mais informações do que seria possível
obter de qualquer outro instrumento de teste e medição, tal como freqüêncímetros, multímetros,
etc., podendo-se determinar “quanto” de um sinal é corrente contínua, alternada e ruído (ou se o
ruído varia com o tempo), além da própria freqüência do sinal. O osciloscópio permite observar
tudo de uma vez, ao invés de exigir várias etapas de teste e medição.
Com o osciloscópio torna-se possível a observação de uma diferença de potencial (ddp) em
função do tempo, ou de outra ddp, a partir da posição de uma “mancha” ou mesmo um ponto
luminoso numa tela graduada, resultante do impacto de um feixe de elétrons acelerados e
defletidos pela ação de campos elétricos ou magnéticos, incidentes num anteparo revestido de
material fluorescente. Pode-se também, através de um transdutor adequado, avaliar qualquer
outro fenômeno dinâmico, como exemplo: a oscilação de um pêndulo, a variação da temperatura
ou de luz de um ambiente, as batidas de um coração, transformando as grandezas em análise em
tensões elétricas.
As descrições que serão apresentadas neste texto dizem respeito aos modelos mais comuns
de osciloscópios, de duplo traço, e no seu aparelho especificamente, pode aparecer com outro
nome, mas as funções são análogas.
2.1 DESCRIÇÃO GERAL
Os modelos mais comuns dispõem de dois circuitos verticais que geram as tensões de
deflexão do feixe de elétrons no eixo Y (vertical) que aparece na tela, fruto das variações da
grandeza em análise. O circuito horizontal movimenta este feixe ao longo do eixo X (horizontal) da
tela, deslocando-o para a direita ou para a esquerda. O circuito de disparo ou trigger determina
quando o aparelho traça o gráfico na tela, dando início à varredura na tela.
O elemento básico de um osciloscópio é o tubo de raios catódicos, onde um feixe de elétrons
emitido pelo catodo é focalizado e acelerado por dois anodos, um dos quais a um potencial mais
elevado em relação ao catodo. A intensidade deste feixe é controlada por uma grade entre o
catodo e o primeiro anodo conforme Fig.1. O feixe eletrônico passa entre dois pares de placas
defletoras (verticais e horizontais). As ddp´s aplicadas a estas placas, carregando-as positiva ou
negativamente, desviam o feixe eletrônico nas direções horizontal ou vertical e finalmente o fazem
incidir sobre um anteparo fluorescente, resultando na formação de uma “mancha” ou de um ponto
luminoso.
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Anexo da Apostila de Lab. de Eletrônica I - Prof. Cláudio Vara de Aquino
página 1
unesp
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Figura 1: o tubo de raios catódicos (TRC).
Todo osciloscópio possui um conjunto de circuitos que permitem, na ausência de sinal, formar
corretamente
mente o feixe eletrônico, focalizando-o
focalizando
e posicionando-o
o num ponto do anteparo,
correspondentes aos controles que devem ser ajustados em primeiro lugar:
1. Controle de intensidade do ponto luminoso que varia o brilho da imagem. Cuidado para
não usar um brilho
ho excessivo, que pode danificar permanentemente o anteparo.
anteparo A
condição perigosa é anunciada pelo aparecimento de um halo em torno do feixe.
2. Controle de foco que procura reduzir a imagem do feixe a um ponto luminoso. Verifica-se
Verifica
uma interação entre os controles
controles de intensidade e de foco, devendo este ser reajustado
sempre em função da intensidade.
3. Controle de posicionamento horizontal em conseqüência da variação da diferença de
potencial contínua que é aplicada às placas defletoras verticais (eixo X).
4. Controle
le de posicionamento vertical em conseqüência da variação da diferença de
potencial contínua que é aplicada às placas defletoras horizontais (eixo Y).
2.2 Descrição funcional do osciloscópio
As principais funções efetuadas pelos vários circuitos que compõem um osciloscópio e suas
inter-relações
relações podem ser visualizadas com clareza através do diagrama de blocos apresentado na
Fig. 2.
O sinal a ser examinado deve sempre ser transformado numa tensão elétrica. Uma grandeza
não elétrica deve ser transformada em tensão com o emprego de um transdutor. Este sinal é
normalmente aplicado a uma das entradas (CH1 ou CH2) dos amplificadores verticais. Nestes
amplificadores, a tensão do sinal é amplificada até atingir a amplitude suficiente para provocar
deflexões no feixe
e eletrônico e que possam ser observadas na tela do tubo de raios catódicos.
