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Menschen n Nachruf auf Helmut Alexander A m 3. Dezember 2009 verstarb Prof. Dr. Helmut Alexander in Brühl bei Köln. Seine wissenschaftliche Arbeit hat die Physik ausgedehnter Defekte in Halbleitern über mehrere Jahrzehnte geprägt. Als akademischer Lehrer hat er an den Universitäten Göttingen und Köln einen großen Kreis von Diplomanden und Doktoranden beispielhaft ausgebildet. Helmut Alexander wurde am 30. Juli 1928 in Mannheim geboren. Seine Kindheit und Jugend waren geprägt durch sein Elternhaus, ein evangelisches Pfarrhaus, sowie durch den Zweiten Weltkrieg. Nach dem Diplom 1957 an der Universität Mainz wechselte er zum MPI in Stuttgart, wo er bei Werner Köster und Peter Haasen seine Dissertation „Plastische Verformung von Germanium-Einkristallen“ anfer tigte. Peter Haasen erhielt 1958 einen Ruf an das Institut für Metallphysik der Universität Göttingen und bot ihm dort eine wissenschaftliche Assistentenstelle zum Aufbau einer Halbleitergruppe an. In Göttingen entwickelte Helmut Alexander zwei wissenschaftliche Schwerpunkte. Der erste betraf die mikroskopische Deutung der Plas tizität von Halbleitern, zunächst von Germanium, später auch Silizium und Verbindungshalbleitern. 1968 publizierten Helmut Alexander und Peter Haasen ein Buchkapitel, in dem erstmals die Plastizität eines Materials, Germanium, zumindest qualitativ aus den mikroskopischen Messungen abgeleitet wurden. Diese wegweisende Arbeit ist bis heute die wohl meistzitierte Referenz auf diesem Gebiet. Der zweite Schwerpunkt von Helmut Alexanders Göttinger Zeit entwickelte sich aus einer Vermutung von William B. Shockley 1953, wonach der Versetzungskern in Halbleitern eine Reihe aufgebrochener Bindungen mit den Eigenschaften eines eindimensionalen Elektronengases aufweisen könnte. Zur Untersuchung der Elektronenzustände an Versetzungen wurde in Diskussionen insbesondere mit Reiner Labusch, einem Theoreti Modellrechnungen bestätigt wurde. Versetzungsbewegung schafft eine Vielzahl von Kristalldefekten, die entweder am Versetzungskern gefunden werden oder aber als Punktdefekte oder Defektcluster im Kristallvolumen zurückbleiben. Die Elektronenmikroskopische Analyse von verformten Halbleiterkristallen zeigte, dass es möglich ist, durch Verformung unter sehr hohem uniaxialen Druck bei niedrigen Temperaturen eine Population gerader Versetzungen zu erzeugen, die zur Helmut Alexander Analyse der Eigenschaften einzelner Versetzungstypen, auch Partial ker aus der Schule von Friedrich versetzungen, besonders geeignet Hund, die Elektronenspinresonanz waren. Solche Proben wurden viean Versetzungen in Silizium als die len Arbeitsgruppen in der ganzen interessanteste Methode zur Unter- Welt zur Verfügung gestellt. suchung dieser Frage erkannt. Eine Die Eigenschaften ausgedehnter erste Messung und das Ergebnis Gitterfehler sind auch für Siliziumeiner ersten Diplomarbeit wurden Solarzellen sehr wichtig, da preisnoch in Göttingen zusammen mit wertes multikristallines Silizium Wilhelm Sander publiziert. Kurz eine hohe Defektdichte aufweist. nach seiner Habilitation im Jahre Daher wurden Untersuchungen an 1966 erhielt Helmut Alexander eiSolarzellen zu einem zentralen Teil nen Ruf an die Universität zu Köln, der Forschung seiner Arbeitsgrupden er 1968 annahm. pe in Köln. So entwickelte er ein In Köln übernahm Helmut AleModell zur Versetzungsentstehung xander die Abteilung für Metallphy- beim Blockguss. sik im II. Physikalischen Institut. Auch die Entwicklung von KonDem bereits etablierten Gebiet der zepten der Defektreduzierung im magnetischen Untersuchungen III-N-Materialsystem der blauen von Metalllegierungen widmete er und weißen Leuchtdioden mit sehr sich bis zu seiner Emeritierung mit hoher Dichte an Versetzungen und beachtlichen Ergebnissen. Seine anderen ausgedehnten GitterfehGöttinger Arbeiten an Versetzungen lern wurde durch das in Köln erarin Halbleitern setzte er in Köln fort, beitete grundlegende Verständnis wo er auch ein Transmissionselekdieser Defekte und ihrer Wechseltronenmikroskop übernahm. Beru- wirkung erleichtert. fungsmittel erlaubten den Aufbau Gemeinsam mit Peter Haasen, von Methoden zur kontrollierten Reiner Labusch und Wolfgang plastischen Verformung von HalbSchröter gründete Helmut Aleleitern bei hohen Temperaturen. xander 1978 eine Konferenzserie, Später kamen eine eigene Elekdie bis heute als Extended Defects tronenspinresonanz, weitere elekin Semiconductors (EDS) weitrische Untersuchungsmethoden, tergeführt wird. Zur besonderen sowie moderne Transmissions- und Würdigung von Helmut Alexander Rasterelektronenmikroskope dazu. beschloss das Internationale SteueDie Kombination gut kontrolrungskomitee 2002 einen Helmutlierter plastischer Verformung mit Alexander-Preis für den besten quantitativen Analysen der komple- Konferenzbeitrag eines Nachxen Elektronenspinresonanzsignale wuchswissenschaftlers auszuloben, ergaben den starken Hinweis, dass der in diesem Jahr zum fünften Mal Versetzungskerne in kovalenten vergeben werden wird. Halbleitern in der Regel rekons Helmut Gottschalk, Wolfgang truiert sind, was später auch von Schröter und Eicke Weber © 2010 Wiley-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim Physik Journal 9 (2010) Nr. 10 49 Dr. Helmut Gottschalk, Universität Köln, Prof. Dr. Wolfgang Schröter, Universität Göttingen, Prof. Dr. Eicke Weber, Fraunhofer- Institut für S olare Energiesysteme, Freiburg