Na maioria das vezes, deseja-se
deseja se observar uma tensão em função do tempo, sendo
necessário gerar no próprio instrumento, uma base de tempo, isto é, uma tensão periódica que
aumente proporcionalmente ao tempo, durante uma certa parte de seu período. Tais ondas de
tensão são chamadas “dente de serra” e sua aparência é aquela apresentada na Fig. 3. A parte
útil do “dente de serra”, em cada ciclo, é apenas o intervalo definido pela rampa;
ramp somente durante
o tempo correspondente a este intervalo é que o feixe eletrônico deve realmente existir. O bloco
denominado DESBLOQUEIO na Fig. 2 é encarregado de interromper periodicamente o feixe,
aplicando, no instante adequado, uma polarização conveniente
conveniente à grade de controle do tubo de
raios catódicos.
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página 2
unesp
DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELÉTRICA
Figura 2: diagrama de blocos funcionais do osciloscópio.
O sinal fornecido pela base de tempo, na operação normal do aparelho, é aplicado à entrada
do amplificador horizontal. O “dente de serra”
serra” é então amplificado e aplicado às placas defletoras
verticais adequadas ao tubo de raios catódicos, gerando assim a base de tempo.
Figura 3: o dente de serra e a base de tempo.
Para se obter uma onda periódica estável no osciloscópio, a base de tempo deve ser
disparada assim que o sinal atinja um certo valor. Para isso extrai-se
extrai se do sinal a ser observado uma
forma de onda que dispara a base de tempo ou inversamente, uma base de tempo que opera
continuamente. Como pode ser observado pela Fig. 4, o sistema da base de tempo (“dente de
serra”) sincronizado com o circuito de disparo mostra na tela a forma de onda a ser analisada.
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Anexo da Apostila de Lab. de Eletrônica I - Prof. Cláudio Vara de Aquino
página 3
unesp
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Figura 4: o disparo sincronizado com a varredura horizontal.
Nos osciloscópios mais comuns, o sinal da fonte de disparo ou sincronização pode ser obtido:
• Internamente, ou seja, pelo próprio sinal que está sendo observado em qualquer dos
dois canais (CH1 ou CH2).
• Pela rede de alimentação de energia elétrica (LINE), com uma onda senoidal de
freqüência 60 Hz (ou 50 Hz
H nos aparelhos europeus).
• Externamente (EXT), isto é, por um sinal externo qualquer, aplicado ao terminal de
sincronização (EXT. IN).
Em quaisquer
quer dos casos a sincronização ou o ponto de disparo pode ser efetuado sobre
porções positivas (“+”) ou negativas
negativ (“-“) do referido sinal de disparo.
Em alguns osciloscópios é possível fazer uma varredura única (“single sweep”) em que se
dispara apenas um ciclo da base de tempo. Este modo de operação é útil para a observação de
fenômenos não periódicos, entretanto,
entretanto, para uma melhor visualização destes eventos, os
osciloscópios de armazenamento ou digitais são mais adequados.
A Fig. 5 mostra como uma imagem é exibida no anteparo fluorescente da tela do
osciloscópio, através de uma sucessão de fotos obtidas pelo sistema
sistema de varredura sincronizado
com o circuito de disparo aliado à nossa persistência retiniana, fornecendo o andamento de uma
função no decorrer do tempo.
Figura 5: a imagem no osciloscópio e a persistência da retina.
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Anexo da Apostila de Lab. de Eletrônica I - Prof. Cláudio Vara de Aquino
página 4
unesp
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2.3 Algumas características dos osciloscópios
1. Sensibilidade (ou fator de deflexão), expressa em tensão por divisões na tela (V/div.,
mV/div.), indica a relação entre a tensão aplicada à entrada do osciloscópio e a deflexão
do feixe luminoso. Os amplificadores horizontal e vertical, em geral têm sensibilidades
diferentes, com o vertical mais sensível (isto é, menor tensão aplicada para uma dada
deflexão). A sensibilidade também pode variar conforme se tenha um acoplamento direto
(DC) ou apenas alternado (AC).
2. Resposta em freqüência mostra a faixa de freqüências onde a sensibilidade permanece
constante (dentro da precisão do aparelho). São comuns, por exemplo, osciloscópios com
resposta de 3 Hz a 30 MHz. Quando o extremo inferior da faixa de resposta é 0 (zero) Hz,
isto é, o osciloscópio responde a sinais contínuos, diz-se que há acoplamento direto.
3. O tempo de subida dá uma indicação do menor intervalo de tempo em que se pode
mudar significativamente a posição do feixe eletrônico. Medido em micro ou nanosegundos, está relacionado com a resposta em freqüência, sendo tanto menor quanto
maior for o extremo superior da resposta em freqüência.
4. Taxa de varredura, medida em tempo por divisões na tela (s/div., ms/div., µs/div.),
corresponde ao tempo em que o feixe se desloca horizontalmente de uma divisão. Na
utilização normal do osciloscópio, o feixe eletrônico deve deslocar-se segundo o eixo X,
com velocidade constante, tendo assim uma deflexão proporcional ao tempo. No eixo Y é
aplicada a tensão que se deseja examinar. As taxas de varredura indicam as escalas de
tempo disponíveis sobre o eixo X.
5. Tubo de raios catódicos (TRC ou CRT = cathodic rays tube), considerando aqui o tipo de
persistência da imagem, se rápida, média ou lenta.
2.4 Atenuadores, ganho e pontas de prova
Na entrada dos amplificadores horizontal (X) e verticais (Y) encontram-se atenuadores de
sinal, que operam de maneira discreta e amplificadores com um controle de ganho contínuo.
Manipulando-se o atenuador e o controle de ganho pode-se obter um tamanho conveniente para a
figura exibida na tela do osciloscópio.
A ligação do osciloscópio a um circuito ou dispositivo a ser analisado não deve ser feita por
dois fios quaisquer, pelas seguintes razões:
•
•
•
Há a possibilidade de se captarem sinais espúrios, tais como a emissão de estações de
rádio e TV não muito distantes, sinais de 60 Hz proveniente da rede e outros tipos de
interferências.
A operação do circuito a ser examinado poderia ser perturbada de um modo imprevisível.
sinal observado no osciloscópio pode ser diferente daquele captado na ponta dos fios.
Para eliminar esses inconvenientes, usam-se pontas de prova adequadas. As mais comuns
são pontas atenuadoras, que dividem por um fator constante o sinal aplicado ao osciloscópio. Tais
pontas de prova em conjunto com um cabo coaxial oferecem uma alta impedância vista pelo
circuito examinado, dispondo de capacitores de compensação que eliminam distorções nas formas
de ondas. Tais cabos coaxiais possuem a blindagem ligada à massa do osciloscópio e procuram
eliminar o primeiro inconveniente citado acima.
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página 5
unesp
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Uma ponta de prova fornece a diferença de potencial entre um ponto a ser medido e o terra.
Torna-se aqui oportuno salientar que o terminal tipo “jacaré” da ponta de prova está conectado
eletricamente ao terra do osciloscópio, e consequentemente, da rede. Requer, portanto, cuidados
para que não seja simplesmente utilizado como o outro terminal de um voltímetro, mas sempre
ligado ao terra do circuito!
2.5 Outras técnicas de medidas
Modo diferencial – é usado para fazer uma medida entre dois pontos quando nenhum deles
está conectado ao terra. Recorremos à técnica onde o sinal em relação ao terra na entrada do
canal 2 é algebricamente subtraído do sinal de entrada do canal 1 também em relação ao terra.
Com isto, o sinal de uma ddp entre dois pontos não conectados ao terra pode ser observado sem
que se promova um curto-circuito a qualquer dos sinais presente nestes pontos.
Modo XY – para se analisar um sinal do canal 2 (Y) em função do canal 1 (X). Neste caso, o
sistema de base de tempo deixa de atuar sobre os canais, a função do canal 1 passa a operar
como um amplificador horizontal e a do canal 2 como um amplificador vertical e podemos observar
o andamento de uma função em estudo, independentemente do tempo. Alternativamente pode-se
utilizar a entrada do controle de disparo externo (EXT. IN.) como entrada de sinal no eixo X.
Para melhor elucidar o que foi dito, apresenta-se a seguir uma foto com os controles frontais
e conexões e, uma sucinta descrição de cada comando e controle oferecido pelo osciloscópio
Degem utilizado nas aulas de laboratório.
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2.6 PAINEL FRONTAL – CONTROLES E CONEXÕES
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